價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預期。GOFesmc

觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM（高帶寬內(nèi)存）供不應求、推動DRAM買方轉為積極采購，第二季合約價最終調(diào)漲13%至18%。GOFesmc

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TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季Samsung受惠于平均銷售單價季增17%至19%，位元出貨量也小幅增加，帶動DRAM營收成長至98.2億美元，季增22%，市場份額維持第一；SK hynix則因其HBM3e（第五代高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品通過認證并實現(xiàn)量產(chǎn)，帶動位元出貨季增超過20%，營收大幅增加至79.1億美元，季增幅高達38.7%；Micron第二季的營收較上季增加14.1%，為45億美元，雖然售價微幅下降，但位元出貨量季增達15%至16%，不過由于Micron第二季積極去化低價的1beta nm DDR5次品庫存，其整體表現(xiàn)落后兩大競爭對手。GOFesmc

在各廠盈利部分，由于DRAM合約價上漲，原廠產(chǎn)能利用率已恢復滿載、認列庫存跌價損失回轉，以及DDR5、HBM等高價產(chǎn)品出貨比重提升，各原廠第二季持續(xù)保持盈利。其中，Samsung營益率自上季的22%增加至37%，SK hynix從33%增至45%，Micron則因為HBM產(chǎn)品貢獻度較低，營業(yè)利潤率僅從6.9%回升至13.1%。GOFesmc

觀察其他廠商第二季表現(xiàn)，南亞科在Consumer DRAM的終端銷售動能放緩，出貨量小幅下降，但因平均單價上揚，營業(yè)利潤率從-30.7%改善至-23.4%。華邦電因小幅調(diào)漲高容量產(chǎn)品合約價，平均銷售價格成長24%至26%，加上高單價的低容量產(chǎn)品出貨比例高，推動營收季增3.7%，達1.68億美元。力積電若只計算其生產(chǎn)的Consumer DRAM營收，第二季則季減約13.5%，但若加計代工營收則季增2.2%，則反映出代工客戶積極儲備庫存。GOFesmc

第三季DRAM合約價上調(diào)，反映國際形勢變化GOFesmc

TrendForce集邦咨詢表示，多數(shù)DRAM原廠在2024年7月下旬和PC （個人電腦）OEMs（原始設備制造商）及CSPs（云端服務業(yè)者）商定第三季合約價，結果顯示漲幅皆高于預期。TrendForce集邦咨詢據(jù)此上調(diào)Conventional DRAM第三季合約價漲幅為8%至13%，較原預估值提高約5個百分點。GOFesmc

TrendForce集邦咨詢指出，自第二季開始，中國CSPs積極備貨，采購規(guī)模較去年同期翻倍，促使DRAM原廠提價。這種情況也讓其他業(yè)者不得不上調(diào)采購價。而Server（服務器） DRAM價格漲幅上調(diào)，同樣有利于推動PC DRAM合約價的商談氣氛。GOFesmc

此外，為趕在HBM3e產(chǎn)品通過驗證后及時出貨，Samsung先已在工廠投片生產(chǎn)HBM3e晶圓，此舉將影響2024年下半年1alpha nm制程的DDR5排產(chǎn)。各原廠近期逐步完成2025年度的產(chǎn)能規(guī)劃，其中HBM生產(chǎn)比重較高的SK hynix及Samsung都將出現(xiàn)HBM3e影響DDR5的情況，預期未來幾季DRAM價格將難以回落。GOFesmc