作為英偉達高帶寬存儲器合作伙伴，SK海力士在HBM市場處于領(lǐng)導(dǎo)地位。日前，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。雖然外部不穩(wěn)定因素依然存在，但今年內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)已開始呈現(xiàn)上升趨勢。YSFesmc
市場層內(nèi)，全球大型科技客戶對產(chǎn)品的需求正在復(fù)蘇，并且隨著人工智能使用領(lǐng)域的擴大，包括配備自己的人工智能的設(shè)備，如個人電腦和智能手機，對DDR5、LPDDR5T以及HBM3E等產(chǎn)品的需求預(yù)計會增加。YSFesmc
資料顯示，SK海力士擴大其HBM的生產(chǎn)設(shè)施投資，以應(yīng)對高性能AI產(chǎn)品需求的增加。公司計劃，對通過硅通孔(TSV)相關(guān)的設(shè)施投資將比2023年增加一倍以上，力圖將產(chǎn)能翻倍，并計劃在2024年上半年開始生產(chǎn)其第五代高帶寬內(nèi)存產(chǎn)品HBM3E。YSFesmc
此外，SK海力士公司正在與臺積電結(jié)成“AI聯(lián)盟”。據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士與臺積電形成了One Team戰(zhàn)略，包括合作開發(fā)第六代HBM，即HBM4。YSFesmc
相較于前三代HBM，HBM4堆棧將改變自2015年以來1024位接口的設(shè)計，采用2048位接口，以解決此前1024位內(nèi)存接口“寬但慢”的問題，而位寬翻倍也是是HBM內(nèi)存技術(shù)推出后最大的變化。由于2048位接口需要在集成電路上進行非常復(fù)雜的布線，可能需要臺積電更為先進的封裝技術(shù)來驗證HBM4芯片的布局和速度。YSFesmc
另有消息稱，HBM4芯片將用于Blackwell架構(gòu)GPU第二次迭代升級中。YSFesmc
責(zé)編：Momoz
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