1.昕感科技順利完成晶圓廠首批投片
9月21日消息，昕感科技官方表示已順利完成晶圓廠首批投片。9RNesmc
公開資料顯示，昕感科技聚焦于第三代半導體SiC功率器件和功率模塊的技術突破創(chuàng)新與產品研發(fā)生產，其江陰晶圓廠于2023年8月土建開工，2024年8月設備正式Move-in。9RNesmc
另據(jù)新華網(wǎng)江蘇頻道消息，昕感科技6英寸功率半導體制造項目總投資20億元，產品可廣泛應用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、5G通信等領域，滿載后年產能將達100萬片。9RNesmc
今年6月行業(yè)消息顯示，昕感科技第三代半導體功率模塊研發(fā)生產基地項目簽約落戶無錫錫東新城。錫東新城消息顯示，此次簽約的項目總投資超10億元，主要建設車規(guī)級第三代半導體功率模塊封裝產線，可同時覆蓋汽車主驅、超充樁、光伏、工業(yè)等應用場景。項目預計2025年投產，實現(xiàn)滿產產能約129萬只/年，產值超15億元/年。9RNesmc
2.國內首條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線開工！
9月12日，據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”）官微消息，富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設。氧化鎵憑借其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料，近年來熱度不斷上漲，頻頻傳出各類利好消息。9RNesmc
公開資料顯示，富加鎵業(yè)成立于2019年12月，致力于超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產業(yè)化工作，主要從事氧化鎵單晶材料生長、氧化鎵襯底及外延片研發(fā)、生產和銷售工作，產品主要應用于功率器件、微波射頻及光電探測等領域。9RNesmc
據(jù)稱，富加鎵業(yè)是國內目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司，開工建設的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。9RNesmc
3.投資4.32億元，這座6英寸碳化硅器件廠落成
9月4日，RIR Power Electronics Limited宣布，公司此前投資51億盧比（約合4.32億人民幣）在印度奧里薩邦建設的碳化硅半導體制造工廠已正式落成。9RNesmc
資料顯示，RIR是美國Silicon Power Group在印度的子公司，企業(yè)主要從事電力電子元件的生產。RIR的產品組合包括低功率至高功率器件和IGBT模塊，涵蓋工業(yè)、電力、鐵路、可再生能源和國防等領域。9RNesmc
據(jù)悉，2023年7月，Silicon Power Group宣布在印度奧里薩邦建立一個碳化硅工廠，該工廠將用于生產6英寸碳化硅晶圓。投資通過該集團的印度子公司RIR進行。2023年10月，RIR獲得奧里薩邦政府的批準，投資51.08億印度盧比，在奧里薩邦建設這座碳化硅器件制造和封裝工廠。工廠預計將于2025年全面投入運營。9RNesmc
值的一提的是，除了RIR，今年6月，總部位于印度欽奈的SiCSem Private Limited宣布，計劃也在印度奧里薩邦建立一座涵蓋碳化硅（SiC）制造、組裝、測試和封裝（ATMP）工廠。9RNesmc
6月15日，SiCSem與印度理工學院布巴內斯瓦爾分校（IIT-BBS）就化合物半導體領域研究事宜簽署了合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方之間首個項目是在IIT-BBS實現(xiàn)SiC晶體生長的本土化。這一項目專注于6英寸和8英寸SiC晶圓的大批量生產，預估耗資4.5億盧比（折合人民幣約3800萬元）。9RNesmc
責編：Clover.li
