近期，外媒報道，印度信息技術部長阿什維尼·瓦伊什納透露，首款“印度制造”芯片有望于今年9月或10月亮相，同時，印度也正在研發(fā)氮化鎵芯片。rIQesmc
據(jù)悉，印度已向位于班加羅爾的科學研究所 (IISc) 撥款33.4億盧比（約2.8億人民幣），將用于氮化鎵的技術研發(fā)，用于電信和電力領域。rIQesmc
報道指出，IISc的一組跨學科教員已成功研發(fā)了印度首個電子模式氮化鎵功率晶體管，其性能達到高標準，為氮化鎵技術的產(chǎn)業(yè)化應用奠定了堅實基礎。rIQesmc
今年1月，印度首個碳化硅半導體工廠在奧里薩邦正式奠基，預計三年內(nèi)完成建設，將專注于生產(chǎn)碳化硅等產(chǎn)品，以滿足電力電子、可再生能源系統(tǒng)以及電動汽車的需求。據(jù)悉，該項目由RIR Power Electronics Limited公司打造，總投資額達62億盧比（約25億元人民幣）。rIQesmc
稍早之前，媒體報道，印度國防研究與發(fā)展組織（DRDO）下屬的固體物理實驗室已成功開發(fā)出本土一種工藝，可以生長和制造直徑為4英寸的碳化硅（SiC）晶片。rIQesmc
此外，他們還已制造出功率高達150W的氮化鎵（GaN）HEMT以及功率為40W的單片微波集成電路（MMIC），這些器件能夠在最高X波段頻率的應用中發(fā)揮作用。rIQesmc
責編：Elaine
