近年來，在巨大的市場商機(jī)以及復(fù)雜的國際形勢下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨激烈，為進(jìn)一步在國際上掌握話語權(quán)，中國許多半導(dǎo)體公司都開始向海外市場擴(kuò)張，而在港上市便是重要途徑之一。9ybesmc

繼12月23日天域半導(dǎo)體在港交所主板IPO申請獲受理后，國內(nèi)另外兩家三代半廠商英諾賽科和天岳先進(jìn)也向港股發(fā)起沖擊，其中英諾賽科更是已搶先在香港聯(lián)合交易所（以下簡稱“香港聯(lián)交所”）上市。9ybesmc

英諾賽科港股敲鐘9ybesmc

2024年12月30日，氮化鎵功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科正式在香港聯(lián)交所主板掛牌上市。9ybesmc

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬股H股，每股發(fā)行價(jià)為30.86港元，募集資金近14億港元，募集資金金額13.02億港元。根據(jù)規(guī)劃，英諾賽科募集資金將主要用于擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、研發(fā)及擴(kuò)大產(chǎn)品組合、擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)品的全球分銷網(wǎng)絡(luò)等。9ybesmc

據(jù)英諾賽科最終發(fā)售價(jià)及配發(fā)結(jié)果公告顯示，此次該公司還引入了包括意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）、江蘇國企混改基金、東方創(chuàng)聯(lián)以及蘇州高端裝備在內(nèi)的4名基石投資者，合共認(rèn)購了1億美元的發(fā)售股份。9ybesmc

資料顯示，英諾賽科成立于2017年，是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、氮化鎵集成電路及氮化鎵模組等，可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。9ybesmc

據(jù)悉，英諾賽科不僅在珠海建成了中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，同時(shí)，其于2021年10月投產(chǎn)的蘇州工廠更是全球最大的8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。9ybesmc

據(jù)英諾賽科披露，2023年，以折算氮化鎵分立器件出貨量計(jì)算，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場份額排名第一，市占率達(dá)42.4%。截至2024年Q3，英諾賽科氮化鎵出貨量成功突破10億顆！9ybesmc

天岳科技擬赴港上市 沖刺A+H9ybesmc

12月27日，碳化硅襯底廠商天岳先進(jìn)發(fā)布公告稱，根據(jù)公司總體發(fā)展戰(zhàn)略及運(yùn)營需要，公司擬在境外發(fā)行股份（H 股）并在香港聯(lián)交所上市。9ybesmc

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對于此次赴港上市的原因，天岳先進(jìn)在公告中提到，主要為加快公司的國際化戰(zhàn)略及海外業(yè)務(wù)布局，增強(qiáng)公司的境外融資能力，進(jìn)一步提高公司的資本實(shí)力和綜合競爭力。9ybesmc

不過，天岳先進(jìn)同時(shí)指出，本次H股上市需提交公司董事會(huì)和股東大會(huì)審議，并需取得中國證券監(jiān)督管理委員會(huì)、香港聯(lián)交所和香港證券及期貨事務(wù)監(jiān)察委員會(huì)等相關(guān)政府機(jī)構(gòu)、監(jiān)管機(jī)構(gòu)備案或?qū)徍伺鷾?zhǔn)；本次H股上市能否通過審議、備案和審核批準(zhǔn)程序并最終實(shí)施具有較大不確定性。9ybesmc

資料顯示，天岳先進(jìn)是一家專注于碳化硅單晶襯底材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)，主要從事碳化硅半導(dǎo)體材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。9ybesmc

目前，天岳先進(jìn)在山東濟(jì)南、濟(jì)寧均設(shè)有工廠，其中濟(jì)南、濟(jì)寧工廠是其碳化硅半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地，上海臨港智慧工廠則是其導(dǎo)電型碳化硅襯底主要生產(chǎn)基地。目前，天岳先進(jìn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)8英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸導(dǎo)電型襯底、6英寸半絕緣型襯底、4英寸半絕緣襯底等產(chǎn)品的批量供應(yīng)。其導(dǎo)電型碳化硅襯底產(chǎn)品已經(jīng)獲得英飛凌、博世等下游電力電子、汽車電子領(lǐng)域的國際知名企業(yè)合作。9ybesmc

天岳先進(jìn)在近期的投資者調(diào)研活動(dòng)中亦表示，公司實(shí)現(xiàn)8英寸碳化硅襯底本土化替代的同時(shí)，公司8英寸碳化硅襯底已率先實(shí)現(xiàn)海外客戶批量銷售。其在半年報(bào)中透露，全球前十大功率半導(dǎo)體企業(yè)超過50%已成為公司客戶。9ybesmc

三代半廠商加速“出海”9ybesmc

近年來，在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下，加上新能源汽車、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。9ybesmc

據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrenForce集邦咨詢此前公布的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球GaN功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR高達(dá)49%，而SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，并預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。9ybesmc

在巨大的市場機(jī)遇以及國家政策扶持下，中國半導(dǎo)體廠商發(fā)展已進(jìn)入快車道，并且已初步登上國際市場的舞臺(tái)。9ybesmc

此次天岳先進(jìn)、英諾賽科、天域半導(dǎo)體均向港股遞交“申請書”，意味著各大廠商有望加速全球擴(kuò)張計(jì)劃、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)進(jìn)一步幫助企業(yè)走向國際化、拓寬融資渠道，提升市場競爭力。9ybesmc