存儲原廠于2023年下半年依據(jù)市況調(diào)整產(chǎn)能，以圖改善供需關(guān)系，到2024年產(chǎn)能調(diào)整逐漸奏效，多家存儲廠商在2024年重新回到獲利模式。c3Lesmc

不過存儲器市場合約價走勢則沒有那么“一帆風(fēng)順”，整體來看，2024年上半年存儲器市場合約價保持上漲，而到了下半年由于市場需求變化，存儲器合約價遇到下行壓力，到了第四季度，DRAM出現(xiàn)漲幅收斂，NAND Flash則反轉(zhuǎn)下跌。c3Lesmc

展望2025年，業(yè)界認(rèn)為，盡管AI應(yīng)用仍舊十分強(qiáng)勁，帶動高性能HBM、QLC SSD產(chǎn)品需求水漲船高，但消費(fèi)電子市場仍未見強(qiáng)勁復(fù)蘇信號，存儲市場仍有可能面臨終端需求、價格、產(chǎn)能三大方面的挑戰(zhàn)。c3Lesmc

消費(fèi)電子復(fù)蘇動能仍待觀望

存儲器三大應(yīng)用終端包括手機(jī)、筆電與服務(wù)器，其中服務(wù)器得益于AI推動，于2025年將實(shí)現(xiàn)新的成長，而手機(jī)、筆電過去一年持續(xù)疲軟，2025年市場復(fù)蘇動能仍待觀望。c3Lesmc

2024年智能手機(jī)市場品牌廠商采取謹(jǐn)慎備貨策略，避免加劇庫存壓力。全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢指出，2024年第三季度，在旗艦新機(jī)推動下，智能手機(jī)生產(chǎn)總數(shù)季增7%，約達(dá)3.1億支，同比持平。從旺季產(chǎn)量的角度分析，第三季的表現(xiàn)尚未恢復(fù)疫情前水平，表明全球消費(fèi)市場仍缺乏明確的復(fù)蘇動能。c3Lesmc

展望2025年全年，業(yè)界認(rèn)為智能手機(jī)出貨量有望恢復(fù)年增長，但未來市場前景仍不明朗。c3Lesmc

筆電市場，集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年全球筆記本電腦市場受高利率與地緣因素影響，需求回溫速度緩慢，預(yù)計全年出貨量為1.74億臺，年增3.9%。2025年全球筆電出貨量將增長4.9%，達(dá)到1.83億臺，商用市場有望復(fù)蘇，預(yù)期出貨量將迎來超過7%的年增長。至于消費(fèi)市場，預(yù)期消費(fèi)機(jī)種增長將放緩。c3Lesmc

DRAM與NAND Flash合約價雙雙下跌

DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2024年第四季度DRAM整體平均價格估計上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。c3Lesmc

2025年第一季為傳統(tǒng)淡季，DRAM市場受智能手機(jī)等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)萎縮等影響，合約價走跌，其中一般型DRAM（Conventional DRAM）的跌幅預(yù)估將達(dá)8%至13%，若計入HBM產(chǎn)品，價格預(yù)計下跌0%至5%。c3Lesmc

展望2025年，集邦咨詢認(rèn)為DRAM合約價將呈現(xiàn)下跌，其中上半年將跌幅明顯。消費(fèi)型電子產(chǎn)品需求持續(xù)弱化，也將為2025年DRAM價格走勢帶來沖擊，若廠商未能做好產(chǎn)能調(diào)控，整體產(chǎn)業(yè)庫存的去化速度將更加緩慢。c3Lesmc

NAND Flash方面，2024年第四季度，NAND Flash產(chǎn)品整體合約價呈現(xiàn)季減3%至8%的情況。2025年第一季NAND Flash供貨商將面臨庫存持續(xù)上升，訂單需求下降等挑戰(zhàn)，平均合約價恐季減10%至15%。其中，Wafer跌幅將收斂，模組產(chǎn)品部分，由于Enterprise SSD訂單穩(wěn)定，預(yù)期可緩沖合約價跌勢；Client SSD及UFS則因消費(fèi)性終端產(chǎn)品需求疲軟，買家采購意愿保守，價格將持續(xù)下探。c3Lesmc

展望未來，業(yè)界認(rèn)為，考慮到2024年第四季度以及2025年第一季度市場供過于求的關(guān)系，加上消費(fèi)電子市場復(fù)蘇態(tài)勢仍不明朗，閃存需求位元大幅減少，供應(yīng)商相應(yīng)地開始縮減資本支持、減少供給位元。供應(yīng)商減產(chǎn)之下，明年下半年進(jìn)入傳統(tǒng)旺季，市場需求將有所提升，NAND Flash合約價有可能在下半年迎來較為好轉(zhuǎn)的情形。c3Lesmc

NAND Flash進(jìn)入減產(chǎn)期？

AI效應(yīng)之下，HBM獲利表現(xiàn)與高漲的市場需求日益凸顯，吸引存儲廠商大力布局生產(chǎn)，存儲市場資本支出結(jié)構(gòu)因而發(fā)生改變，為持續(xù)滿足HBM需求，存儲廠商將更多資本用于DRAM領(lǐng)域，這使得用于NAND Flash生產(chǎn)的投資減少。c3Lesmc

與此同時，為應(yīng)對市場需求變化，多家大廠表態(tài)將下調(diào)存儲產(chǎn)品產(chǎn)量，NAND Flash成為重點(diǎn)調(diào)整對象。c3Lesmc

美光科技最新財報上顯示，2025財年第一季度（截至2024年11月）美光NAND業(yè)務(wù)環(huán)比下滑5%，主要原因是受到了手機(jī)、汽車及工業(yè)等市場需求持續(xù)走低的影響。對此，美光執(zhí)行副總裁首席財務(wù)官M(fèi)ark Murphy表示，在NAND業(yè)務(wù)方面，公司正在采取迅速而果斷的行動來降低資本支出并削減晶圓產(chǎn)量。c3Lesmc

另據(jù)媒體報道，三星設(shè)備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon近期表示，正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以應(yīng)對逐漸下滑的市場需求。c3Lesmc

去年12月，市場開始傳出鎧俠將對NAND Flash實(shí)施減產(chǎn)，以應(yīng)對市場需求下滑與產(chǎn)能過剩。c3Lesmc

結(jié) 語

存儲市場正面臨終端需求不顯、合約價走跌、部分領(lǐng)域產(chǎn)能過剩將進(jìn)行減產(chǎn)等挑戰(zhàn)，但存儲產(chǎn)業(yè)未來仍舊值得期待：AI強(qiáng)勁的增長態(tài)勢仍在孕育無限發(fā)展機(jī)會，存儲廠商也在不遺余力調(diào)節(jié)產(chǎn)能，推動高獲利、高性能存儲產(chǎn)品生產(chǎn)，以持續(xù)改善供需，再次推動存儲產(chǎn)業(yè)向上發(fā)展。c3Lesmc