美國(guó)國(guó)防部 (DOD) 已經(jīng)撥出了數(shù)十億美元用于未來(lái)五年的微電子研發(fā)，支持國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用。五年內(nèi)的投資額將在2024年達(dá)到高峰，并在 2027 年之前都保持高水平。JQXesmc
如下圖所示，微電子研究、開(kāi)發(fā)、測(cè)試和評(píng)估的預(yù)算預(yù)計(jì)將增加。JQXesmc
- 對(duì)于軍民兩用（商業(yè)和國(guó)防，下圖中Dual use所示）技術(shù)研究，國(guó)防部用于微電子設(shè)備、工藝和支持基礎(chǔ)設(shè)施的預(yù)算將從 2022 年的 5.31 億美元躍升至 2023 年的約 11 億美元。
- 對(duì)于定制技術(shù)（主要是國(guó)防應(yīng)用，下圖中Custom所示），預(yù)算將從 8.64 億美元增至 9.14 億美元，增幅較小。
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圖：用于微電子研究、開(kāi)發(fā)、測(cè)試和評(píng)估的預(yù)算，單位：百萬(wàn)美元。圖源：麥肯錫。JQXesmc
公開(kāi)信息表明，國(guó)防部將在三個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行大量持續(xù)投資：JQXesmc
- 可信微電子。旨在確保國(guó)防部能夠以商業(yè)規(guī)模獲得安全、尖端的軍民兩用微電子。雖然用于這部分的投資仍然很高，但預(yù)計(jì)會(huì)隨著時(shí)間的推移而下降。
——該部分目標(biāo)是通過(guò)與美國(guó)代工廠合作，確保國(guó)防部能夠安全地獲得最先進(jìn)的商業(yè)微電子產(chǎn)品。這些合作伙伴關(guān)系將主要通過(guò) Trusted Foundry 計(jì)劃形成，JQXesmc
- 定制可靠器件。將持續(xù)投資于針對(duì)國(guó)防特定操作環(huán)境的、新的定制和可靠器件（例如邏輯和內(nèi)存）的研發(fā)。
——有超過(guò) 9 億美元的資金將分配給商業(yè)產(chǎn)品未涵蓋的國(guó)防特定要求產(chǎn)品。超過(guò) 4.5 億美元的資金用于全新設(shè)備，例如國(guó)防應(yīng)用的可編程邏輯 (PLAID)，以及處理和晶體管設(shè)計(jì)，例如鐵電計(jì)算。定制射頻 (RF) 研發(fā)的資金水平略低反映了氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的成熟度。為下一代通信、傳感器和非動(dòng)力學(xué)效應(yīng)提供動(dòng)力的下一代超寬禁帶 (UWBG) 材料的新興資金仍然相對(duì)較少。JQXesmc
- 封裝與集成技術(shù)。為封裝和集成生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)建基礎(chǔ)設(shè)施，這將有助于國(guó)防部發(fā)展在美國(guó)集成定制和軍民兩用電子產(chǎn)品所需的能力。
——美國(guó)國(guó)防部已撥款約 5.6 億美元用于定制和兩用的封裝和集成技術(shù)。主要集中于將傳統(tǒng)的硅邏輯與新型射頻、光子學(xué)或化合物半導(dǎo)體相集成——即三維異構(gòu)集成 (3DHI)。JQXesmc
下圖顯示了美國(guó)國(guó)防部2023年以后的預(yù)算細(xì)則，一些領(lǐng)域的支出減少，而其他領(lǐng)域的承諾增加。圓圈大小代表投資金額多少。JQXesmc
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到 2027 年，CHIPS 為美國(guó)國(guó)防基金提供的國(guó)防專(zhuān)用撥款將達(dá)到 20 億美元。擁有專(zhuān)屬代工廠的無(wú)晶圓廠或傳統(tǒng)航空航天企業(yè)或從中獲益。JQXesmc
責(zé)編：Echo
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