在這一類別中,DRAM預(yù)計將領(lǐng)跑,增幅為26%,而NAND的增幅則較為溫和,預(yù)計為9%。IDM/邏輯芯片領(lǐng)域預(yù)計增長8%。然而,代工廠和其他領(lǐng)域的預(yù)期降幅分別為5%和10%。FQDesmc
展望2025年,存儲器增長預(yù)期被下調(diào)至25%,而代工廠領(lǐng)域預(yù)計將迎來反彈,增幅為10%,IDM/邏輯芯片領(lǐng)域預(yù)計增長12%。FQDesmc
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責(zé)編:Elaine