市場(chǎng)研究公司 Global Research Company 報(bào)告稱，2023 年化合物功率半導(dǎo)體(例如GaN、GaAs、Sic、InP等)市場(chǎng)規(guī)模為 739.1 億美元，預(yù)計(jì)到 2028 年將增長(zhǎng)至 1133 億美元。h2Iesmc

化合物半導(dǎo)體已成為各個(gè)行業(yè)的變革性影響。SiC 在汽車領(lǐng)域（尤其是 800V 電動(dòng)汽車領(lǐng)域）的主導(dǎo)地位推動(dòng)了價(jià)值數(shù)十億美元的市場(chǎng)。同時(shí)，GaN 正在擴(kuò)大其在消費(fèi)和汽車領(lǐng)域的影響力。h2Iesmc

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圖：化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)。來(lái)源Yoleh2Iesmc

韓國(guó)的化合物功率半導(dǎo)體依賴進(jìn)口，主要市場(chǎng)為歐洲（54%）、美國(guó)（28%）和日本（13%），韓國(guó)的市場(chǎng)份額僅為1%至2%左右。近日消息人士透露三星電子和 SK 海力士正力推化合物功率半導(dǎo)體市場(chǎng)， h2Iesmc

為了應(yīng)對(duì)這一發(fā)展，韓國(guó)工業(yè)技術(shù)規(guī)劃評(píng)估院決定到 2028 年投資 1385 億韓元（約7.2億人民幣）來(lái)??開發(fā)化合物功率半導(dǎo)體的先進(jìn)技術(shù)。h2Iesmc

三星電子和 SK 海力士也在考慮商業(yè)化，計(jì)劃開發(fā)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體以及 GaN 半導(dǎo)體。h2Iesmc

此舉被視為其增強(qiáng)代工（半導(dǎo)體合同制造）業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力的戰(zhàn)略的一部分。6月28日，據(jù)多家韓媒報(bào)道，三星電子、SK Siltron、韓國(guó)東部高科（DB HiTek）以及無(wú)晶圓廠ABOV Semiconductor共同簽署了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)協(xié)議（MOU），共同致力于“化合物功率半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”。h2Iesmc

三星的GaN之路

2023年6月，三星電子代工業(yè)務(wù)總裁崔時(shí)永在三星代工論壇上宣布，公司將從2025年開始生產(chǎn)8英寸GaN化合物功率半導(dǎo)體。這一對(duì)化合物功率半導(dǎo)體的強(qiáng)調(diào)預(yù)計(jì)將在2024年7月9日即將舉行的論壇上重申。h2Iesmc

三星于2023年底將LED業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)重組為CSS業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)，以促進(jìn)GaN半導(dǎo)體的商業(yè)化。這一變化是因?yàn)長(zhǎng)ED晶圓沉積設(shè)備可用于沉積GaN化合物。h2Iesmc

三星的目標(biāo)是憑借多年積累的LED開發(fā)能力，開發(fā)GaN半導(dǎo)體。h2Iesmc

SK海力士的GaN之路

而SK海力士則通過(guò)其子公司SK keyfoundry ，尋求開發(fā)和量產(chǎn)GaN半導(dǎo)體，目標(biāo)是在今年內(nèi)開發(fā)出GaN半導(dǎo)體，并于2025年開始量產(chǎn)。h2Iesmc

SK KeyFoundry于 2022 年組建了一個(gè)團(tuán)隊(duì)來(lái)開發(fā) GaN 工藝，上個(gè)月，該公司宣布已獲得8英寸650V 氮化鎵 HEMT 的器件特性，并計(jì)劃在今年內(nèi)完成開發(fā)。h2Iesmc

此外， 今年5月，DB HiTek宣布將在今年第三季度引進(jìn)氮化鎵器件生產(chǎn)所需的相關(guān)設(shè)備，并在今年年底前完成量產(chǎn)準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)該GaN代工廠將從明年年初開始運(yùn)營(yíng)。h2Iesmc

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