力積電表示，銅鑼新廠從2021年3月動(dòng)土興建，耗時(shí)約3年落成啟用?？偼顿Y額超3000億元新臺(tái)幣（約合人民幣660億元），主要生產(chǎn)55、40、28納米制程的芯片，預(yù)計(jì)月產(chǎn)能可達(dá)5萬(wàn)片。NM3esmc

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據(jù)力積電消息，銅鑼新廠已完成首批設(shè)備安裝，并投入試產(chǎn)，將成為推進(jìn)制程技術(shù)、爭(zhēng)取大型國(guó)際客戶訂單的主力平臺(tái)。未來(lái)還計(jì)劃在同一廠區(qū)內(nèi)增建第二期廠房以應(yīng)對(duì)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)。NM3esmc

此外，力積電與日本SBI控股株式會(huì)社計(jì)劃攜手在日本宮城縣興建晶圓廠。SBI 會(huì)長(zhǎng)表示，該座宮城晶圓廠投產(chǎn)時(shí)間從原先規(guī)劃的2027年提前至2026年。據(jù)悉，該座晶圓廠預(yù)定會(huì)在2024年內(nèi)動(dòng)工。NM3esmc

上述宮城晶圓廠將分為2期工程，第1期工程月產(chǎn)能為1萬(wàn)片（以12英寸硅晶圓換算），將生產(chǎn)40納米、55納米晶圓，第2期工程預(yù)計(jì)2029年投產(chǎn)，除上述40納米、55納米產(chǎn)品之外，也將生產(chǎn)28納米以及活用WoW（Wafer-on-Wafer）技術(shù)的芯片，月產(chǎn)能將達(dá)4萬(wàn)片。NM3esmc

行業(yè)今年迎晶圓廠投資高峰，日本成投資熱門地NM3esmc

近兩年，全球晶圓廠投資熱度只增不減，據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，近期，包括臺(tái)積電、Rapidus、瑞薩電子、力積電、臺(tái)積電、聯(lián)電、三星、英特爾、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)等都已陸續(xù)宣布擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)態(tài)，其中多家新廠集中于日本。行業(yè)人士表示，日本的芯片制造布局已逐步涵蓋從成熟制程到先進(jìn)工藝的進(jìn)階路線。NM3esmc

據(jù)悉，臺(tái)積電位于日本熊本縣的工廠已經(jīng)在今年2月下旬正式開業(yè)，該工廠采用22/28納米以及12/16納米制程技術(shù)，計(jì)劃于年底開始量產(chǎn)。同時(shí)，臺(tái)積電將與索尼、電裝、豐田汽車等合作伙伴共同增資其日本公司JASM，并于年內(nèi)開工建設(shè)日本第二工廠，目標(biāo)是2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并可望將制程推進(jìn)至6納米。此外，能夠生產(chǎn)3納米芯片的“三廠”也在考慮之中。前行業(yè)消息顯示，日本政府為JASM晶圓廠的開發(fā)提供4760億日元（32億美元）的補(bǔ)貼，占該設(shè)施支出86億美元的大部分。NM3esmc

Rapidus則是日本當(dāng)紅新星。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省近日宣布，2024年度將向Rapidus最多提供5900億日元補(bǔ)貼。該公司于2022年在日本政府支持下由8家相關(guān)企業(yè)聯(lián)合設(shè)立，目標(biāo)是在2025年啟動(dòng)2納米邏輯芯片試產(chǎn)，2027年大規(guī)模量產(chǎn)。值得注意的是，過(guò)去日本政府對(duì)Rapidus的支持主要集中在半導(dǎo)體制造的“前工序”，而今年將首次對(duì)“后工序”技術(shù)開發(fā)提供補(bǔ)貼，規(guī)模約為535億日元。NM3esmc

鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)則已在日本三重縣四日市建設(shè)了一座12英寸合資工廠，今年2月消息，日本向鎧俠和西部數(shù)據(jù)提供2429億日元（約合16.4億美元）補(bǔ)貼，幫助鎧俠和西部數(shù)據(jù)在三重縣和巖手縣擴(kuò)大存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)。NM3esmc

瑞薩電子則于4月11日宣布，為增加IGBT等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)能正式重啟此前已經(jīng)關(guān)閉的位于日本山梨縣的甲府工廠。該公司承諾斥資900億日元在現(xiàn)有工廠安裝一條12英寸硅片生產(chǎn)線。據(jù)悉，計(jì)劃于2024年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，瑞薩電子預(yù)計(jì)將獲得日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的支持。NM3esmc

此前，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，將在日本石川縣的主要分立器件生產(chǎn)基地（加賀東芝電子公司）打造一座新的12英寸晶圓制造設(shè)施，以擴(kuò)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，該工廠第一階段生產(chǎn)計(jì)劃將今年內(nèi)啟動(dòng)。據(jù)悉，東芝和羅姆半導(dǎo)體達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，東芝能美功率半導(dǎo)體工廠將開始與羅姆在宮崎縣國(guó)富市新開發(fā)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體工廠進(jìn)行生產(chǎn)整合。消息人士稱，此次合作預(yù)計(jì)將獲得政府補(bǔ)貼，相當(dāng)于該項(xiàng)目投資的三分之一。NM3esmc

2025年后，美光位于日本的廣島工廠也將開始生產(chǎn)最先進(jìn)產(chǎn)品“1γ(Gamma)”DRAM，且美光計(jì)劃在廣島工廠生產(chǎn)生成式AI用高寬頻存儲(chǔ)器(HBM)。NM3esmc