薄膜厚度僅100納米，約為人頭發(fā)絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創(chuàng)下新紀錄，約為傳統(tǒng)半導體的7倍。這一成果有助科學家研制新型高效電子設(shè)備。dl7esmc
研究論文通訊作者、麻省理工學院的賈加迪什·穆德拉指出，他們通過分子束外延過程制造出了這款薄膜半導體。該過程需要精確控制分子束，逐個原子地構(gòu)建材料，這樣獲得的材料瑕疵最小最少，從而實現(xiàn)更高的電子遷移率。dl7esmc
研究人員向這種薄膜半導體施加電流時，記錄到電子以10000平方厘米/伏秒的破紀錄速度遷移。相比之下，在標準硅半導體內(nèi)，電子的遷移速度通常約為1400平方厘米/伏秒；在傳統(tǒng)銅線中則更慢。dl7esmc
研究人員將這種薄膜半導體比作“不堵車的高速公路”，認為這有助于研制更高效、更可持續(xù)的電子設(shè)備，如自旋電子設(shè)備和可將廢熱轉(zhuǎn)化為電能的可穿戴熱電設(shè)備。dl7esmc
研究團隊指出，即使材料中最微小的瑕疵也會阻礙電子運動，從而影響電子遷移率。他們希望進一步改進制作過程，讓薄膜變得更纖薄，從而更好地應(yīng)用于未來的自旋電子設(shè)備和可穿戴熱電設(shè)備。dl7esmc
責編：Elaine
