三星電子在10月19日慕尼黑舉行的Foundry Forum EU 2023 上，為汽車行業(yè)提供先進而全面的工藝解決方案，涵蓋了從最先進的2納米工藝到8英寸傳統(tǒng)工藝。uusesmc

為了滿足汽車市場最新創(chuàng)新的需求，三星將為未來汽車技術(shù)開發(fā)業(yè)界首款 5 納米 eMRAM 解決方案。eMRAM 是用于汽車應(yīng)用的下一代存儲器，可實現(xiàn)高讀寫速度以及出色的熱穩(wěn)定性。uusesmc

自 2019 年開發(fā)并量產(chǎn)全球首款基于 28nm FD-SOI 的 eMRAM 以來，三星電子一直在推進基于 14nm FinFET 的 AEC-Q100 1 級應(yīng)用的開發(fā)。三星代工計劃到 2024 年將產(chǎn)品組合擴大到 14 納米，到 2026 年擴大到 8 納米，到 2027 年擴大到 5 納米。uusesmc

與之前的 14 納米技術(shù)相比，三星 8 納米 eMRAM 解決方案的密度提高了 30%，速度提高了 33%。uusesmc

從創(chuàng)新到傳統(tǒng)的汽車工藝解決方案

該公司公布了其先進工藝路線圖，并強調(diào)計劃到 2026 年完成汽車應(yīng)用 2nm 工藝的量產(chǎn)能力。三星電子還通過擴展其 8 英寸 BCD（雙極 CMOS-DMOS）工藝組合來加強其滿足客戶需求的承諾。uusesmc

BCD 工藝在一顆芯片上結(jié)合了三種不同工藝技術(shù)的優(yōu)勢：雙極 (B)、CMOS (C) 和 DMOS (D)，最常用于功率半導(dǎo)體的制造。三星電子計劃到 2025 年將其當(dāng)前的 130 納米汽車 BCD 產(chǎn)品組合擴展到 90 納米。90nm BCD工藝預(yù)計比130nm工藝減少20%的芯片面積。uusesmc

通過采用深溝槽隔離 (DTI) 技術(shù)，縮短每個晶體管之間的距離，從而提高功率密度，三星代工廠將能夠在高達 120V 而不是僅 70V 的電壓下工作，從而擴展了廣泛的可能應(yīng)用。這將使該公司能夠在 2025 年之前提供能夠支持高達 120V 的 130nm BCD 工藝的工藝開發(fā)套件 (PDK)。uusesmc

通過先進封裝聯(lián)盟進行“超越摩爾”創(chuàng)新

三星與其 SAFE 合作伙伴以及內(nèi)存、封裝基板和測試領(lǐng)域的主要參與者合作，完成了多芯片集成 (MDI) 聯(lián)盟的創(chuàng)建。uusesmc

作為由 20 個合作伙伴組成的全行業(yè)合作伙伴關(guān)系的一部分，三星是開發(fā) 2.5D 和 3D 封裝解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，這些解決方案專為從汽車到高性能計算 (HPC) 的所有應(yīng)用而定制。uusesmc