報道稱，鎧俠計劃于2026年量產(chǎn)第10代NAND，并決定采用低溫蝕刻技術(shù)。該技術(shù)允許在更低溫的環(huán)境下進(jìn)行蝕刻，從而使存儲器的存儲單元間的存儲通孔（memory hole）以更快的速度形成。RXCesmc
而這種效率的提升不僅可以減少生產(chǎn)時間，還能大幅提高單位時間的生產(chǎn)量。相比傳統(tǒng)的電漿蝕刻法，低溫蝕刻的加工速度提升了約4倍，標(biāo)志著存儲技術(shù)的一次重要革新。RXCesmc
2023年6月，Tokyo Electron成功開發(fā)出一種用于存儲芯片的通孔蝕刻技術(shù)。該設(shè)備可用于制造400層以上堆疊的3D NAND閃存芯片。TEL當(dāng)時表示，該技術(shù)首次將電蝕刻應(yīng)用帶入到低溫范圍中，產(chǎn)生了具有極高蝕刻速率的系統(tǒng)。這項創(chuàng)新技術(shù)可在短短33分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)10μm深的高縱橫比(晶圓上形成的圖案的深度與寬度之比)蝕刻。RXCesmc
目前，市場傳出存儲廠商都將采用低溫蝕刻設(shè)備。其中，三星電子正在通過進(jìn)口該設(shè)備的演示版本來評估相同的技術(shù)，而這些測試的結(jié)果將決定半導(dǎo)體制造中低溫蝕刻技術(shù)的未來采用和潛在的標(biāo)準(zhǔn)化。RXCesmc
責(zé)編：Elaine
