據(jù)2025年1月16日公布的數(shù)據(jù)，2024年第四季，臺積電合并營收達(dá)到新臺幣8684.61億元，較上年同期的6255.29億元新臺幣增長了38.8%，較前一季度的新臺幣7596.92億元增長了14.3%。這一營收數(shù)據(jù)不僅大幅超出了市場預(yù)期的8547億新臺幣，還創(chuàng)下了歷史新高，進(jìn)一步鞏固了其在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。RlQesmc

若以美元計算，臺積電2024年第四季營收為268.8億美元，較去年同期增加了37.0%，較前一季增加了14.4%。2024年第四季毛利率為59.0%，營業(yè)利益率為49.0%，稅后純益率則為43.1%。RlQesmc

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高性能計算與先進(jìn)制程助力臺積電業(yè)績上升RlQesmc

收入來源方面，臺積電2024年第四季度高性能計算（HPC）業(yè)務(wù)，尤其是GPU領(lǐng)域，貢獻(xiàn)了53%的營收，相較去年同期的43%顯著增長。智能手機(jī)業(yè)務(wù)雖然貢獻(xiàn)了35%的營收，占比有所下降，但依然是臺積電的重要收入來源之一。RlQesmc

在制程工藝方面，2024年第四季度，3nm制程出貨占公司整體晶圓銷售金額的26%，盡管目前不是最主要的收入來源，但作為臺積電最新的技術(shù)平臺，3nm制程的出貨量展示了其巨大潛力，未來有望成為推動公司營收增長的重要動力。5nm制程則占比34%，繼續(xù)保持強(qiáng)勁的市場需求，成為臺積電的營收中流砥柱，廣泛應(yīng)用于高性能計算等領(lǐng)域。臺積電的7nm制程占比為14%，與更先進(jìn)的制程技術(shù)共同推動公司整體營收的增長?？傮w來看，7nm及更先進(jìn)制程所帶來的營收占比達(dá)74%，充分展示了臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的市場優(yōu)勢。RlQesmc

臺積電財務(wù)長黃仁昭表示，2024年第四季度的業(yè)績受益于3nm與5nm技術(shù)的強(qiáng)勁需求，尤其是在AI和高性能計算領(lǐng)域。展望2025年第一季度，臺積電預(yù)計業(yè)績將受到智能手機(jī)季節(jié)性需求波動的影響，但AI相關(guān)業(yè)務(wù)的持續(xù)增長有望部分抵消這一影響。根據(jù)公司目前的業(yè)務(wù)狀況，2025年第一季度的合并營收預(yù)計將在250億美元到258億美元之間，毛利率預(yù)計為57%到59%，營業(yè)利益率為46.5%到48.5%。RlQesmc

此外，臺積電還透露，2025年的資本支出預(yù)計將在380億美元至420億美元之間，遠(yuǎn)超2024年的支出，預(yù)計將成為公司歷史上的最高水平。此舉顯示出臺積電將繼續(xù)加大對先進(jìn)制造技術(shù)和產(chǎn)能擴(kuò)張的投入，以鞏固其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。RlQesmc

晶圓代工大廠，再出新招RlQesmc

全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，在2024年第三季度的全球晶圓代工領(lǐng)域，臺積電以64.9%的市占率一騎絕塵，穩(wěn)居榜首；三星則以9.3%的份額緊隨其后，位列第二；中芯國際、聯(lián)電、格芯等企業(yè)也在競爭格局中占據(jù)一席之地。RlQesmc

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近期，晶圓代工行業(yè)的兩大巨頭——三星和臺積電，均有新動態(tài)傳出。RlQesmc

先看臺積電，路透社此前發(fā)布消息，臺積電已在美國亞利桑那州工廠開啟先進(jìn)4nm芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，這標(biāo)志著臺積電首次在美國本土實現(xiàn)先進(jìn)芯片量產(chǎn)。目前，臺積電在亞利桑那州布局了兩座晶圓廠。RlQesmc

其中，第一座晶圓廠預(yù)計在2025年上半年投入4nm制程技術(shù)生產(chǎn)；第二座晶圓廠計劃于2028年開始采用2nm制程技術(shù)進(jìn)行芯片制造。值得一提的是，2024年4月，臺積電宣布將在亞利桑那州新建第三座晶圓廠，投資總額高達(dá)650億美元，預(yù)計2030年這座新廠將采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。RlQesmc

再看三星，據(jù)韓媒報道，三星電子位于美國得克薩斯州泰勒市的半導(dǎo)體芯片工廠正穩(wěn)步推進(jìn)建設(shè)，計劃于2026年開啟大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)直指與臺積電展開激烈競爭。該工廠聚焦于2納米和3納米工藝芯片的制造，計劃在2026年初完成所有必要設(shè)備的引入，并在當(dāng)年年底前實現(xiàn)量產(chǎn)。RlQesmc

在技術(shù)路線上，三星將在2納米和3納米芯片生產(chǎn)中采用環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)。而臺積電則計劃在3納米制程節(jié)點采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，在2納米制程時引入環(huán)繞柵極技術(shù)。RlQesmc

三星電子在聲明中強(qiáng)調(diào)，泰勒市的投資項目是其全球半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)?；仡櫲谴饲疤岢龅?ldquo;2030愿景”計劃，其目標(biāo)是在2030年登頂全球半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域。此次在美國得州建廠并計劃2026年大規(guī)模生產(chǎn)芯片的舉措，無疑將為半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新和市場格局重塑增添新的變量。RlQesmc

臺積電和三星的戰(zhàn)略布局無疑將為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和市場格局帶來深遠(yuǎn)影響。業(yè)界認(rèn)為，隨著臺積電、三星的新工廠建設(shè)，未來的晶圓代工行業(yè)將更加競爭激烈，技術(shù)的不斷進(jìn)步和投資的加大，將推動整個行業(yè)向著更高水平發(fā)展。RlQesmc