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碳化硅價(jià)格下跌近30%

最新市場(chǎng)消息顯示,由于中國(guó)新能源汽車、光伏市場(chǎng)近年來(lái)的迅猛發(fā)展,在技術(shù)迭代及產(chǎn)能擴(kuò)充加快步伐下,碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈多環(huán)節(jié)成本正在大幅下降,其中SiC襯底、外延以及SiC模塊降價(jià)明顯。

SiC襯底價(jià)格三大問題引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注sFcesmc

行業(yè)消息顯示,今年以來(lái),主流6英寸SiC襯底價(jià)格持續(xù)下滑,其價(jià)格已下跌近30%。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)多位行業(yè)人士表露,2024年中期6英寸SiC襯底的價(jià)格已跌至500美元以下,漸接近中國(guó)制造商的生產(chǎn)成本線。到今年第四季度,價(jià)格進(jìn)一步下降至450美元甚至400美元,這給大多數(shù)制造商帶來(lái)財(cái)務(wù)壓力。sFcesmc

SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié),襯底和外延工藝占據(jù)了整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的70%,其中襯底的成本比重更是接近50%。sFcesmc

關(guān)于碳化硅市場(chǎng)價(jià)格的變動(dòng),目前行業(yè)內(nèi)主要存在以下三點(diǎn)擔(dān)憂:sFcesmc

· 一是2024年全球SiC晶體生長(zhǎng)及襯底材料新增產(chǎn)能大幅提升,部分業(yè)內(nèi)人士擔(dān)心未來(lái)短期內(nèi)將造成供過于求現(xiàn)象;sFcesmc

· 二是作為SiC材料最大目標(biāo)應(yīng)用的電動(dòng)汽車增長(zhǎng)近兩年出現(xiàn)放緩跡象,未來(lái)電動(dòng)汽車發(fā)展可持續(xù)性遭到質(zhì)疑,以及是否有更新的市場(chǎng)增長(zhǎng)點(diǎn)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體持續(xù)突破;sFcesmc

· 第三則是今年以來(lái)碳化硅市場(chǎng)爆發(fā)的價(jià)格戰(zhàn)對(duì)SiC市場(chǎng)定價(jià)造成沖擊,企業(yè)過渡和成長(zhǎng)問題成為當(dāng)下重要考量。sFcesmc

目前行業(yè)多方對(duì)于上述三點(diǎn)憂慮進(jìn)行了探討,本文將結(jié)合行業(yè)各方看法對(duì)此進(jìn)行解答。sFcesmc

SiC行業(yè)或?qū)⒂乱徊ㄕ霞娌⒊?/strong>sFcesmc

在產(chǎn)能釋放上,據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì),2024年全球市場(chǎng)共新建14座8英寸碳化硅廠房(在建12座,2座即將動(dòng)工),短期內(nèi)僅有Wolfspeed莫霍克谷工廠能夠提供8英寸碳化硅晶圓,最早則從明年開始陸續(xù)有廠家可以供應(yīng)上8英寸碳化硅晶圓。而聚焦我國(guó),2023年國(guó)內(nèi)啟動(dòng)了超50個(gè)SiC相關(guān)擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目,總投資超900億元;2024年,我國(guó)更有超100家企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域進(jìn)行布局,超50個(gè)碳化硅項(xiàng)目迎來(lái)最新進(jìn)展。sFcesmc

關(guān)于產(chǎn)能投產(chǎn)可持續(xù)看,部分行業(yè)人士表示,碳化硅行業(yè)投資巨大,部分供應(yīng)商雖然擴(kuò)產(chǎn)積極,但在較低價(jià)格的環(huán)境下,能否繼續(xù)維持運(yùn)轉(zhuǎn)成為關(guān)鍵問題。因?yàn)槭欠駮?huì)造成供過于求還有待觀察。并且在此環(huán)境下,SiC襯底行業(yè)預(yù)計(jì)會(huì)迎來(lái)一波整合兼并潮。屆時(shí)碳化硅產(chǎn)業(yè)版圖還將進(jìn)一步刷新。sFcesmc

AI數(shù)據(jù)中心或?qū)⒊蔀榈谌雽?dǎo)體新的市場(chǎng)增量sFcesmc

雖然目前市場(chǎng)上看到,新能源汽車近期有疲軟趨勢(shì),但多家碳化硅大廠以及車企最新釋放,碳化硅新能源車型持續(xù)增加,8英寸碳化硅或迎來(lái)新機(jī)遇。截止目前,我國(guó)新能源上險(xiǎn)乘用車中800V車型滲透率約8.7%,其中800V碳化硅滲透率提升至72%,24年陸續(xù)新增極氪系列、小米、紅旗、奇瑞星紀(jì)元、海馬等多款車型。sFcesmc

而關(guān)于第三代半導(dǎo)體新的市場(chǎng)增量討論上,AI人工智能浪潮席卷全球,數(shù)據(jù)中心對(duì)算力需求的持續(xù)高漲成為了第三代半導(dǎo)體破局的關(guān)鍵。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示,在接下來(lái)的3-5年,單個(gè)數(shù)據(jù)中心的容量將會(huì)從傳統(tǒng)的150MW-180MW,提升到500MW兆瓦以上,這意味著電源單元必須具備更高的功率能力,預(yù)計(jì)將從傳統(tǒng)的3kW、4kW,逐步提升至5kW、8kW,甚至10kW。而碳化硅的高功率密度和效率能夠在數(shù)據(jù)中心中發(fā)揮非常重要的作用,能夠幫助數(shù)據(jù)中心電源實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。sFcesmc

深圳基本半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理也表示,大型計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施運(yùn)行所需的電能日益增加,需要更高功率、更高能效的電力電子設(shè)備去支撐。給AI處理器供電最高效的選擇就是氮化鎵和碳化硅等第三代半導(dǎo)體。具體到碳化硅的應(yīng)用而言,碳化硅具有極小的反向恢復(fù)損耗,可以有效降低能耗,主要應(yīng)用在AI服務(wù)器電源的PFC(功率因數(shù)校正)中?,F(xiàn)在多數(shù)企業(yè)都在采用碳化硅二極管替代硅二極管,碳化硅MOSFET替代硅MOSFET。sFcesmc

價(jià)格戰(zhàn)持續(xù),推動(dòng)SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用轉(zhuǎn)折點(diǎn)到來(lái)sFcesmc

在價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)上,部分人士表示,盡管價(jià)格戰(zhàn)可能會(huì)對(duì)一些廠商的利潤(rùn)率造成壓力,但長(zhǎng)期來(lái)看,這可能會(huì)推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向更高效、更具成本效益的方向發(fā)展,并有助于SiC技術(shù)在電動(dòng)汽車、光伏、工業(yè)等領(lǐng)域的進(jìn)一步滲透和應(yīng)用。sFcesmc

從我國(guó)市場(chǎng)看,價(jià)格的迅速下滑與我國(guó)越來(lái)越多的本地生產(chǎn)商獲得電動(dòng)汽車認(rèn)證并擴(kuò)大了其制造能力直接關(guān)系。行業(yè)人士表示,隨著8英寸SiC產(chǎn)能的逐步釋放,預(yù)計(jì)SiC單器件或單位電流密度的成本將進(jìn)一步降低,這可能成為SiC大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。sFcesmc

天岳先進(jìn)相關(guān)發(fā)言人近期表示,隨著技術(shù)進(jìn)步和規(guī)模效應(yīng),SiC基板(襯底)價(jià)格將繼續(xù)下降,從而降低成本。SiC基板相對(duì)于硅基板的價(jià)格較高,阻礙了其更廣泛的應(yīng)用,價(jià)格下降將有助于擴(kuò)大下游應(yīng)用,推動(dòng)SiC的廣泛應(yīng)用。sFcesmc

從國(guó)內(nèi)市場(chǎng)來(lái)看,目前山東天岳、天科合達(dá)、三安等一些中國(guó)一線供應(yīng)商已經(jīng)進(jìn)入了國(guó)際IDM廠商的功率器件供應(yīng)鏈,其中山東天岳在連續(xù)兩年虧損后于2024年上半年實(shí)現(xiàn)盈利,天科合達(dá)盈利能力也在不斷提高。總體而言,IDM的認(rèn)證使得山東天岳和天科合達(dá)在2024年整體SiC襯底市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈的情況下,仍能保持穩(wěn)定的出貨量、價(jià)格和利潤(rùn)。在該產(chǎn)業(yè)發(fā)展過程中,我國(guó)廠商有望在全球SiC產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局中占據(jù)較強(qiáng)優(yōu)勢(shì),逐步將市場(chǎng)重心轉(zhuǎn)向中國(guó)。sFcesmc

責(zé)編:Elaine
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