DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫(kù)存水位偏高，價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。Liuesmc
TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應(yīng)商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預(yù)計(jì)新廠到2026年才會(huì)步入量產(chǎn)階段等影響，TrendForce集邦咨詢?cè)緦?duì)于2025年DRAM價(jià)格走勢(shì)看法偏樂(lè)觀。然而，近期市場(chǎng)動(dòng)態(tài)變化快速，使得TrendForce集邦咨詢對(duì)明年的價(jià)格預(yù)測(cè)進(jìn)行調(diào)整，2025年DRAM價(jià)格將轉(zhuǎn)為下跌，上半年的跌幅較明顯，其中，DDR4和LPDDR4X的降價(jià)壓力將持續(xù)大于DDR5與LPDDR5X。Liuesmc
從供給角度分析，由于NAND Flash市況同步轉(zhuǎn)弱且獲利能力較DRAM產(chǎn)品差，將促使部分產(chǎn)線從NAND Flash轉(zhuǎn)向DRAM。此外，雖然HBM3e 12hi明年有望快速成為AI應(yīng)用主流，但并非每家供應(yīng)商都能如期通過(guò)NVIDIA（英偉達(dá)）認(rèn)證，因此供應(yīng)商將TSV產(chǎn)能轉(zhuǎn)回一般型DRAM（conventional DRAM）的可能性增加。Liuesmc
吳雅婷表示，業(yè)界產(chǎn)能擴(kuò)張快速，除此之外，消費(fèi)型電子產(chǎn)品需求持續(xù)弱化，也將為2025年DRAM價(jià)格走勢(shì)帶來(lái)沖擊，若廠商未能做好產(chǎn)能調(diào)控，整體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存的去化速度將更加緩慢。Liuesmc
責(zé)編：Elaine
