《規(guī)劃》提出，到2028年，南沙區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值規(guī)模突破300億元；6英寸SiC襯底良率達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，8英寸SiC晶圓制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)；半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)相關(guān)從業(yè)人員超過(guò)15000人；突破2項(xiàng)以上重點(diǎn)環(huán)節(jié)“卡脖子”技術(shù)。TpQesmc

《規(guī)劃》明確了廣州南沙未來(lái)半導(dǎo)體與集成電路的發(fā)展重點(diǎn)與方向，分別為晶圓制造、封裝測(cè)試、特色發(fā)展芯片設(shè)計(jì)、關(guān)鍵設(shè)備供給和專(zhuān)用材料布局，并提出了具體的發(fā)展路徑及方向、發(fā)展目標(biāo)。TpQesmc

全面布局晶圓制造TpQesmc

晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)具有規(guī)模性、平臺(tái)性、帶動(dòng)性三大特色，有著良好的生態(tài)促進(jìn)作用，較大規(guī)模的晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)可以在較短時(shí)間內(nèi)推動(dòng)當(dāng)?shù)匦纬砂雽?dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)。未來(lái)廣州南沙將圍繞硅基及第三代半導(dǎo)體全面布局，堅(jiān)持晶圓代工和IDM模式協(xié)同發(fā)展。TpQesmc

第三代半導(dǎo)體制造方面，重點(diǎn)發(fā)展6-8英寸碳化硅功率器件、氮化鎵功率器件、氮化鎵射頻器件晶圓制造技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)，突破SiC MOSFET制造工藝、GaN HEMT等關(guān)鍵技術(shù)。TpQesmc

硅基晶圓制造方面，積極引進(jìn)1-2條12寸硅基晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)，大力推動(dòng)項(xiàng)目投產(chǎn)。重點(diǎn)建設(shè)MCU、手機(jī)基帶電路、FPGA芯片、物聯(lián)網(wǎng)邏輯電路等邏輯芯片制造能力，推動(dòng)提升功率器件、模擬器件、顯示驅(qū)動(dòng)器件、射頻器件和MEMS傳感器等產(chǎn)品晶圓制造產(chǎn)能，重點(diǎn)突破28nm邏輯芯片工藝和FDSOI工藝等關(guān)鍵技術(shù)。TpQesmc

《規(guī)劃》提出，到2028年，晶圓制造環(huán)節(jié)產(chǎn)值規(guī)模超過(guò)150億元，培育年主營(yíng)收入超過(guò)30億元的企業(yè)1家，全區(qū)建成2條以上不同尺寸、不同材料的晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)，折合6英寸年產(chǎn)能超過(guò)60萬(wàn)片。TpQesmc

積極發(fā)展封裝測(cè)試TpQesmc

廣州南沙將加強(qiáng)對(duì)接國(guó)內(nèi)龍頭企業(yè)，積極爭(zhēng)取建設(shè)規(guī)模較大的先進(jìn)封裝測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)；推動(dòng)周期短、見(jiàn)效快的分立器件封裝測(cè)試及傳統(tǒng)封裝生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目的建設(shè)與投產(chǎn)。封裝測(cè)試環(huán)節(jié)將以傳統(tǒng)封裝、先進(jìn)封裝、模組封裝為重點(diǎn)發(fā)展方向。TpQesmc

未來(lái)，將重點(diǎn)發(fā)展硅基MOSFET/IGBT器件、射頻芯片、MEMS傳感器等特色工藝芯片封裝，提升TO、SOP、SOT、QFN、QFP等傳統(tǒng)封裝形式產(chǎn)品產(chǎn)能；同時(shí)重點(diǎn)發(fā)展圖像傳感器、存儲(chǔ)器、處理器等數(shù)字芯片封裝及測(cè)試，大力提升硅通孔、球柵陣列、凸點(diǎn)、晶圓級(jí)封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝等封裝形式產(chǎn)能，布局三維封裝、面板極封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)；此外，南沙還將重點(diǎn)發(fā)展功率器件、存儲(chǔ)器、傳感器等模組封裝，大力提升IGBT模組、SiC器件模組設(shè)計(jì)制造能力，布局SSD模組、傳感器模組制造，快速擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)規(guī)模，形成產(chǎn)業(yè)集聚。TpQesmc

《規(guī)劃》提出，到2028年，封測(cè)環(huán)節(jié)產(chǎn)值規(guī)模超過(guò)45億元，引進(jìn)培育主營(yíng)收入超過(guò)5億元的企業(yè)1家，器件封裝及模組制造年產(chǎn)能突破10億只，建設(shè)成為廣東省重要的封裝測(cè)試基地。TpQesmc

特色發(fā)展芯片設(shè)計(jì)TpQesmc

南沙區(qū)擁有千億級(jí)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)和人工智能產(chǎn)業(yè)這兩個(gè)吸引力較強(qiáng)的芯片應(yīng)用場(chǎng)景和需求市場(chǎng)，依托汽車(chē)和人工智能產(chǎn)業(yè)比較優(yōu)勢(shì)，吸引領(lǐng)先汽車(chē)和人工智能芯片企業(yè)落地，是南沙區(qū)半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)突破發(fā)展、提升汽車(chē)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定、推動(dòng)人工智能產(chǎn)業(yè)提升能級(jí)的重要舉措。TpQesmc

未來(lái)，南沙芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)發(fā)展重點(diǎn)主要聚焦功率器件與功率集成、數(shù)?；旌闲酒?、EDA/IP、數(shù)據(jù)傳輸芯片、人工智能芯片、控制類(lèi)芯片、MEMS傳感器以及現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列。包括打造有影響力的汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)集群；支持人工智能企業(yè)在南沙布局人工智能芯片業(yè)務(wù)；聚焦高端芯片、操作系統(tǒng)等領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)，加強(qiáng)通用處理器、云計(jì)算系統(tǒng)和軟件關(guān)鍵技術(shù)一體化研發(fā)等。TpQesmc

到2028年，芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)總體銷(xiāo)售額突破15億元，其中汽車(chē)領(lǐng)域銷(xiāo)售額超過(guò)5億元。引進(jìn)、培育1家以上銷(xiāo)售額超2億元的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)落地南沙，推動(dòng)形成3款以上研發(fā)在南沙的芯片產(chǎn)品。TpQesmc

突破關(guān)鍵設(shè)備供給TpQesmc

設(shè)備環(huán)節(jié)以晶圓制造設(shè)備、封裝測(cè)試設(shè)備、設(shè)備領(lǐng)域見(jiàn)微發(fā)展重點(diǎn)。具體包括積極發(fā)展鍍膜沉積設(shè)備、磁控濺射設(shè)備、離子蝕刻設(shè)備、量測(cè)設(shè)備、清洗設(shè)備等產(chǎn)品領(lǐng)域；重點(diǎn)發(fā)展封裝切割設(shè)備、高精度半導(dǎo)體固晶機(jī)、晶圓級(jí)封裝設(shè)備等產(chǎn)品領(lǐng)域；重點(diǎn)發(fā)展高端光源、探測(cè)器、探針卡、鏡頭、精密運(yùn)動(dòng)設(shè)備等產(chǎn)品，提升電子產(chǎn)品關(guān)鍵模塊技術(shù)，支持零部件企業(yè)聯(lián)合應(yīng)用廠(chǎng)商，加大自主研發(fā)攻關(guān)。布局二手設(shè)備翻新、半導(dǎo)體設(shè)備零部件、半導(dǎo)體設(shè)備貿(mào)易等領(lǐng)域。TpQesmc

到2028年，廣州南沙半導(dǎo)體設(shè)備環(huán)節(jié)總體產(chǎn)值規(guī)模超過(guò)30億元，引進(jìn)或培育1家以上年銷(xiāo)售額超過(guò)3億元的細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè)，2家以上年銷(xiāo)售額過(guò)億元的骨干企業(yè)。在半導(dǎo)體封裝切割設(shè)備、高精度半導(dǎo)體固晶機(jī)、晶圓級(jí)封裝設(shè)備等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破和規(guī)模供應(yīng)，加快國(guó)產(chǎn)設(shè)備技術(shù)創(chuàng)新。TpQesmc

做優(yōu)專(zhuān)用材料布局TpQesmc

《規(guī)劃》提出，要將廣州南沙將第三代半導(dǎo)體材料和封裝基板發(fā)展成為南沙區(qū)半導(dǎo)體與集成電路材料產(chǎn)業(yè)的拳頭產(chǎn)品，支持國(guó)內(nèi)外領(lǐng)先企業(yè)在南沙布局第三代半導(dǎo)體襯底、外延材料制造和技術(shù)研發(fā)，支持南砂晶圓在建項(xiàng)目盡快建成投產(chǎn)。TpQesmc

同時(shí)，面向半導(dǎo)體與集成電路材料應(yīng)用需求，支持龍頭企業(yè)牽頭建設(shè)應(yīng)用示范線(xiàn)，重點(diǎn)突破半導(dǎo)體與集成電路材料的質(zhì)量控制、批量化穩(wěn)定生產(chǎn)、低成本工藝應(yīng)用，推動(dòng)關(guān)鍵環(huán)節(jié)半導(dǎo)體與集成電路專(zhuān)用材料研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。TpQesmc

在材料環(huán)節(jié)，廣州南沙將第三代半導(dǎo)體材料、封裝測(cè)試材料、晶圓制造材料以及電子特氣作為主要發(fā)展方向。TpQesmc

未來(lái)南沙將重點(diǎn)發(fā)展SiC、GaN襯底、外延材料等第三代半導(dǎo)體材料；突破積層法多層板等新型封裝基板技術(shù)；金屬靶材、合金靶材等高純度靶材，形成規(guī)模供應(yīng)能力，突破陶瓷靶材、8N純度以上靶材生產(chǎn)工藝等技術(shù)；拋光墊、拋光液、光刻膠、清洗劑等晶圓制造材料、以及外延用氣體、刻蝕用氣體等用量較大的氣體產(chǎn)品。TpQesmc

《規(guī)劃》提出，到2028年，材料環(huán)節(jié)總體產(chǎn)值規(guī)模超過(guò)60億元，在6英寸碳化硅襯底及外延片、干法ArF光刻膠、電子特氣等重點(diǎn)領(lǐng)域招引、培育一批優(yōu)質(zhì)企業(yè)，建成全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體材料研發(fā)制造基地、國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的封裝基板制造基地，重點(diǎn)晶圓制造、封測(cè)項(xiàng)目材料供應(yīng)基本實(shí)現(xiàn)就近配套，建成電子化學(xué)品專(zhuān)區(qū)。TpQesmc

此外，《規(guī)劃》還從開(kāi)展精準(zhǔn)招商，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)延鏈強(qiáng)鏈；強(qiáng)化創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)源頭供給；加強(qiáng)園區(qū)建設(shè)，提高產(chǎn)業(yè)承載能力；加速人才聚集，夯實(shí)產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)；注重生態(tài)打造，構(gòu)建產(chǎn)業(yè)發(fā)展體系等方面提出了重點(diǎn)任務(wù)。TpQesmc