6 月 4 日，臺(tái)積電總裁魏哲家接替劉德音成為臺(tái)積電新任董事長(zhǎng)，臺(tái)積電進(jìn)入由魏哲家全面掌舵時(shí)代。rrqesmc

魏哲家自2018年擔(dān)任臺(tái)積電總裁以來(lái)，帶領(lǐng)公司在科技供應(yīng)鏈中扮演了至關(guān)重要的角色。他的領(lǐng)導(dǎo)下，臺(tái)積電不僅在美中科技競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)了關(guān)鍵地位，還在全球芯片短缺的背景下，助力主要經(jīng)濟(jì)體強(qiáng)化供應(yīng)鏈的韌性，推動(dòng)了芯片制造的本土化進(jìn)程。rrqesmc

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魏哲家也是被創(chuàng)辦人張忠謀譽(yù)為“準(zhǔn)備最齊全的 CEO”。rrqesmc

在魏哲家的帶領(lǐng)下，臺(tái)積電的市值在過(guò)去六年里增長(zhǎng)了近兩倍，截至6月3日，市值高達(dá)8036億美元。即使在全球經(jīng)濟(jì)下行的背景下，臺(tái)積電的營(yíng)收和凈利潤(rùn)也實(shí)現(xiàn)了翻倍增長(zhǎng)。為了持續(xù)領(lǐng)先于美國(guó)的英特爾和韓國(guó)的三星電子，臺(tái)積電大幅增加了資本支出，從2018年的108億美元增至2023年的304.5億美元，甚至超過(guò)了臺(tái)灣的國(guó)防支出。研發(fā)支出也從28億美元增至58億美元。rrqesmc

然而，為持續(xù)領(lǐng)先美國(guó)的英特爾（Intel）和韓國(guó)的三星電子（Samsung Electronics），臺(tái)積電必須投入龐大資本。臺(tái)積電 2023 年資本支出從 2018 年的 108 億美元，提高至 304.5 億美元，甚至超越臺(tái)灣的國(guó)防支出。臺(tái)積電 2023 年的研發(fā)支出也從 2018 年的 28 億美元，提高至 58 億美元。rrqesmc

新任董事長(zhǎng)的挑戰(zhàn)

魏哲家接下董事長(zhǎng)后，將面臨一連串新舊挑戰(zhàn)，其中最大的挑戰(zhàn)遠(yuǎn)超過(guò)他個(gè)人所能掌控，那就是地緣政治。rrqesmc

臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)研究院產(chǎn)經(jīng)資料庫(kù)總監(jiān)劉佩真表示，臺(tái)積電所面臨最大的不確定性都來(lái)自政治，包括前美國(guó)總統(tǒng)特朗普是否會(huì)贏得今年的總統(tǒng)大選、是否會(huì)有新的地緣政治影響因素，以及美國(guó)對(duì)臺(tái)灣地區(qū)芯片產(chǎn)業(yè)或臺(tái)積電的態(tài)度為何。rrqesmc

魏哲家面臨的第 2 大挑戰(zhàn)則是臺(tái)積電本身的成長(zhǎng)。臺(tái)積電現(xiàn)有的員工人數(shù)已從 2018 年的 4 萬(wàn) 8000 人，成長(zhǎng)到 7 萬(wàn) 6000 多人，員工也比以往更為多元。rrqesmc

第 3 大挑戰(zhàn)是整個(gè)芯片產(chǎn)業(yè)面臨的典范轉(zhuǎn)移（paradigm shift）。全球芯片大廠為追求更強(qiáng)大的電腦運(yùn)算能力，致力縮小晶體管面積的同時(shí)，也開(kāi)始探索更先進(jìn)的方式，以創(chuàng)新方式整合連結(jié)芯片。rrqesmc

魏哲家就任總裁初期，臺(tái)積電大多數(shù)的生產(chǎn)制造都集中在臺(tái)灣地區(qū)，但近年臺(tái)積電展開(kāi)空前的全球性擴(kuò)張，首度在日本和德國(guó)成立生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，并在美國(guó)興建 20 年來(lái)首座先進(jìn)芯片廠。rrqesmc

魏哲家簡(jiǎn)介

魏哲家，1954 年出生于臺(tái)灣省臺(tái)北市，畢業(yè)于美國(guó)耶魯大學(xué)電機(jī)工程博士學(xué)位。rrqesmc

魏哲家博士為臺(tái)積公司總裁。在此之前，魏博士于2013年11月至2018年6月間擔(dān)任總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長(zhǎng)；2012年3月至2013年11月間擔(dān)任執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)；2009年至2012年間擔(dān)任業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)資深副總經(jīng)理。魏哲家博士在技術(shù)事業(yè)與營(yíng)運(yùn)管理的領(lǐng)域上擁有豐富實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)，也曾任主流技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理、南廠區(qū)營(yíng)運(yùn)副總經(jīng)理。rrqesmc

魏哲家博士于1998年加入臺(tái)積公司之前，曾任新加坡特許半導(dǎo)體公司技術(shù)資深副總經(jīng)理及位于德州的意法半導(dǎo)體公司邏輯暨SRAM技術(shù)開(kāi)發(fā)資深經(jīng)理。在此之前，魏博士任職于德州儀器的技術(shù)研發(fā)部門(mén)。rrqesmc

魏哲家博士于國(guó)立交通大學(xué)電機(jī)工程學(xué)系取得學(xué)士與碩士學(xué)位，其后并于美國(guó)耶魯大學(xué)取得電機(jī)工程博士學(xué)位。rrqesmc

劉德音簡(jiǎn)介

劉德音，1954 年出生于臺(tái)灣省臺(tái)北市，畢業(yè)于美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校電機(jī)工程及計(jì)算機(jī)科學(xué)系博士學(xué)位。rrqesmc

劉德音博士為臺(tái)積公司董事長(zhǎng)。在此之前，于2013年至2018年間擔(dān)任臺(tái)積公司總經(jīng)理暨共同執(zhí)行官，負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)尖端技術(shù)開(kāi)發(fā)；2012年至2013年間出任共同營(yíng)運(yùn)官。劉德音博士1993年加入臺(tái)積公司，擔(dān)任工程副處長(zhǎng)一職，建立臺(tái)積公司首座八吋晶圓廠，其后歷任多項(xiàng)重要職務(wù)，包含營(yíng)運(yùn)資深副總經(jīng)理與先進(jìn)技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理，為臺(tái)積公司創(chuàng)建首座十二吋晶圓廠，開(kāi)創(chuàng)超大晶圓廠的營(yíng)運(yùn)業(yè)務(wù)。在世大集成電路制造公司與臺(tái)積公司合并之前，亦擔(dān)任該公司總經(jīng)理。rrqesmc

在加入臺(tái)積公司之前，劉德音博士曾于1987年至1993年間任職于美國(guó)紐澤西州AT&T貝爾實(shí)驗(yàn)室，擔(dān)任高速電子研究實(shí)驗(yàn)室研究經(jīng)理，研發(fā)光學(xué)通訊系統(tǒng)；1983年至1987年間則擔(dān)任美商英特爾公司（Intel）CMOS技術(shù)開(kāi)發(fā)之制程整合經(jīng)理，進(jìn)行微處理器制程技術(shù)開(kāi)發(fā)。rrqesmc

劉德音最成功的業(yè)績(jī)是帶領(lǐng)臺(tái)積電在 2018 年超越英特爾，成為全球最大的芯片制造商。rrqesmc