韓國(guó)存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士日前正式公布了今年第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示，公司結(jié)合并收入為16.4233萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了5.47萬(wàn)億韓元(約合人民幣263.5億元)，是繼半導(dǎo)體超級(jí)繁榮期的2018年第二季度(5.5739萬(wàn)億韓元)、第三季度(6.4724萬(wàn)億韓元)之后，時(shí)隔6年再次創(chuàng)下了5萬(wàn)億韓元水平的業(yè)績(jī)。PkKesmc

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SK海力士2024年第二季度業(yè)績(jī)報(bào)告PkKesmc

對(duì)比之下，SK海力士2023年第二季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)虧損達(dá)到2.88萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)虧損達(dá)到2.99萬(wàn)億韓元，季度營(yíng)業(yè)虧損率為39%，凈虧損率達(dá)到41%。PkKesmc

此前外界普遍認(rèn)為，“高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)是幫助SK海力士走出困境的重要原因之一”?；ㄆ旒瘓F(tuán)(Citigroup)甚至因此將SK海力士的目標(biāo)價(jià)提升到了350,000韓元，比當(dāng)前股價(jià)高出50%以上，這也是目前看到的華爾街最樂觀的預(yù)期。PkKesmc

而事實(shí)也的確如此。財(cái)報(bào)顯示，在DRAM方面，SK海力士從今年3月份開始量產(chǎn)及供應(yīng)的HBM3E和服務(wù)器DRAM等高附加值產(chǎn)品的銷售比重有所擴(kuò)大。特別是HBM的銷售額環(huán)比增長(zhǎng)80%以上，同比增長(zhǎng)250%以上，帶動(dòng)了公司的業(yè)績(jī)改善。PkKesmc

其實(shí)，從SK海力士今年第一季度的財(cái)報(bào)里我們已經(jīng)能夠十分清楚的看到這種趨勢(shì)。憑借HBM等面向AI的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，SK海力士實(shí)現(xiàn)了營(yíng)業(yè)利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)734%的業(yè)績(jī)。具體而言，SK海力士在2024 Q1收入為12.4296萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為2.886萬(wàn)億韓元，凈利潤(rùn)為1.917萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為23%，凈利潤(rùn)率為15%。第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)創(chuàng)同期歷史第二高。PkKesmc

另一家存儲(chǔ)巨頭三星電子同樣依靠HBM獲得了驚人的財(cái)務(wù)表現(xiàn)。在2024年第二季度的業(yè)績(jī)報(bào)告指引中，三星電子的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比飆升了1452%，達(dá)到10.4萬(wàn)億韓元(約合人民幣551億元)；銷售額74萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)23.31%。這些數(shù)據(jù)不僅顯著超過了市場(chǎng)分析師的普遍預(yù)期，也標(biāo)志著自2022年下半年以來(lái)三星電子的利潤(rùn)狀況出現(xiàn)了顯著好轉(zhuǎn)。PkKesmc

盡管沒有公布半導(dǎo)體部門的具體銷售額，但多家券商給出的預(yù)測(cè)基本都維持在27-28.8萬(wàn)億韓元之間。如果是后者的話，這意味著，今年第二季度，三星電子半導(dǎo)體部門銷售額有望超過臺(tái)積電的6735.1億新臺(tái)幣(約合28.5萬(wàn)億韓元)。另?yè)?jù)行業(yè)消息，三星電子考慮在三季度將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)和NAND的價(jià)格繼續(xù)上調(diào)15-20%，如果屬實(shí)，三星電子下半年的業(yè)績(jī)也將有所改善。PkKesmc

在此帶動(dòng)下，2024年上半年，韓國(guó)半導(dǎo)體芯片出口額實(shí)現(xiàn)了顯著增長(zhǎng)，達(dá)到了658.3億美元，同比增長(zhǎng)了49.9%。存儲(chǔ)芯片的出口表現(xiàn)尤為突出，同比大增88.7%，這主要得益于固定交易價(jià)格上漲以及HBM等產(chǎn)品的出口增加，特別是SK海力士和三星電子作為HBM市場(chǎng)的主導(dǎo)者，其在HBM市場(chǎng)的份額和影響力進(jìn)一步提升了韓國(guó)在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中的地位。PkKesmc

新的“搖錢樹”

以高帶寬內(nèi)存(HBM、HBM2、HBM2E、HBM3)為代表的超帶寬解決方案之所以越來(lái)越受到重視，一方面是因?yàn)殡S著人工智能、數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算需求的暴漲，AI服務(wù)器需要高算力和大帶寬來(lái)處理海量并行數(shù)據(jù)，HBM通過提供高帶寬特性，使得AI模型訓(xùn)練和推理過程更快更高效。PkKesmc

另一方面，傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心“CPU+內(nèi)存(如DDR4)+存儲(chǔ)(如SSD)”的數(shù)據(jù)處理方式，正在走進(jìn)“異構(gòu)數(shù)據(jù)中心”時(shí)代，即通過部署CPU、GPU、DPU、FPGA和ASIC等各種組件，分別側(cè)重于提供特定功能或者處理不同類型和格式的數(shù)據(jù)，從而顯著提高整個(gè)系統(tǒng)的速度和性能。而HBM通過增加帶寬，擴(kuò)展內(nèi)存容量，讓更大的模型/更多的參數(shù)留在離核心計(jì)算更近的地方，能夠更有效減少內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案帶來(lái)的延遲。PkKesmc

TrendForce的調(diào)研顯示，HBM現(xiàn)在幾乎已成為高端AI服務(wù)器GPU的標(biāo)準(zhǔn)配置，2023年全球HBM的年需求量增長(zhǎng)約60%，即從2022年的1.81億GB增加到2.9億GB，2024年預(yù)計(jì)還將再成長(zhǎng)30%。高盛方面預(yù)測(cè)稱，全球HBM市場(chǎng)將從2022年的23億美元猛增至2026年的230億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率達(dá)77%。PkKesmc

另?yè)?jù)SemiAnalysis披露，價(jià)格方面，以HBM3為例，其價(jià)格大約是標(biāo)準(zhǔn)DRAM芯片的5-6倍，預(yù)計(jì)到2026年，HBM占全球內(nèi)存收入的比例將從當(dāng)前的不到5%增長(zhǎng)到20%以上。這就是為什么英偉達(dá)、AMD、微軟、亞馬遜等芯片大廠排隊(duì)搶貨，甚至溢價(jià)也可考慮的原因。而且這樣的市場(chǎng)表現(xiàn)對(duì)于提高存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司的業(yè)績(jī)也有積極的影響。PkKesmc

目前，谷歌、亞馬遜、微軟等涉足云服務(wù)器業(yè)務(wù)的全球科技巨頭越來(lái)越多地采用HBM產(chǎn)品。芯片廠商中，NVIDIA A100/A800、AMD MI200芯片均采用HBM2E；NVIDIA H100和AMD MI300X采用了SK海力士數(shù)據(jù)速率為5.6GT/s的12層24GB HBM3；SK海力士、三星和美光三家存儲(chǔ)芯片大廠則分別以50%、40%、10%的比例瓜分了全球HBM市場(chǎng)份額。PkKesmc

擴(kuò)產(chǎn)布局是主旋律

SK海力士和美光科技此前已經(jīng)在不同場(chǎng)合表示，兩家公司“2025年以前的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄”；三星電子則在2024年Q1財(cái)報(bào)會(huì)議上強(qiáng)調(diào)：“相比2023年，2024年HBM的供應(yīng)將增加三倍。到2025年，這一數(shù)字將是2024年的兩倍甚至更多。”PkKesmc

大摩此前就預(yù)計(jì)，AI快速發(fā)展將導(dǎo)致DRAM和HBM市場(chǎng)供需失衡，預(yù)計(jì)2025年HBM的供應(yīng)不足率為-11%，整個(gè)DRAM市場(chǎng)的供應(yīng)不足率為-23%。特別是HBM的需求量將大幅增加，可能占總DRAM供應(yīng)的30%。PkKesmc

為此，SK海力士決定在韓國(guó)忠清北道清州市投資建設(shè)新的DRAM生產(chǎn)基地M15X，目標(biāo)是在2025年底前啟用。同時(shí)，該公司還決定在美國(guó)印第安納州西拉斐特建設(shè)一個(gè)先進(jìn)的AI內(nèi)存封裝生產(chǎn)設(shè)施，該設(shè)施總投資約38.7億美元，從2028年開始大規(guī)模生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的下一代AI內(nèi)存產(chǎn)品。 PkKesmc

通過這項(xiàng)投資，SK海力士的1b DRAM產(chǎn)能預(yù)計(jì)將從第一季度的每月1萬(wàn)片晶圓增加到年底的每月9萬(wàn)片，SK海力士還計(jì)劃到明年上半年將1b DRAM產(chǎn)量增加到14萬(wàn)至15萬(wàn)片。PkKesmc

目前，SK海力士正在向英偉達(dá)供應(yīng)8 層堆疊HBM3E，其12層堆疊HBM3E產(chǎn)品的量產(chǎn)時(shí)間有望從明年提前至今年第三季度。PkKesmc

與此同時(shí)，SK海力士的母公司SK集團(tuán)還宣布，未來(lái)三年，SK海力士將投資103萬(wàn)億韓元(約合746億美元)加強(qiáng)芯片業(yè)務(wù)，重點(diǎn)將放在人工智能。據(jù)悉，該筆投資是SK海力士目前正在韓國(guó)京畿道建設(shè)的900億美元的龍仁半導(dǎo)體集群的“大型晶圓廠綜合體”的一部分。PkKesmc

“隨著AI時(shí)代的臨近，預(yù)計(jì)未來(lái)2-3年，集團(tuán)在HBM等與AI生態(tài)系統(tǒng)相關(guān)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域?qū)⑿枰獨(dú)v史上最大的投資。”SK一位官員表示。PkKesmc

三星電子在HBM方面的最新進(jìn)展，一是計(jì)劃在年內(nèi)推出HBM 3D封裝服務(wù)，并考慮在明年推出的HBM4芯片上采用這種封裝方式；二是在組織架構(gòu)上做出一系列調(diào)整，包括：2022年12月，在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門內(nèi)成立了先進(jìn)封裝(AVP)業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，以加強(qiáng)先進(jìn)封裝技術(shù)，并在各業(yè)務(wù)部門之間創(chuàng)造協(xié)同效應(yīng)；2024年7月，成立“HBM開發(fā)團(tuán)隊(duì)”，總攬 HBM3E和HBM4內(nèi)存的開發(fā)工作；重組設(shè)備技術(shù)研究所，強(qiáng)化半導(dǎo)體工藝及設(shè)備的技術(shù)支撐能力，為半導(dǎo)體工藝效率的提升提供更廣泛的技術(shù)支持。據(jù)當(dāng)?shù)厝蘇B Securities稱，2024年，HBM3將占三星芯片銷售收入的18%。PkKesmc

今年2月，三星成功發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。據(jù)透露，三星已于第二季度開始量產(chǎn)這款第五代 HBM產(chǎn)品，目前正在向特定客戶供貨。PkKesmc

美光DRAM四年路線圖則顯示，其HBM3E預(yù)計(jì)將在2024年第三季度/第四季度開始出貨，正在開發(fā)的HBMNext內(nèi)存產(chǎn)品將為每個(gè)堆棧提供1.5TB/s – 2+TB/s的帶寬，容量范圍為36GB至64GB，功耗也更具優(yōu)勢(shì)。此外，美光科技則還計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A(約合38-51億美元)擴(kuò)張位于日本廣島的產(chǎn)線，預(yù)計(jì)2026年初動(dòng)工，并安裝EUV設(shè)備。PkKesmc

另?yè)?jù)日經(jīng)亞洲的消息，美光正在其位于美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西的總部擴(kuò)建與HBM相關(guān)的研發(fā)生產(chǎn)設(shè)施，包括技術(shù)驗(yàn)證產(chǎn)線和量產(chǎn)線，并有意愿在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來(lái)的更多需求。根據(jù)規(guī)劃，美光科技計(jì)劃在2025年將HBM市占率提高兩倍以上，達(dá)到20%左右。PkKesmc

HBM4成為競(jìng)爭(zhēng)新熱點(diǎn)

于2013年推出的HBM技術(shù)，是一種高性能3D堆棧DRAM構(gòu)架，數(shù)據(jù)傳輸速率大概可以達(dá)到1Gbps左右。此后，該技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)差不多每隔2-3年就會(huì)更新一代，使得第二代(HBM2)、第三代(HBM2E)、第四代(HBM3)和第五代(HBM3E)產(chǎn)品的帶寬和最高數(shù)據(jù)傳輸速率記錄被不斷刷新。鑒于同期內(nèi)其他產(chǎn)品的帶寬僅增加兩到三倍，我們有理由將HBM產(chǎn)品的快速發(fā)展歸功于存儲(chǔ)器制造商之間激烈的競(jìng)爭(zhēng)。PkKesmc

近日，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)宣布，HBM4標(biāo)準(zhǔn)即將定稿。該標(biāo)準(zhǔn)在帶寬、功耗和數(shù)據(jù)處理速率方面均有顯著提升，以適應(yīng)生成式AI、高性能計(jì)算等處理大型數(shù)據(jù)集的需求。PkKesmc

具體而言，相比較HBM3，HBM4的每個(gè)堆棧通道數(shù)增加了一倍，物理尺寸更大。意味著在相同物理尺寸下，HBM4能夠提供更高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬和更好的并行處理能力。同時(shí)，該機(jī)構(gòu)為了支持設(shè)備兼容性，主控可以同時(shí)處理HBM3和HBM4。PkKesmc

在企業(yè)動(dòng)態(tài)方面，SK海力士正加強(qiáng)與臺(tái)積電及英偉達(dá)的合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃共同開發(fā)下一代HBM解決方案。SK海力士將采用臺(tái)積電的先進(jìn)邏輯工藝制造HBM4的基板芯片，12層HBM4計(jì)劃于2025年下半年推出，16層版本預(yù)計(jì)將于2026年投入量產(chǎn)。此外，SK海力士在HBM4技術(shù)上實(shí)現(xiàn)了超過20%的功耗降低。PkKesmc

三星計(jì)劃將1c DRAM技術(shù)用于12層堆疊HBM4和16層堆疊HBM4 產(chǎn)品，第一條1c DRAM量產(chǎn)線預(yù)計(jì)將于2024年底建成，總產(chǎn)能約為每月3000片。加之前文提及的HBM 3D封裝技術(shù)，其內(nèi)存容量和帶寬都將得到極大提升。PkKesmc

根據(jù)Trendforce去年年底分享的路線圖預(yù)計(jì)，首批HBM4樣品預(yù)計(jì)每堆棧容量高達(dá) 36GB，完整規(guī)格預(yù)計(jì)將由JEDEC在2024-2025年下半年左右發(fā)布。預(yù)計(jì)第一批客戶樣品和供貨時(shí)間是2026年，因此我們還有很長(zhǎng)一段時(shí)間才能看到新的高帶寬內(nèi)存解決方案投入使用。PkKesmc

勞資問題，一座比HBM更難翻越的大山

本月初，三星電子工會(huì)宣布舉行無(wú)限期大罷工，要求增加工資。三星工會(huì)立場(chǎng)強(qiáng)硬，稱“罷工的目的是生產(chǎn)中斷”。因此，業(yè)界擔(dān)心在三星電子的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)從去年的赤字中恢復(fù)過來(lái)之際，此次罷工將導(dǎo)致生產(chǎn)中斷，并對(duì)其全球形象造成打擊。PkKesmc

2022年下半年，三星電子曾面臨設(shè)備解決方案部門及其整體利潤(rùn)的明顯下滑，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)一度跌至1萬(wàn)億韓元以下。從2023年下半年開始，隨著市場(chǎng)環(huán)境的改善，三星電子的利潤(rùn)開始回升，三季度和四季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均回到了2萬(wàn)億韓元以上。進(jìn)入2024年，第一季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)達(dá)到了6.61萬(wàn)億韓元，相比去年同期的0.64萬(wàn)億韓元，增長(zhǎng)了十倍之多。PkKesmc

還有HBM因發(fā)熱問題未能通過測(cè)試的報(bào)道，也讓三星電子感到心煩意亂。盡管三星電子發(fā)布聲明稱，所謂芯片因發(fā)熱和能耗問題尚未通過檢測(cè)的說法“不實(shí)”，“檢測(cè)正順利、按計(jì)劃推進(jìn)”；黃仁勛也回應(yīng)稱：“那不是失敗原因，那種報(bào)道不足掛齒”，“與三星的合作進(jìn)展順利，需要有耐心。”等等，但在面臨強(qiáng)勁市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的態(tài)勢(shì)下，如何盡快走出負(fù)面消息包圍，是當(dāng)務(wù)之急。PkKesmc