在過去一年多時(shí)間里，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了劇烈的價(jià)格調(diào)整，再加上市場(chǎng)需求逐步回升、庫(kù)存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉(zhuǎn)機(jī)——預(yù)計(jì)今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來(lái)新的增長(zhǎng)。fF3esmc

截至今年Q1，存儲(chǔ)市場(chǎng)有了更多的動(dòng)態(tài)，伴隨存儲(chǔ)技術(shù)、互連標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展，存儲(chǔ)應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展出現(xiàn)新的趨勢(shì)。本文通過整理分析最近的存儲(chǔ)行情，總結(jié)了最新的行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀。fF3esmc

現(xiàn)狀一：本輪下跌周期或于今年Q2觸底

2022年，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模下降15%，達(dá)到1,392億美元。其中，NAND Flash約為600億美金，DRAM約為在790億美金。2022年全球NAND總生產(chǎn)量為6,100億GB當(dāng)量，同比上漲6%，DRAM總生產(chǎn)量約1,900億GB當(dāng)量，同比僅增長(zhǎng)2%。fF3esmc

深圳市閃存市場(chǎng)資訊有限公司總經(jīng)理邰煒認(rèn)為，以上幾組數(shù)字代表著存儲(chǔ)器件總生產(chǎn)量增幅正在放緩。他指出，本輪存儲(chǔ)市場(chǎng)的發(fā)展主要可細(xì)分為幾個(gè)階段：fF3esmc

• 2020年2月至9月，新冠疫情初期，隨著疫情開始發(fā)酵，導(dǎo)致市場(chǎng)停滯；
• 2020年9月至2021年Q3初期，疫情進(jìn)入新常態(tài)，線上經(jīng)濟(jì)蓬勃發(fā)展，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求火熱，業(yè)內(nèi)出現(xiàn)大規(guī)模采購(gòu)、囤貨需求；
• 2021年Q3至2022年Q1，因結(jié)構(gòu)供需失調(diào)等原因，存儲(chǔ)器價(jià)格開始下滑，2022年Q1，鎧俠工廠出現(xiàn)短暫的價(jià)格波動(dòng)；
• 2022年Q1到現(xiàn)在，因后續(xù)再疊加疫情封控，全球經(jīng)濟(jì)不景氣等因素，存儲(chǔ)價(jià)格進(jìn)入全面下跌，原廠的存儲(chǔ)器價(jià)格幾乎跌到了成本價(jià)。

2022年Q4，很多廠商開始進(jìn)入虧損狀態(tài)，為了減緩虧損的態(tài)勢(shì)，它們開始主動(dòng)或者被動(dòng)減產(chǎn)。對(duì)此，市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)計(jì)，今年第二季DRAM均價(jià)跌幅將收斂至10%-15%(第一季跌幅近20%）。fF3esmc

今年Q1，全球三大存儲(chǔ)巨頭的表現(xiàn)如何？fF3esmc

美光2023財(cái)年第二財(cái)季財(cái)報(bào)(截至2023年3月2日)顯示，在這一財(cái)季美光虧損多達(dá)23.12億美元。因此，美光進(jìn)一步減少了DRAM和NAND產(chǎn)能，截至3月底已減產(chǎn)約25%。fF3esmc

三星最新季度財(cái)報(bào)(截至今年3月)顯示，公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比驟降95%，至6,000億韓元，銷售額也減少到63萬(wàn)億韓元。因DRAM市場(chǎng)持續(xù)下滑，三星啟動(dòng)了DRAM減產(chǎn)，主要涉及到DDR4為代表的通用產(chǎn)品。fF3esmc

分析師預(yù)計(jì)，SK海力士2023年Q1營(yíng)收或降至3.96萬(wàn)億韓元，環(huán)比下滑49%，運(yùn)營(yíng)虧損4.02萬(wàn)億韓元，折合約30.56億美元，凈虧損4.21萬(wàn)億韓元，折合約32億美元。雖有機(jī)構(gòu)透露稱，SK海力士已經(jīng)開始減產(chǎn)，但今年3月底，SK海力士CEO樸正浩強(qiáng)調(diào)，2023年公司將削減一半資本支出，但不會(huì)削減產(chǎn)量。fF3esmc

再關(guān)注中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)，今年Q1中國(guó)市場(chǎng)全面解封之后，存儲(chǔ)行業(yè)并未迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。此時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)面臨著中國(guó)本土需求恢復(fù)不如預(yù)期，海外需求嚴(yán)重受通脹制約，產(chǎn)業(yè)鏈上下游充斥著高庫(kù)存的情況。不過，邰煒認(rèn)為，在過去一年多時(shí)間里，存儲(chǔ)行業(yè)經(jīng)歷了劇烈的價(jià)格調(diào)整，再加上市場(chǎng)需求逐步回升、庫(kù)存壓力得到釋放，今年下半年有可能將面臨轉(zhuǎn)機(jī)——預(yù)計(jì)今年Q2下跌行情將觸底，緊接著在Q3將迎來(lái)新的增長(zhǎng)。fF3esmc

現(xiàn)狀二：車用存儲(chǔ)和服務(wù)器存儲(chǔ)備受關(guān)注

目前，存儲(chǔ)芯片的三大市場(chǎng)為手機(jī)市場(chǎng)、PC市場(chǎng)、服務(wù)器市場(chǎng)，前兩大市場(chǎng)在過去一年里遭遇了需求疲軟，服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)存儲(chǔ)的需求仍呈正增長(zhǎng)。據(jù)IDC預(yù)測(cè)，2025年的全球數(shù)據(jù)總量將達(dá)175ZB。這意味著，數(shù)據(jù)中心服務(wù)器存儲(chǔ)將有很大的發(fā)展空間。該機(jī)構(gòu)還預(yù)測(cè)顯示，到2024年，中國(guó)分布式存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)24.6億美元，成為企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力之一。隨著“東數(shù)西算”工程的推進(jìn)，海量存儲(chǔ)系統(tǒng)規(guī)?；渴鸬男枨笾粫?huì)更大，存儲(chǔ)PB級(jí)數(shù)據(jù)將會(huì)常態(tài)化，其技術(shù)難度也將會(huì)越來(lái)越高。fF3esmc

ChatGPT在2022年Q4爆火，推動(dòng)了AI訓(xùn)練模型的應(yīng)用落地。AI訓(xùn)練模型需要更大算力的支持，對(duì)AI服務(wù)器提出更多的需求。美光科技在FY23Q2電話會(huì)議中表示，預(yù)計(jì)到2023年年底，數(shù)據(jù)中心庫(kù)存將達(dá)到相對(duì)健康的水平，技術(shù)層面關(guān)注AI服務(wù)器、CXL、HBM、DDR5的機(jī)會(huì)，AI服務(wù)器需要的DRAM、NAND內(nèi)容量分別是常規(guī)服務(wù)器的8倍、3倍。fF3esmc

除了數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用之外，新能源汽車的應(yīng)用也值得關(guān)注。雖然與消費(fèi)類存儲(chǔ)相比，車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)的市場(chǎng)規(guī)模還相對(duì)較小，但在汽車智能化、網(wǎng)聯(lián)化的時(shí)代大背景下，這一存儲(chǔ)類型將有很大的市場(chǎng)空間。佐思汽研數(shù)據(jù)顯示，2021年全球汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模約為45億美元，僅為智能手機(jī)存儲(chǔ)市場(chǎng)的十分之一；到2027年，全球汽車存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模將超過125億美元，2021-2027年期間的復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到18.6%。fF3esmc

總而言之，數(shù)據(jù)中心和汽車為存儲(chǔ)的發(fā)展指了一條明路，業(yè)內(nèi)許多玩家均爭(zhēng)先在這兩個(gè)領(lǐng)域布局。此前，一些主要聚焦消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)的廠商也向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)或車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)進(jìn)軍，比如西部數(shù)據(jù)、希捷科技、江波龍電子等，這類廠商在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)賽道已經(jīng)打好基礎(chǔ)，近幾年也紛紛布局企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)、車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)賽道，并在新領(lǐng)域推出了量產(chǎn)的新品和方案。fF3esmc

現(xiàn)狀三：國(guó)際原廠加大對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的投資

中國(guó)既是全球最大的新能源汽車市場(chǎng)，又是全球重要的數(shù)據(jù)中心需求市場(chǎng)之一，這支撐中國(guó)的車用/服務(wù)器存儲(chǔ)市場(chǎng)也有很好的發(fā)展機(jī)遇。所以，全球汽車電子供應(yīng)商、數(shù)據(jù)中心服務(wù)商，以及存儲(chǔ)器件供應(yīng)商都越來(lái)越重視中國(guó)市場(chǎng)。fF3esmc

近年來(lái)，一些存儲(chǔ)大廠在進(jìn)一步聚焦中國(guó)市場(chǎng)，西部數(shù)據(jù)在上海設(shè)立了半導(dǎo)體工廠和解決方案賦能中心，以更好地支持中國(guó)本土客戶；鎧俠針對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的具體要求，設(shè)計(jì)了相應(yīng)產(chǎn)品開發(fā)機(jī)制和體系。fF3esmc

另外，隨著大家日益重視數(shù)據(jù)安全問題，中國(guó)市場(chǎng)也在積極發(fā)展本土存儲(chǔ)供應(yīng)鏈，圍繞長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等廠商，正在形成國(guó)產(chǎn)化存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈條。這意味著，跨國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)不僅要面對(duì)本土存儲(chǔ)廠商的競(jìng)爭(zhēng)，還面臨著其他國(guó)際品牌廠商的競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，受國(guó)際關(guān)系、地緣政治因素影響，中國(guó)客戶可能會(huì)擔(dān)憂“供應(yīng)鏈全球化”可能會(huì)受各國(guó)政策影響，導(dǎo)致最終交貨不及時(shí)，甚至出現(xiàn)斷供。fF3esmc

2023年3月31日，中國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室發(fā)布通知稱：為保障關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施供應(yīng)鏈安全，防范產(chǎn)品問題隱患造成網(wǎng)絡(luò)安全風(fēng)險(xiǎn)，維護(hù)國(guó)家安全，依據(jù)《中華人民共和國(guó)國(guó)家安全法》《中華人民共和國(guó)網(wǎng)絡(luò)安全法》，網(wǎng)絡(luò)安全審查辦公室按照《網(wǎng)絡(luò)安全審查辦法》，對(duì)美光公司(Micron)在華銷售的產(chǎn)品實(shí)施網(wǎng)絡(luò)安全審查。fF3esmc

現(xiàn)在，中國(guó)對(duì)美光的審查正在進(jìn)行中，暫不知曉后續(xù)將有怎樣的走向。不過，這給業(yè)界拉響一個(gè)警鐘，任何供應(yīng)鏈都不會(huì)100%安全。當(dāng)然，以韓日美系為主的存儲(chǔ)原廠在中國(guó)市場(chǎng)仍占據(jù)領(lǐng)導(dǎo)地位。主要原因在于，中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)的自身造血能力有限，需依靠國(guó)家層面的支持。因此，從這一方面來(lái)分析，國(guó)際存儲(chǔ)廠商在中國(guó)仍有較大的發(fā)展空間。fF3esmc

現(xiàn)狀四：3D NAND突破200層，1βDRAM已出貨

在存儲(chǔ)技術(shù)方面，NAND和DRAM都有了新升級(jí)。fF3esmc

3D NAND技術(shù)平均每一年升級(jí)一個(gè)版本，但因去年全球存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)遇冷，頭部廠商放慢了技術(shù)更新迭代的速度，部分企業(yè)更新速度有所減慢。截至2023年4月中旬，存儲(chǔ)廠商的3D NAND陸續(xù)升級(jí)到了200層。與上一代的176層相比，200層的存儲(chǔ)密度約提升40%。fF3esmc

在NAND架構(gòu)方面，各架構(gòu)的代表廠商均有新升級(jí)。V-NAND代表廠商是三星，2022年11月，三星量產(chǎn)了200層以上的第八代1 TB的3D NAND(V-NAND)；CuA代表廠商有美光、英特爾，現(xiàn)在美光的232層NAND已出貨；BiCS代表廠商有鎧俠、西部數(shù)據(jù)等，2023年4月，鎧俠和西部數(shù)據(jù)聯(lián)合研發(fā)的218層3D NAND閃存產(chǎn)品進(jìn)入送樣階段；4D PUC代表廠商SK海力士，SK海力士238層4D NAND閃存預(yù)計(jì)今年上半年開始量產(chǎn)；Xtacking代表廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，該公司也在進(jìn)一步推動(dòng)量產(chǎn)。fF3esmc

在DRAM方面，行業(yè)已經(jīng)擁有3家1X節(jié)點(diǎn)的制造商，其存儲(chǔ)容量超過4Gb，他們?nèi)栽谥圃炀哂邢嗤渲玫拇鎯?chǔ)cell，包括一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器。三星、SK海力士、美光在2016-2017年進(jìn)入1Xnm(16nm-19nm)階段，2018-2019年進(jìn)入1Ynm(14nm-16nm)，2020年處于1Znm(12nm-14nm)時(shí)代。fF3esmc

10nm已進(jìn)入第四階段，三星已于2020年上半年完成首批1anm制程DRAM的出貨，2021年美光、SK海力士也開始量產(chǎn)第四代10nm級(jí)DRAM產(chǎn)品。2022年年底，美光新一代1βDRAM已經(jīng)出貨，SK海力士1β工藝DRAM于2023年Q1進(jìn)入合作伙伴驗(yàn)證階段。據(jù)DRAM的發(fā)展路徑，后續(xù)的行業(yè)廠商將朝著1α、1β、1γ等技術(shù)新階段發(fā)展。fF3esmc

去年，很多DRAM廠商發(fā)布了新品，但是后面制程不斷發(fā)展可能會(huì)對(duì)半導(dǎo)體制程推進(jìn)形成阻礙。對(duì)此，業(yè)界正通過采用EUV設(shè)備生產(chǎn)、3D DRAM技術(shù)、或先進(jìn)封裝等方式，來(lái)試圖突破DRAM的技術(shù)阻礙。fF3esmc

現(xiàn)狀五：存儲(chǔ)行業(yè)的互連標(biāo)準(zhǔn)正趨于統(tǒng)一

除了NAND和DRAM的技術(shù)發(fā)展以外，存儲(chǔ)行業(yè)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)也有趨于統(tǒng)一的趨勢(shì)。2021年11月，CXL合并Gen-Z，將其所有規(guī)范和資產(chǎn)轉(zhuǎn)移給CXL，并且雙方聯(lián)盟成員日后將專注于CXL這唯一標(biāo)準(zhǔn)。合并后的CXL聯(lián)盟更加壯大，不僅包括內(nèi)存廠商、IP廠商、加速器廠商等，還包括CPU廠商。fF3esmc

在使用案例方面，第一波CXL用例將是服務(wù)器本身通過CXL的端口進(jìn)行內(nèi)存擴(kuò)展。未來(lái)，分解的內(nèi)存池可以通過CXL交換機(jī)與服務(wù)器主機(jī)連接，從而實(shí)現(xiàn)更可組合的基礎(chǔ)架構(gòu)，提高系統(tǒng)利用率。?隨著時(shí)間的推移，CXL將能在閃存中得到應(yīng)用。fF3esmc

如果說(shuō)CXL打造的是CPU和外部的連接架構(gòu)，UCIe則可打造芯片內(nèi)部的架構(gòu)?，F(xiàn)在行業(yè)內(nèi)已經(jīng)有一些廠商在推CXL+UCIe的概念。根據(jù)設(shè)想，通過Chiplet(芯粒)之間的互連接口標(biāo)準(zhǔn)，打造一個(gè)開放性的Chiplet生態(tài)系統(tǒng)，CXL+UCIe可組合成計(jì)算+互聯(lián)的芯片，同時(shí)CXL可以更換，更換IP非常便捷，從而可快速更換應(yīng)用場(chǎng)景。相信在未來(lái)的產(chǎn)品規(guī)劃上也會(huì)考慮行業(yè)的各種趨勢(shì)，以持續(xù)的技術(shù)和存儲(chǔ)產(chǎn)品創(chuàng)新賦能行業(yè)生態(tài)的可持續(xù)發(fā)展，迎接數(shù)字時(shí)代的到來(lái)。fF3esmc