2023年5月17日，上交所官網發(fā)布信息顯示，華虹半導體有限公司(以下簡稱華虹半導體或華虹)科創(chuàng)板IPO已獲上市委審議通過。USVesmc

　　5月10日，上交所官網披露華虹半導體科創(chuàng)板首次公開發(fā)行股票招股書(上會稿)文件顯示，發(fā)行人本次發(fā)行擬募集資金 180 億元，其中華虹制造(無錫)項目擬使用募集資金125億元，占擬募集資金總額的比例為 69.44%。8 英寸廠優(yōu)化升級項目、 特色工藝技術創(chuàng)新研發(fā)項目和補充流動資金擬使用募集資金分別為20億元、25億元和10億元，占擬募集資金總額的比例分別為11.11%、13.89%和5.56%。USVesmc

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　　招股書信息顯示，華虹制造(無錫)項目的實施主體為華虹制造，發(fā)行人已對本次募投項目進行了充分的分析和論證，但該可行性分析是基于當前市場環(huán)境、發(fā)行人現(xiàn)有業(yè) 務狀況和未來發(fā)展戰(zhàn)略等因素形成的，若前述因素發(fā)生重大變化，比如未來實施 主體的股權結構因各種原因發(fā)生變更，可能導致對實施主體的公司治理和經營管 理造成不利影響；華虹制造(無錫)項目預計總投資額為67億美元，其中 40.2 億美元將由該項目實施主體各股東以增資方式向華虹制造投入資金，剩余 26.8 億美元將以債務融資方式籌集。而發(fā)行人持有華虹制造 51%股權，需要以增資方 式向華虹制造投入 20.5 億美元，發(fā)行人出資來源為本次發(fā)行的募集資金和自有資金。USVesmc

　　此外，文件信息還顯示，如發(fā)行人本次發(fā)行的募集資金不足，或自有資金未能及時到位，或相關銀行未能及時提供貸款資金，可能導致項目資金無法及時到位。 對于其他三個募投項目，如本次發(fā)行募集資金不足，也可能導致項目資金無 法及時到位。USVesmc

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　　主營業(yè)務收入情況

　　招股書文件顯示，2022年，華虹半導體營業(yè)收入為167.86億元，歸母所有者的凈利潤為30.09億元，扣除非經常性損益的歸母所有者的凈利潤為25.7億元。USVesmc

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　　作為全球領先的特色工藝晶圓代工企業(yè)，也是行業(yè)內特色工藝平臺覆蓋最全面的晶圓代工企業(yè)，華虹半導體立足于先進“特色 IC+功率器件”的戰(zhàn)略目標，提供包括嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理、邏輯與射頻等多元化特色工藝平臺的晶圓代工及配套服務。USVesmc

　　據披露數據顯示，在華虹半導體2022年主要收入構成中，功率器件、嵌入式非易失性存儲器、模擬與電源管理、 邏輯與射頻、獨立式非易失性存儲等業(yè)務營收金額分別為52.26億元、52.05億元、30.13億元、18.23億元、13.86億元，占比分別為31.36%、31.23%、18.08%、10.94%、8.31%。USVesmc

發(fā)行人按照工藝 平臺分類的主營業(yè)務收入構成情況USVesmc

　　主營業(yè)務及主營產品情況

　　招股書顯示，根據 IC Insights 發(fā)布的 2021 年度全球晶 圓代工企業(yè)排名中，華虹半導體位居第六位，中國大陸第二位。該公司在報告期內的業(yè)務增長均高于同行標桿企業(yè)或全球行業(yè)平均，同時，其也是全球領先、中國大陸排名第一的特色工藝晶圓代工企業(yè)。USVesmc

　　比如，在嵌入式非易失性存儲器領域，該公司是全球最大的智能卡 IC 制造代工企業(yè)以及國內最 大的 MCU 制造代工企業(yè)；在功率器件領域，該公司是全球產能排名第一的功率器件晶圓代工企業(yè)，也是唯一一家同時具備 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企業(yè)。USVesmc

根據市場需求與技術發(fā)展方向，華虹不斷推出多樣化且具有市場競爭力的特色工藝平臺（招股書）USVesmc

　　此外，根據披露信息顯示，華虹半導體目前有三座 8 英寸晶圓廠和一座 12 英寸晶圓廠，其主要向客戶提供 8 英寸及 12 英寸晶圓的特色工藝代工服務，在不同工藝平臺上，按照客戶需求為其制造多種類的半導體產品；同時為客戶提供包括 IP 設計、測試等配套服務。USVesmc

　　截至 2022 年末，上述生產基地的產能合計達到 32.4 萬片/月(約當 8 英寸)，總產能位居中國大陸第二位。USVesmc

　　晶圓代工服務USVesmc

　　華虹半導體堅持布局與持續(xù)發(fā)展特色工藝技術平臺，在 0.35µm 至 90nm 工藝節(jié)點 的8英寸晶圓代工平臺，以及90nm到55nm工藝節(jié)點的12英寸晶圓代工平臺上， 覆蓋了上述嵌入式/獨立式非易失性存儲器、功率器件、模擬與電源管理、傳感 器等各類工藝平臺產品的晶圓代工服務，是行業(yè)內特色工藝平臺覆蓋最全面的企業(yè)。USVesmc

　?、偾度胧?獨立式非易失性存儲器USVesmc

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　　在嵌入式非易失性存儲器平臺，該公司主要的代工產品為 MCU(可根據應用 領域細分為車規(guī) MCU、工控類 MCU、消費類 MCU 等)以及智能卡芯片，依靠長期的技術創(chuàng)新和經驗積累形成了覆蓋 8 英寸 0.35µm-90nm 和 12 英寸 90nm-55nm 的嵌入式非易失性存儲器代工方案，同等工藝節(jié)點下，在制造工藝光刻層次以及嵌入式閃存 IP 擦寫次數等參數方面擁有獨特的優(yōu)勢。USVesmc

　　在車規(guī) MCU 領域，該公司的代工產品成功在車身電子、自動泊車、 智能座艙、胎壓監(jiān)測等領域得到廣泛應用;同時，其打造了 0.18µm-90nm 超 低漏電以及 0.18µm-55nm 低功耗嵌入式閃存等業(yè)內領先的工藝平臺，其代工產 品廣泛應用于智能電網、醫(yī)療電子等工控類 MCU 領域以及智能互聯(lián)設備、物聯(lián) 網等消費類 MCU 領域。USVesmc

　　同時，根據 TrendForce 及 ABI Research 的行業(yè)數據，該公司還是全球最大的智能卡 IC 制造代工企業(yè)，在全球 SIM 卡及銀行 IC 卡、國內 二代身份證及社保卡領域的市場占有率處于領先地位。USVesmc

　　在獨立式非易失性存儲器平臺，該公司主要的代工產品包括 NOR Flash 與 EEPROM，多數種類的電子設備均需要使用獨立式非易失性存儲器，應用領域極其廣泛，覆蓋工業(yè)、白色家電、汽車電子以及各類低功耗物聯(lián)網設備等。以 TWS 耳機為代表的可穿戴設備、手機屏幕顯示的 AMOLED 和 TDDI 技術，智能物聯(lián)網，以及功能越來越豐富的車載電子等領域將是未來市場空間的主要增長點。USVesmc

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　　在功率器件領域，根據 TrendForce 的公布數據，該公司擁是全球產能排名第一的功率器件晶圓代工企業(yè)，也是唯一一家同時具備 8 英寸以及 12 英寸功率器件代工能力的企業(yè)。該公司的功率器件種類豐富度行業(yè)領先，自主研發(fā)的深溝槽式超級結 MOSFET、IGBT 等工藝技術完成了從 8 英寸至 12 英寸的升級，推動了中國本土功率器件全產業(yè)鏈的發(fā)展。USVesmc

　　此外，該公司的超級結 MOSFET 工藝平臺的導通電阻、功率密度等均達到全球領先 水平，相應電壓范圍可以涵蓋 200-900V，電流范圍涵蓋 1-100A，高度契合當前 熱門的大功率快充電源、LED 照明電源、數據中心電源及新能源汽車充電樁及 車載充電機等高端應用需求;公司的IGBT工藝平臺產品具有大電流、高可靠性、 小尺寸等特點，產品應用于新能源汽車以及光伏、風能、儲能、變頻家電等新能源領域。USVesmc

　?、勰M與電源管理USVesmc

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　　該公司的模擬與電源管理平臺已自主研發(fā)覆蓋8 英寸 0.35µm-0.11µm 以及 12 英寸 90nm-55nm 等多代 BCD 工藝平臺，器件 種類涵蓋中低壓、高壓以及超高壓等各類產品(1.5V-700V)，是全球領先的模擬 與電源管理工藝技術提供商，產品主要應用于工業(yè)和汽車電子以及模擬電源、模 擬音頻功放、電機驅動、數字電源、數字音頻功放、照明控制驅動等各類消費電 子等領域。USVesmc

　?、苓壿嬇c射頻USVesmc

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　　該公司的邏輯與射頻工藝平臺主要包括特色邏輯射頻工藝產品和圖像傳感器， 是中國國內主要的射頻及圖像傳感器技術制造方案提供商。USVesmc

　　除晶圓代工外，該公司還圍繞晶圓代工做配套服務，比如IP 設計ヽ測試及晶圓后道加工服務。USVesmc

　　①IP 設計服務：以嵌入式非易失性存儲器領域為例，公司根據多年的技術積累，依托自身豐 富的嵌入式存儲器 IP 設計經驗、以及工藝整合和 IP 模塊測試等方面的綜合能力， 可根據客戶的需求，為客戶提供量身定做的嵌入式非易失性存儲器 IP，以實現(xiàn) 更小的面積、更快的速度、更低的功耗等競爭優(yōu)勢。USVesmc

　?、跍y試服務：公司具有完善的自有測試系統(tǒng)，為客戶提供部分特色工藝產品的測試程序開 發(fā)和晶圓量產測試服務，從產品設計時的可測試性設計、產品測試評價及量產測 試系統(tǒng)的開發(fā)，到外協(xié)的封裝測試支持，公司為客戶提供全方位的測試技術解決 方案。USVesmc

　?、劬A后道加工服務：公司為客戶提供晶圓后道減薄加工服務，晶圓減薄在集成電路堆疊封裝技術 的提升及功率器件電學特性的提升方面起到了關鍵作用。公司擁有行業(yè)領先的技 術研發(fā)團隊和量產平臺，具備突出的晶圓背面加工能力，特別在 IGBT 等功率器 件工藝平臺的背面加工工藝(如超薄片減薄、背面離子注入、背面激光退火、背 面金屬、背面光刻等)方面擁有自研專利技術，幫助產品優(yōu)化電學性能。USVesmc

　　與國際龍頭企業(yè)存在差距的風險

　　在招股書中，華虹半導體稱，目前全球晶圓代工技術已發(fā)展至較高水平，以臺積電為代表的國際龍頭企業(yè) 已實現(xiàn) 5nm 及以下工藝節(jié)點量產，聯(lián)華電子、格羅方德等企業(yè)亦已將工藝節(jié)點 推進至14nm及以下水平，而發(fā)行人目前工藝節(jié)點尚處于55nm的成熟制程范圍， 與國際龍頭企業(yè)及先進工藝節(jié)點存在較大差距。USVesmc

　　與業(yè)內領先者相比，華虹在產線數量、營業(yè)收入存在較大差距，因此在工藝平臺覆蓋、代工產品種類上亦會受到影響，這對該公司爭奪先進工藝節(jié)點下的高端晶圓代工市場、提升規(guī)模經濟效應、產品議價能力及市場競爭力帶來不利影響。 同時，受地緣政治等因素影響，差距可能在中短期內無法消除，如該公司無法持續(xù)進行工藝進步與技術創(chuàng)新，將導致與國際主流廠商差距擴大。USVesmc