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三星正在考慮在其下一代DRAM中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。

三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 存儲(chǔ)器的MUF 技術(shù)，與 TC NCF 相較其傳輸量有所提升。

據(jù)悉，MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的硅穿孔 (TSV) 技術(shù)后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆棧的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。而經(jīng)過(guò)測(cè)試后獲得的結(jié)論，MUF 不適用于高頻寬存儲(chǔ)器 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術(shù)制造，主要應(yīng)用于服務(wù)器上。Hc7esmc

在此之前，三星已經(jīng)在其現(xiàn)有的雙列直插式存儲(chǔ)器模塊（RDIMM）中使用了熱壓非導(dǎo)電膜（TC NCF）技術(shù)。而 MUF 是另一家存儲(chǔ)大廠(chǎng)用于制造高頻寬存儲(chǔ)器（HBM）的技術(shù)，其所用的技術(shù)為 Mass Re-flow Molded Underfill，簡(jiǎn)稱(chēng) MR-MUF。事實(shí)上，MUF 是一種環(huán)氧樹(shù)脂模塑化合物，自從該大廠(chǎng)成功將其應(yīng)用于 HBM 生產(chǎn)后，便在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中受到關(guān)注，業(yè)界認(rèn)為該材料被認(rèn)為在避免晶圓翹曲方面更有優(yōu)勢(shì)。Hc7esmc

消息人士稱(chēng)三星計(jì)劃與三星 SDI 合作開(kāi)發(fā)自己的 MUF 化合物，目前已經(jīng)訂購(gòu)了 MUF 應(yīng)用所需的模壓設(shè)備。而因?yàn)槿鞘鞘澜缱畲蟮拇鎯?chǔ)器龍頭企業(yè)，所以若三星也導(dǎo)入 MUF，那么 MUF 可能會(huì)成為主流技術(shù)，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)也會(huì)發(fā)生巨大的變化。（文章來(lái)源：科技新報(bào)）Hc7esmc

責(zé)編：Echo

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三星的DRAM考慮MUF技術(shù)

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