這代表著臺(tái)積電對(duì)這項(xiàng)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)不斷變化的立場(chǎng)，從一開(kāi)始持謹(jǐn)慎，到后來(lái)全面發(fā)展采用，為的就是保持其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中維持領(lǐng)先地位，也因應(yīng)AI芯片對(duì)先進(jìn)制程需求的快速成長(zhǎng)。PXUesmc
根據(jù)外媒techspot的報(bào)導(dǎo)指出，采用High-NA EUV光刻機(jī)對(duì)于臺(tái)積電開(kāi)發(fā)2納米以下制程至關(guān)重要。因?yàn)镠igh-NA EUV光刻機(jī)將數(shù)值孔徑從0.33增加到0.55，可以進(jìn)一步在晶圓上達(dá)到更高分辨率。而根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，High-NA EUV光刻機(jī)將導(dǎo)入其A14節(jié)點(diǎn)(1.4納米)的制程當(dāng)中，而該制程也預(yù)計(jì)于2027年進(jìn)入量產(chǎn)階段。PXUesmc
目前，這些先進(jìn)的光刻機(jī)不會(huì)立即投入運(yùn)作，因?yàn)樵趯⑵湔系酱罅可a(chǎn)之前，需要進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試、微調(diào)和制程優(yōu)化。至于，在這些光刻機(jī)全面投入運(yùn)作時(shí)，臺(tái)積電預(yù)計(jì)將發(fā)展到其A10節(jié)點(diǎn)(1納米)的制程，這代表著超越其當(dāng)前能力的幾代技術(shù)，此時(shí)間表也與臺(tái)積電發(fā)展芯片制程的廣泛路線一致。PXUesmc
報(bào)導(dǎo)表示，在臺(tái)積電2024年第三季法說(shuō)會(huì)上，財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭概述了該公司的先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)計(jì)劃。表示臺(tái)積電將在2026年更新N2制程，這使得更新N2制程會(huì)有一些準(zhǔn)備成本。而隨著臺(tái)積電發(fā)展每個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)，這種準(zhǔn)備成本將變得越來(lái)越大。PXUesmc
報(bào)導(dǎo)強(qiáng)調(diào)，每套High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為3.84億美元。盡管如此，臺(tái)積電在EUV光刻機(jī)的技術(shù)領(lǐng)先地位，預(yù)計(jì)仍將吸引更多尋求先進(jìn)芯片制造能力的高階客戶前來(lái)下單。這可能會(huì)進(jìn)一步拉大臺(tái)積電與其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之間的差距，尤其是韓國(guó)三星電子。因?yàn)?，臺(tái)積電已經(jīng)憑借目前標(biāo)準(zhǔn)孔徑的EUV技術(shù)奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。PXUesmc
其中，臺(tái)積電在2019年正式推出了采用EUV制程的N7+節(jié)點(diǎn)制程，當(dāng)時(shí)約運(yùn)作了10套標(biāo)準(zhǔn)的EUV光刻機(jī)。此后，臺(tái)積電迅速擴(kuò)大了其EUV生產(chǎn)能力，這也使得EUV系統(tǒng)銷(xiāo)量在2019年至2023年間成長(zhǎng)了十倍。目前，臺(tái)積電占全球EUV光刻機(jī)安裝數(shù)量的56%。持續(xù)將其利用在包括N5、N3，以及接下來(lái)的N2節(jié)點(diǎn)制程中。PXUesmc
臺(tái)積電采用EUV的方法是系統(tǒng)化，且以客戶為中心的。該公司根據(jù)新技術(shù)創(chuàng)新的成熟度、成本和潛在的客戶利益對(duì)其進(jìn)行仔細(xì)評(píng)估，然后再將其整合到大規(guī)模生產(chǎn)中。因此，臺(tái)積電計(jì)劃首先導(dǎo)入High-NA EUV光刻機(jī)用于研發(fā)，以開(kāi)發(fā)客戶推動(dòng)創(chuàng)新所需的相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施和圖案解決方案，之后再進(jìn)一步滿足客戶的相關(guān)需求。PXUesmc
責(zé)編：Elaine
