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都是7納米,臺積電、三星、英特爾和中芯國際的有什么不同?

都是7納米,臺積電、三星、英特爾和中芯國際的有什么不同?

7納米,這個數(shù)量詞一夜間因?yàn)槿A為Mate?60系列的發(fā)布,再度映入人們的眼簾。

之所以說是“再度”,是因?yàn)閷θ虬雽?dǎo)體頂尖玩家來說,7nm已經(jīng)是2018/2019年的事情了,而對我們來說,全面量產(chǎn)之路似乎才剛剛開始。不過,也正好借這個機(jī)會,梳理對比一下臺積電、三星、英特爾和中芯國際各自7nm工藝的差異和演進(jìn)路線,做到“溫故知新,心中有數(shù)。”3R3esmc

臺積電

臺積電早在2017年就率先進(jìn)入7nm時(shí)代,并從2018年4月開始大規(guī)模量產(chǎn),N7產(chǎn)品采用DUV(深紫外光)193nm浸沒式ArF技術(shù),柵極間距57nm,標(biāo)準(zhǔn)單元高度為6 Track,被廣泛地應(yīng)用在了高通驍龍855、蘋果A12、華為海思Kirin 990、AMD Zen 2這些SoC產(chǎn)品上。到2020年底,臺積電在7nm節(jié)點(diǎn)上就獲得了超過200個新產(chǎn)品流片(NTO),累計(jì)生產(chǎn)7nm芯片超過10億顆。3R3esmc

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從WikiChip分享的信息來看,臺積電的N7工藝有兩種Cell方案,分別對應(yīng)低功耗與高性能,其中,低功耗N7每平方毫米百萬晶體管為91.2(即91.2MTr/mm²),高性能N7每平方毫米百萬晶體管為65(即65MTr/mm²)。3R3esmc

隨后,臺積電又推出了得到蘋果A13和驍龍865使用的N7P工藝,以及使用EUV(極紫外線)技術(shù)的N7+工藝。按照臺積電的說法,得益于4層EUV工藝,N7+有著1.2倍的晶體管密度提升,相同功耗下提升10%性能,相同性能下降低15%功耗,當(dāng)時(shí)的海思Kirin 990 5G版芯片也因此獲益。3R3esmc

N7之后,2019年下半年,臺積電又推出了與7nm工藝平臺完全兼容的6nm工藝,一方面希望用更先進(jìn)的工藝來實(shí)現(xiàn)更高的邏輯密度,另一方面又便于客戶很容易的將7nm設(shè)計(jì)移植到6nm平臺之上。數(shù)據(jù)顯示,N6平臺在邏輯密度方面的提升接近20%。3R3esmc

三星

三星當(dāng)時(shí)在7nm工藝上走的更加激進(jìn),直接采用了EUV技術(shù)。新工藝減少了20%的光罩流程,另外還達(dá)成40%面積縮小、20%性能增加與55%的功耗降低目標(biāo)。此外,EUV的加入還帶來了更高的圖案保真度、更緊致的關(guān)鍵尺寸分布等特性。但很遺憾,目前為止,EUV還是我們的“卡脖子”的領(lǐng)域。3R3esmc

WikiChip的數(shù)據(jù)顯示,三星7nm LPP HD高密度cell方案的晶體管密度在95.08 MTr/mm²,而HP高性能方案的晶體管密度則在77.01 MTr/mm²,總體感覺是相比臺積電N7工藝略有優(yōu)勢,但不及同樣用上了EUV的N7+。3R3esmc

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2020年公布的三星foundry工藝演進(jìn)路線3R3esmc

英特爾

2021年,英特爾認(rèn)為基于納米的傳統(tǒng)制程節(jié)點(diǎn)命名方法,不再與晶體管實(shí)際的柵極長度相對應(yīng),為此引入了全新的制程節(jié)點(diǎn)命名體系。3R3esmc

按照當(dāng)時(shí)的規(guī)劃,此前被稱之為7納米的工藝改稱Intel 4,完全采用EUV光刻技術(shù),可使用超短波長的光,刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及芯片面積的改進(jìn),Intel 4在2022年下半年投產(chǎn),并于2023年出貨,這些產(chǎn)品包括面向客戶端的Meteor Lake和面向數(shù)據(jù)中心的Granite Rapids。3R3esmc

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中芯國際

目前關(guān)于中芯國際7納米的資料不多,一些已知的消息顯示,SMIC N+1 7nm技術(shù)最早之前用于MinerVA7 Bitcoin Miner ASIC應(yīng)用,產(chǎn)量較小,在典型的邏輯電路中引入更高Vt值晶體管是亮點(diǎn)之一。之后,為了降低工藝復(fù)雜性和提高產(chǎn)量,中芯國際還引入了一些協(xié)同優(yōu)化技術(shù),可能會用于后續(xù)工藝節(jié)點(diǎn)。3R3esmc

但不管怎樣,臺積電從16nm到10nm再到7nm,用了3年時(shí)間;三星從14nm到10nm再到7nm用了5年時(shí)間,而中芯國際僅用2年時(shí)間就取得了7nm的成就,而且還是在無法獲得西方先進(jìn)設(shè)備和技術(shù)的情況下,為建立完全國內(nèi)先進(jìn)的SoC設(shè)計(jì)和制造生態(tài)系統(tǒng)打開了大門,是一件值得驕傲的事情。3R3esmc

責(zé)編:Elaine
本文為國際電子商情原創(chuàng)文章,未經(jīng)授權(quán)禁止轉(zhuǎn)載。請尊重知識產(chǎn)權(quán),違者本司保留追究責(zé)任的權(quán)利。
邵樂峰
ASPENCORE中國區(qū)首席分析師。
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