2月6日，鎧俠和西部數(shù)據(jù)聯(lián)合宣布，雙方位于四日市和北上市工廠的合資制造工廠已獲批準獲得高達 1500 億日元的補貼 ，包括將生產(chǎn)基于創(chuàng)新晶圓鍵合技術(shù)和下一代先進節(jié)點的最新一代3D 閃存的設(shè)施。 該補貼將根據(jù)一項指定的政府計劃發(fā)放，旨在促進企業(yè)投資尖端半導體生產(chǎn)設(shè)施并確保日本半導體的穩(wěn)定供應(yīng)。3F5esmc

對此，日本經(jīng)產(chǎn)省發(fā)言人稱，鎧俠和西部數(shù)據(jù)決定支持合資公司在三重縣四日市和巖手縣北上市擴大先進 NAND 內(nèi)存半導體的生產(chǎn)，并將維持長達10年的合作。3F5esmc

這位發(fā)言人表示，希望這一大規(guī)模投資能夠?qū)θ乜h、巖手縣及周邊地區(qū)產(chǎn)生廣泛的經(jīng)濟連鎖反應(yīng)，包括地區(qū)投資和工資增長。 3F5esmc

此次鎧俠和西部數(shù)據(jù)的合資制造工廠為第二次獲得日本政府的補貼，此前，位于四日市的合資制造工廠獲準在2022年獲得日本政府最多929億日元的補貼。3F5esmc

據(jù)《國際電子商情》獲悉，2022年10月，由鎧俠和西部數(shù)據(jù)投資的全球最先進的半導體制造工廠Fab7在四日市工廠開業(yè)。Fab7一期工程總投資預(yù)計約1萬億日元，其中部分資本投資由政府補貼資助。3F5esmc

世界最先進研發(fā)與制造基地四日市工廠歷史

鎧俠四日市工廠是世界上最大、最高效的閃存生產(chǎn)工廠之一，其主要產(chǎn)品BiCS FLASH、NAND閃存等半導體，存儲器件。3F5esmc

該基地起步于1992年1月，現(xiàn)有占地面積約69.4萬平方米，朝日測試中心（Asahi Test Center）約4.78萬平方米。截至2023年3月底，這里約有7200名員工。3F5esmc

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鎧俠四日市工廠主要產(chǎn)品（資料來自鎧俠官方）3F5esmc

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1992年，原東芝四日市工廠成立，是當時最先進的存儲器產(chǎn)品的制造工廠。3F5esmc

在歷經(jīng)兩年時間開發(fā)，F(xiàn)ab1于1993年正式投產(chǎn)，建成前段制程與后段制程一致的生產(chǎn)線，開始生產(chǎn)16Mbit DRAM，這也是四日市工廠的第一個產(chǎn)品。3F5esmc

1995年，F(xiàn)ab2建成，旨在進一步擴大產(chǎn)能和批量生產(chǎn)下一代產(chǎn)品。 1996年，開始生產(chǎn)64Mbit DRAM。3F5esmc

1997年6月，16Mbit DRAM累計產(chǎn)量達到1億顆。3F5esmc

隨著64Mbit DRAM產(chǎn)能大幅提升，128Mbit DRAM、256Mbit NAND閃存、NOR閃存、SRAM等下一代內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)也取得進展。3F5esmc

1998年，東芝負責存儲器組裝業(yè)務(wù)的子公司四日市東芝電子株式會社成立。 1999年，除了DRAM和SRAM之外，還開始生產(chǎn)NAND閃存。開發(fā)和制造功能集中在四日市工廠，生產(chǎn)能力得到提高。3F5esmc

然而，在成立10年后的2001年，由于IT衰退的影響，東芝宣布退出DRAM的制造和銷售。由于此次撤資，四日市東芝電子株式會社也隨之解散。3F5esmc

2002年，東芝半導體存儲器業(yè)務(wù)將與生產(chǎn)NAND閃存的SanDisk Corporation（現(xiàn)為Western Digital Corporation）的合資公司“Flash Vision LLC”遷至四日市工廠，并將Dominion Semiconductor, LLC A的設(shè)施和設(shè)備搬遷至四日市工廠。此時，該基地將開發(fā)轉(zhuǎn)向高價值存儲器產(chǎn)品，特別是NAND閃存。彼時，由于數(shù)碼相機和帶攝像頭的手機開始大量普及，NAND閃存市場出現(xiàn)爆炸式增長。3F5esmc

隨著行業(yè)需求復蘇，當時作為規(guī)模世界一流制造能力的四日市Fab4于2007年6月投產(chǎn)。3F5esmc

2008年7月，四日市工廠收到了三重縣的違規(guī)警告。為了避免類似情況再次發(fā)生，公司將下一代存儲器產(chǎn)品的研究和技術(shù)開發(fā)部門“先進存儲器開發(fā)中心”轉(zhuǎn)移到四日市工廠。3F5esmc

此時，建造Fab5一開始醞釀。然而，當時全球經(jīng)濟低迷拖累了半導體市場，存儲器業(yè)面臨嚴峻挑戰(zhàn)。3F5esmc

2010年，隨著市場狀況的復蘇，四日Fab5開始建設(shè)。東芝LSI Package Solutions Co., Ltd.搬遷至四日市工廠，以加強組裝業(yè)務(wù)。同年，向全球生產(chǎn)多種內(nèi)存產(chǎn)品的200mm晶圓終止，此業(yè)務(wù)經(jīng)營長達約18年。3F5esmc

2011年4月，F(xiàn)ab5建設(shè)完成。同年9月，公司實現(xiàn)了NAND??閃存累計產(chǎn)量100億顆（換算為1GB）。此外，公司開始量產(chǎn)全球首款、最小的19nm NAND閃存。3F5esmc

隨著技術(shù)和成本競爭的加劇，2011年完成Fab5（一期）建設(shè)，2014年完成Fab5（二期）建設(shè)，2016年重建Fab2，2018年完成Fab6和內(nèi)存研發(fā)中心建設(shè)。3F5esmc

單元尺寸微縮的極限開始顯現(xiàn)，3D閃存于在2016年開始量產(chǎn)。由于存儲器容量的快速增長和制造工藝技術(shù)的成熟，四日市工廠的產(chǎn)能呈指數(shù)級增長。3F5esmc

2022 年，四日市工廠迎來成立30周年。3F5esmc

同年10月，由鎧俠和西部數(shù)據(jù)投資的全球最先進的半導體制造工廠Fab7在四日市工廠開業(yè)。3F5esmc

Fab7一期工程總投資預(yù)計約為1萬億日元。 Fab7工廠一期的部分資本投資由政府補貼資助，該補貼將促進尖端半導體生產(chǎn)設(shè)施的發(fā)展，并確保日本半導體的穩(wěn)定生產(chǎn)。3F5esmc

Fab7具備生產(chǎn)第六代162層閃存和未來先進3D閃存的能力，計劃于2023年初開始出貨162層閃存。3F5esmc

該設(shè)施利用人工智能來提高生產(chǎn)效率，并采用節(jié)省空間的設(shè)施設(shè)計，擴大了潔凈室中制造設(shè)備的可用空間。 Fab7 專為安全和可持續(xù)發(fā)展而設(shè)計，能夠吸收地震沖擊，并采用最新的節(jié)能制造設(shè)備。3F5esmc

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資料來自鎧俠官網(wǎng)3F5esmc