根據(jù)士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司（以下簡稱“廈門半導(dǎo)體集團(tuán)”）、廈門新翼科技實業(yè)有限公司（以下簡稱“廈門新翼”）共同向子公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“士蘭集宏”）增資41.50億元并簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。Onuesmc
其中：士蘭微認(rèn)繳10億元，廈門半導(dǎo)體集團(tuán)認(rèn)繳10億元，廈門新翼認(rèn)繳21.50億元。本次增資前，士蘭集宏由士蘭微出資6000萬元，100%持股，本次增資完成后，士蘭集宏的注冊資本將由0.60億元增加至42.10億元。Onuesmc
Onuesmc
與此同時，根據(jù)士蘭微與廈門市政府、廈門市海滄區(qū)政府簽署的《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》，士蘭微與廈門半導(dǎo)體集團(tuán)、廈門新翼于當(dāng)日簽署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。Onuesmc
根據(jù)協(xié)議，士蘭集宏將作為該項目的負(fù)責(zé)主體建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線。該項目分兩期建設(shè)，一期投資規(guī)模約70億元，新增8英寸SiC芯片3.5萬片/月的生產(chǎn)能力，二期投資規(guī)模約50億元，新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力。Onuesmc
兩期建設(shè)完成后，將在廈門市海滄區(qū)形成8英寸碳化硅功率器件芯片年產(chǎn)72萬片的生產(chǎn)能力，培育一家符合國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、開展以第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)、制造和銷售為主要業(yè)務(wù)、具有國際化經(jīng)營能力的半導(dǎo)體公司。 Onuesmc
本次合作是繼士蘭集科“12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線”和士蘭明鎵“先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線”兩大重要項目后，士蘭微電子落地廈門的第三個重要項目。Onuesmc
作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Onuesmc
責(zé)編：Elaine
