三星在V7中將single-deck改為double-deck，并采用了2D陣列-外圍設(shè)計來集成COP(cell on peripheral)。三星已經(jīng)在市場上推出了V8 236L 1Tb TLC產(chǎn)品，這是他們的第二款COP結(jié)構(gòu)。今年，三星剛剛推出了300L以下的V9 286L（290層左右)。三星目前擁有286L V9 COP V-NAND。E5kesmc
此外，三星還為990 EVO添加了133L V6 Prime版本，即所謂的V6P，而不是128L V6。133L是一個沒有COP結(jié)構(gòu)的single deck?？倴艠O數(shù)為140，活動字線（active wordline）數(shù)從128增加到133，速度增加到1,600 MT/s，在512Gb晶片上有2個平面（plane），每個平面有2個子平面。下一代V10將采用混合鍵合技術(shù)，類似于即將推出的鎧俠218L CBA和長江存儲目前的Xtacking 3D NAND產(chǎn)品。E5kesmc
鎧俠（KIOXIA）和西部數(shù)據(jù)（WDC）保持了BiCS結(jié)構(gòu)，市場上的大部分產(chǎn)品仍然是112L，第5代。去年，TechInsights采購了162L BiCS第六代。BiCS6 162L可能不會持續(xù)太久。鎧俠將跳過BiCS的第7代，而即將到來的BiCS第8代將擁有218個active WL layers，而下一代將開發(fā)284個WL層。218L和284L 3D NAND器件將采用雙晶圓的混合鍵合技術(shù)。如果3xx層開發(fā)進(jìn)展順利，可能會再次跳過284L。E5kesmc
SK海力士延續(xù)了4D PUC結(jié)構(gòu)。目前市場將廣泛使用SK海力士V7 176L和V8 238L 4D PUC批量產(chǎn)品。下一款V9 321L 4D PUC將于明年上市，400層以下的370L或380L等3yy-層器件可能會陸續(xù)推出。E5kesmc
責(zé)編：Momoz
