人們廣泛關(guān)注的是數(shù)據(jù)中心中AI服務(wù)器所消耗的電力。然而，隨著AI應(yīng)用的日益復(fù)雜，這些AI設(shè)備中硅的整體碳足跡也在不斷攀升。對(duì)高性能計(jì)算的需求，特別是來(lái)自強(qiáng)大的GPU的需求，正急劇增長(zhǎng)。這一需求的激增導(dǎo)致這些芯片的生產(chǎn)量大幅增加，從而加劇了碳排放的增長(zhǎng)。D14esmc
TechInsights發(fā)布的《2025-2030年全球AI GPU碳排放預(yù)測(cè)》免費(fèi)報(bào)告預(yù)測(cè)，從2024年到2030年，基于GPU的AI加速器制造所產(chǎn)生的二氧化碳當(dāng)量（CO2e）排放量將驚人地增長(zhǎng)16倍。到2030年，這些半導(dǎo)體排放預(yù)計(jì)將達(dá)到1920萬(wàn)噸二氧化碳當(dāng)量（MtCO2e），與2024年記錄的121萬(wàn)噸相比形成了鮮明對(duì)比，這代表了58.3%的復(fù)合年均增長(zhǎng)率（CAGR）。D14esmc
推動(dòng)AI GPU碳影響的因素D14esmc
多個(gè)因素共同促成了這一令人擔(dān)憂的趨勢(shì)：D14esmc
硅的巨大需求：AI加速器以其龐大的尺寸為特征，通常需要多個(gè)硅片來(lái)容納大量的處理核心和內(nèi)存。硅需求的增加直接轉(zhuǎn)化為制造過(guò)程中更高的能源消耗和半導(dǎo)體排放。D14esmc
能源密集型的制造：這些大型復(fù)雜芯片的制造涉及諸如光刻和蝕刻等能源密集型工藝，進(jìn)一步加劇了半導(dǎo)體碳足跡。D14esmc
先進(jìn)封裝的復(fù)雜性：雖然先進(jìn)的封裝技術(shù)（如3D堆疊和芯片集成）提高了性能，但它們也增加了生產(chǎn)和測(cè)試階段的復(fù)雜性和能源消耗。D14esmc
HBM和其他因素的作用D14esmc
高帶寬內(nèi)存（HBM）的集成對(duì)于AI加速器的性能至關(guān)重要。然而，支持這些強(qiáng)大GPU所需的HBM堆棧和芯片的數(shù)量不斷增加，顯著地增加了整體半導(dǎo)體排放。D14esmc
重要的是要注意，這一預(yù)測(cè)是一個(gè)保守估計(jì)。向更小工藝節(jié)點(diǎn)（如2納米）的過(guò)渡雖然可能減少每晶體管的排放量，但也帶來(lái)了新的制造挑戰(zhàn)，并且可能無(wú)法顯著抵消芯片尺寸增大所帶來(lái)的影響。D14esmc
緩解環(huán)境影響D14esmc
盡管挑戰(zhàn)重重，但緩解AI加速器生產(chǎn)對(duì)環(huán)境的影響還是有可能的。這包括：D14esmc
采用可再生能源：將制造工廠轉(zhuǎn)向可再生能源可以顯著減少Scope 2的半導(dǎo)體排放。D14esmc
過(guò)程優(yōu)化：持續(xù)改進(jìn)制造工藝，如優(yōu)化光刻技術(shù)和減少化學(xué)品使用，可以最大限度地減少能源消耗和廢物產(chǎn)生。D14esmc
先進(jìn)封裝創(chuàng)新：在封裝技術(shù)方面的進(jìn)一步進(jìn)步，如更高效的互連和減少材料使用，有助于最小化環(huán)境足跡。D14esmc
數(shù)據(jù)中心效率：優(yōu)化數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施，包括改進(jìn)冷卻系統(tǒng)和采用可再生能源替代方案，對(duì)于減少與AI工作負(fù)載相關(guān)的整體能源消耗至關(guān)重要。D14esmc
結(jié)論D14esmc
AI的興起既帶來(lái)了前所未有的機(jī)遇，也帶來(lái)了重大的環(huán)境挑戰(zhàn)。解決AI加速器日益增長(zhǎng)的半導(dǎo)體碳足跡需要一種多方面的方法，涉及供應(yīng)鏈、行業(yè)、學(xué)術(shù)界和政策制定者之間的合作。通過(guò)投資可持續(xù)技術(shù)、優(yōu)化制造過(guò)程和促進(jìn)負(fù)責(zé)任的AI開(kāi)發(fā)，我們可以確保實(shí)現(xiàn)AI的益處，同時(shí)限制其對(duì)環(huán)境的影響。D14esmc
責(zé)編：Elaine
