在探索這些市場的復(fù)雜性時(shí)，出現(xiàn)了幾個(gè)關(guān)鍵趨勢，預(yù)計(jì)這些趨勢將塑造市場格局。以下是未來一年內(nèi)存市場的五大展望，以及一個(gè)可能打亂一切的潛在不利因素。1fXesmc
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AI持續(xù)推動(dòng)對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的關(guān)注1fXesmc
隨著AI的興起，特別是在機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用中，對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）的需求空前高漲。預(yù)計(jì)HBM出貨量將同比增長70%，因?yàn)閿?shù)據(jù)中心和AI處理器越來越多地依賴這種類型的存儲(chǔ)器來處理低延遲的大量數(shù)據(jù)。HBM需求的激增預(yù)計(jì)將重塑DRAM市場，制造商將優(yōu)先生產(chǎn)HBM，而不是傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品。1fXesmc
AI推動(dòng)對(duì)大容量SSD和QLC NAND技術(shù)的需求1fXesmc
隨著AI繼續(xù)滲透各行各業(yè)，對(duì)大容量固態(tài)硬盤（SSD）的需求也在上升。這對(duì)于需要大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和快速檢索時(shí)間的AI工作負(fù)載尤其如此。因此，預(yù)計(jì)QLC NAND技術(shù)的采用率將增加，該技術(shù)以較低的成本提供更高的密度。盡管QLC SSD的寫入速度比其他NAND類型慢，但由于其成本效益和適合AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，它們將獲得更多青睞。預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)中心NAND bit 需求增長繼2024年約70%的爆炸性增長之后，將在2025年超過30%。1fXesmc
資本支出（Capex）投資大幅轉(zhuǎn)向DRAM和HBM1fXesmc
受AI應(yīng)用激增的推動(dòng)，內(nèi)存市場的資本支出（capex）越來越多地流向DRAM，特別是HBM。隨著制造商擴(kuò)大產(chǎn)能以滿足日益增長的需求，DRAM資本支出預(yù)計(jì)將同比增長近20%。然而，這一轉(zhuǎn)變導(dǎo)致對(duì)NAND生產(chǎn)的投資極少，可能在市場上造成潛在的供應(yīng)瓶頸。NAND領(lǐng)域的盈利能力持續(xù)改善，這可能會(huì)在 2026 年重新點(diǎn)燃該領(lǐng)域的投資熱情。1fXesmc
邊緣AI開始嶄露頭角，但要到2026年才會(huì)產(chǎn)生顯著影響1fXesmc
邊緣AI將AI處理功能更接近智能手機(jī)和PC等設(shè)備的數(shù)據(jù)源，預(yù)計(jì)將在2025年進(jìn)入市場。然而，該技術(shù)的全面影響要到2026年才會(huì)顯現(xiàn)。具有真正設(shè)備端AI功能的設(shè)備預(yù)計(jì)將在2025年底推出，但銷量可能不足以立即影響存儲(chǔ)器市場。真正的轉(zhuǎn)變應(yīng)該發(fā)生在2026年，隨著邊緣AI變得更加普及，將推動(dòng)對(duì)適合這些新功能的內(nèi)存解決方案的需求。1fXesmc
數(shù)據(jù)中心AI重點(diǎn)延遲了傳統(tǒng)服務(wù)器更換周期1fXesmc
對(duì)AI驅(qū)動(dòng)的數(shù)據(jù)中心的關(guān)注導(dǎo)致傳統(tǒng)服務(wù)器基礎(chǔ)設(shè)施的更換周期延遲。許多企業(yè)正在將資源轉(zhuǎn)移到升級(jí)其AI能力上，導(dǎo)致傳統(tǒng)服務(wù)器需要更新。雖然這種延遲在短期內(nèi)可能是可控的，但在某個(gè)時(shí)候，這些服務(wù)器將需要更新，這可能會(huì)推動(dòng)DRAM和NAND需求的突然激增。這種延遲的更換周期一旦發(fā)生時(shí)，可能會(huì)推動(dòng)存儲(chǔ)器需求顯著增加。1fXesmc
責(zé)編：Elaine
