隨著云計(jì)算技術(shù)的興起，數(shù)據(jù)存儲的規(guī)模和復(fù)雜性達(dá)到了前所未有的高度，并對存儲技術(shù)提出了越來越嚴(yán)格的要求。磁性半導(dǎo)體作為一類新的自旋電子材料，具有同步實(shí)現(xiàn)邏輯運(yùn)算、信息處理和存儲的潛力。B9eesmc
因此，低維磁性半導(dǎo)體已成為納米級自旋電子器件構(gòu)建的必然趨勢，旨在使器件尺寸最小化，實(shí)現(xiàn)高密度集成。然而，實(shí)現(xiàn)這種低維磁性半導(dǎo)體仍然面臨諸多困難，特別是對于具有更高磁晶各向異性、更大長徑比和更大納米自旋電子器件潛力的1D鐵磁半導(dǎo)體。B9eesmc
CrSbSe3作為唯一一種經(jīng)過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證同時具有鐵磁和半導(dǎo)體特性的1D材料，在探究其特性和應(yīng)用方面具有重要意義。然而，到目前為止，CrSbSe3納米晶體僅能通過自上而下的剝離方法獲得。B9eesmc
基于此，該團(tuán)隊(duì)報道了一種自下而上的溶液法用于合成CrSbSe3納米帶。他們通過對比潛在的二元模板和三元目標(biāo)產(chǎn)物的形成能，選擇了具有1D晶體結(jié)構(gòu)的Sb2Se3作為模板，將Sb2Se3中一半Sb原子替換為Cr原子，促進(jìn)Sb2Se3向CrSbSe3晶相轉(zhuǎn)化。所制備的CrSbSe3納米帶長度約為5μm，寬度為80 ~ 120 nm，厚度約為5 nm，并在低于71 K的居里溫度下表現(xiàn)出軟磁行為。B9eesmc
通過對CrSbSe3單根納米帶進(jìn)行磁電測試，證明其典型的半導(dǎo)體行為和鐵磁性，進(jìn)一步證實(shí)了1D CrSbSe3半導(dǎo)體的本征鐵磁性。該工作提供了一種新穎的自下而上模板合成三元一維納米帶的方法，為一維鐵磁半導(dǎo)體的發(fā)展與應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。B9eesmc
責(zé)編：Elaine
