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超350個(gè)!2023年全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全面開(kāi)花(附全名單)

過(guò)去一年里,終端消費(fèi)蕭條蔓延至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié),業(yè)界大多采取保守態(tài)度應(yīng)之,不過(guò)“冬中生暖”,產(chǎn)業(yè)下行周期之下,部分細(xì)分領(lǐng)域卻呈現(xiàn)逆勢(shì)增長(zhǎng),因此吸引了許多廠(chǎng)商落子布局,一大批半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目如火如荼地進(jìn)行。

從項(xiàng)目部署上看,據(jù)全球半導(dǎo)體觀(guān)察不完全統(tǒng)計(jì),2023年全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超350個(gè)項(xiàng)目迎來(lái)新進(jìn)展,其中簽約/落地項(xiàng)目超100個(gè),開(kāi)工/奠基項(xiàng)目超90個(gè),竣工投產(chǎn)項(xiàng)目超50個(gè),封頂項(xiàng)目超50個(gè)(文末附項(xiàng)目全名單),項(xiàng)目涵蓋第三代半導(dǎo)體、存儲(chǔ)器、汽車(chē)芯片、先進(jìn)封裝、傳感器、射頻芯片、硅片、半導(dǎo)體設(shè)備等領(lǐng)域。IlYesmc

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遍地開(kāi)花

超350個(gè)項(xiàng)目按下“加速鍵”IlYesmc

整體來(lái)看,在已披露金額的超350個(gè)項(xiàng)目中,投資額最高的是華虹制造(無(wú)錫)項(xiàng)目二期金額為67億美元(約480.07億元人民幣),其次是晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目,金額為210億元;長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目,金額超200億元。IlYesmc

超100個(gè)項(xiàng)目簽約/落地,逾50億元以上金額占7個(gè)IlYesmc

在簽約/落地的項(xiàng)目中,投資金額超50億元以上的簽約項(xiàng)目包括杰平方半導(dǎo)體中國(guó)香港首間碳化硅(SiC)8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)(63.22億元)、中鐵投實(shí)業(yè)模擬芯片制造項(xiàng)目(56億元)、陜投新興功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化基地(51億元)、嘉力豐正特色工藝晶圓制造項(xiàng)目(51億元)、科睿斯半導(dǎo)體FCBGA(ABF)高端載板產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目(50億元)、共創(chuàng)科技光電半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園(50億元)、清研半導(dǎo)體高品質(zhì)碳化硅單晶材料及裝備項(xiàng)目(50億元)。IlYesmc

其中,杰平方半導(dǎo)體擬在中國(guó)香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心,并投資開(kāi)設(shè)中國(guó)香港首間碳化硅(SiC)8英寸先進(jìn)垂直整合晶圓廠(chǎng)。該項(xiàng)目總投資額預(yù)約港幣69億元(人民幣63.22億元),按規(guī)劃通線(xiàn)、擴(kuò)產(chǎn),包括芯片及微電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)、微電子模組化及生產(chǎn)流程發(fā)展等,將于2028年達(dá)到年產(chǎn)量24萬(wàn)片碳化硅晶圓,建成后,將帶動(dòng)年產(chǎn)值超過(guò)港幣110億元,并創(chuàng)造超過(guò)700個(gè)本地及吸引國(guó)際專(zhuān)業(yè)人士來(lái)中國(guó)香港的就業(yè)職位。IlYesmc

中鐵投實(shí)業(yè)模擬芯片項(xiàng)目位于安徽潛山市,計(jì)劃分兩期建設(shè),一期計(jì)劃投資21億元,建設(shè)年產(chǎn)20億顆模擬芯片制造生產(chǎn)線(xiàn),達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售額20億元;二期計(jì)劃投資35億元,建設(shè)年產(chǎn)40億顆模擬芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)。IlYesmc

此外,浙江旺榮半導(dǎo)體中高壓功率晶圓擴(kuò)能項(xiàng)目(30億元)、晶盛機(jī)電碳化硅襯底片項(xiàng)目(21.2億元)、富樂(lè)德半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目傳感器子項(xiàng)目(20億元)、領(lǐng)存技術(shù)集成電路封裝生產(chǎn)測(cè)試項(xiàng)目(約10億元)、佰維存儲(chǔ)第二總部及測(cè)試設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目(30.2億元)、萬(wàn)潤(rùn)存儲(chǔ)器項(xiàng)目、華大九天陜西研發(fā)基地項(xiàng)目等也備受市場(chǎng)關(guān)注。IlYesmc

開(kāi)工/奠基項(xiàng)目超90個(gè),百億項(xiàng)目居多IlYesmc

從表中看,2023年超90個(gè)項(xiàng)目迎來(lái)了開(kāi)工/奠基,其中百億項(xiàng)目共計(jì)8個(gè),超50億元項(xiàng)目約6個(gè)。IlYesmc

百億項(xiàng)目包括晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目(210億元)、長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目(超200億元)、濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目(先期180億元)、西部科學(xué)城重慶高新區(qū)芯片項(xiàng)目(145億元)、麗豪半導(dǎo)體一期項(xiàng)目(約110億元)、先導(dǎo)集成電路關(guān)鍵材料與高端化合物半導(dǎo)體及器件模組項(xiàng)目(110億元)、ASB芯片先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目(103億元)、創(chuàng)豪半導(dǎo)體高階封裝基板項(xiàng)目(約100億元)。IlYesmc

其中,晶合集成12英寸晶圓制造項(xiàng)目落于安徽合肥新站綜合保稅區(qū),主要從事12英寸晶圓代工業(yè)務(wù),是安徽首家12英寸晶圓代工企業(yè),也是合肥首個(gè)百億級(jí)以上的集成電路項(xiàng)目。晶合集成三期晶圓廠(chǎng)于2023年10月27日落成,將重點(diǎn)圍繞車(chē)規(guī)級(jí)制程平臺(tái)開(kāi)發(fā)。IlYesmc

長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件生產(chǎn)項(xiàng)目于2023年8月落戶(hù)湖北武漢光谷,項(xiàng)目一期總投資100億元,可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓,包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。IlYesmc

濱海新區(qū)電子信息基地項(xiàng)目,分階段建設(shè),先期形成12英寸晶圓9萬(wàn)片/月的產(chǎn)能規(guī)模,預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)值90億元以上,規(guī)劃未來(lái)5至10年內(nèi)預(yù)計(jì)完成投資560億元。項(xiàng)目整體實(shí)施后,將與已有的集成電路晶圓制造項(xiàng)目構(gòu)建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務(wù)平臺(tái),形成“千畝千億”產(chǎn)業(yè)規(guī)模,打造世界級(jí)模擬類(lèi)芯片技術(shù)研發(fā)和大規(guī)模生產(chǎn)基地。IlYesmc

西部科學(xué)城重慶高新區(qū)芯片項(xiàng)目建設(shè)一條2萬(wàn)片/月的集成電路特色工藝線(xiàn),建設(shè)期5年。該項(xiàng)目建成后年產(chǎn)值預(yù)計(jì)可達(dá)35億元,將帶動(dòng)輻射產(chǎn)業(yè)鏈上下游千億產(chǎn)值聚集。目前,西部(重慶)科學(xué)城已初步形成從6英寸、8英寸到12英寸,全產(chǎn)業(yè)鏈、全規(guī)格的集成電路產(chǎn)業(yè),力爭(zhēng)到2027年,打造集成電路特色工藝集聚高地,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值700億元。IlYesmc

超50億元項(xiàng)目包括天域半導(dǎo)體總部及生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目(80億元)、中國(guó)中車(chē)中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目(一期59億元)、德信芯片高端功率器件晶圓研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目(50億元)、漢瑞通信半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目(50億元)、康源電子南通封裝載板項(xiàng)目(50億元)、深藍(lán)科技半導(dǎo)體設(shè)備及關(guān)鍵零部件項(xiàng)目(超51億元)。IlYesmc

竣工/投產(chǎn)項(xiàng)目超50個(gè),封頂超50個(gè)...IlYesmc

除了簽約、開(kāi)工外,還有一批半導(dǎo)體項(xiàng)目迎來(lái)竣工/投產(chǎn)、封頂、落成、量產(chǎn)、驗(yàn)收等,涉及華為、晶盛機(jī)電、華天科技、粵芯半導(dǎo)體、積塔半導(dǎo)體、捷捷微電、基本半導(dǎo)體、頎中科技、芯恒源、盛美半導(dǎo)體、微容科技、華潤(rùn)微電子、中環(huán)領(lǐng)先、利揚(yáng)芯片、比亞迪等企業(yè)。IlYesmc

從表中可知,竣工/投產(chǎn)的項(xiàng)目包括國(guó)家三代半技術(shù)創(chuàng)新中心(江蘇南京)一期項(xiàng)目、中芯富晟高端集成電路封裝測(cè)試項(xiàng)目、微容科技一期高端MLCC、浙江大和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園三期建設(shè)項(xiàng)目、中微創(chuàng)芯高端智能功率模塊(IPM)項(xiàng)目、中環(huán)領(lǐng)先高端硅基材料項(xiàng)目、比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期、旺榮半導(dǎo)體8英寸功率器件項(xiàng)目、吉盛微湖北武漢碳化硅制造基地等。IlYesmc

封頂?shù)捻?xiàng)目包括晶盛機(jī)電聯(lián)合創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目、頎中先進(jìn)封裝測(cè)試生產(chǎn)基地、承芯半導(dǎo)體高端濾波器項(xiàng)目、捷捷微電子功率半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目、華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目、華潤(rùn)微電子MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)園(二期)項(xiàng)目、利揚(yáng)芯片集成電路測(cè)試項(xiàng)目、中國(guó)電科(山西)三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心項(xiàng)目等。IlYesmc

值得一提的是,與華天科技相關(guān)的項(xiàng)目有四個(gè),華天科技(寶雞)集成電路蝕刻高端銅合金引線(xiàn)框架項(xiàng)目、華天存儲(chǔ)及射頻類(lèi)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、上海華天集成電路有限公司一期新建項(xiàng)目完成封頂,還有江蘇華天晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)基地項(xiàng)目首批設(shè)備已進(jìn)廠(chǎng),3號(hào)廠(chǎng)房開(kāi)始動(dòng)工。而積塔半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線(xiàn)陸續(xù)迎來(lái)進(jìn)展,其12英寸汽車(chē)芯片先導(dǎo)線(xiàn)于2023年6月成功通線(xiàn);特色工藝生產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)項(xiàng)目(二階段)主廠(chǎng)房于9月28日封頂。IlYesmc

此外,還有整體投資金額最高的華虹制造(江蘇無(wú)錫)項(xiàng)目主廠(chǎng)房鋼屋架啟動(dòng)吊裝、華為上海青浦研發(fā)中心基本建成、粵芯半導(dǎo)體12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目(三期)主廠(chǎng)房封頂、中芯紹興三期12英寸特色工藝晶圓制造中試線(xiàn)項(xiàng)目量產(chǎn)、盛合晶微江陰制造基地二期生產(chǎn)廠(chǎng)房擴(kuò)建項(xiàng)目投入使用、芯恒源存儲(chǔ)芯片切割研磨封測(cè)項(xiàng)目達(dá)到全面正負(fù)零、基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)、甬矽電子集成電路IC芯片封測(cè)項(xiàng)目二期落成、安世半導(dǎo)體封測(cè)廠(chǎng)擴(kuò)建項(xiàng)目摘牌等。IlYesmc

上游項(xiàng)目占比高

產(chǎn)能集中華東地區(qū)IlYesmc

從產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)上看,在去年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目中,上游半導(dǎo)體材料占地最高,涉及晶盛機(jī)電、天科合達(dá)、天岳先進(jìn)、江豐電子、博康、先導(dǎo)集成、有研半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體、中環(huán)領(lǐng)先、盾源聚芯等;其次是中游核心環(huán)節(jié)IC制造,涉及華虹半導(dǎo)體、晶合集成、芯粵能、積塔半導(dǎo)體、捷捷微電、中芯集成、粵芯半導(dǎo)體、格科微、廣芯微電子等。IlYesmc

IC設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)涉及的企業(yè)包括華為、華大九天、龍芯中科、芯啟源、思瑞浦、揚(yáng)賀揚(yáng)、至訊創(chuàng)新、廣立微、艾為電子、展芯半導(dǎo)體、矽力杰等;IC封測(cè)則包括華天科技、安世半導(dǎo)體、甬矽電子、芯動(dòng)半導(dǎo)體、長(zhǎng)電科技、芯恒源、越亞半導(dǎo)體、利揚(yáng)芯片等。IlYesmc

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圖片來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀(guān)察制表IlYesmc

從地區(qū)分布上看,大部份半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目位于江蘇、浙江、上海、安徽、山東等華東地區(qū),江蘇和浙江占比較高,值得一提的是一大半的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目集中于華東地區(qū);華南地區(qū)廣東、西南地區(qū)四川、華中地區(qū)湖北等占比處于中間水位。IlYesmc

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圖片來(lái)源:全球半導(dǎo)體觀(guān)察制表IlYesmc

細(xì)分領(lǐng)域“突飛猛進(jìn)”

三代半等頻繁出圈IlYesmc

去年整體行情不明朗,但部分細(xì)分領(lǐng)域的高速增長(zhǎng)吸引市場(chǎng)關(guān)注。從表中獲悉,光刻膠、硅基、石英制品、高純電子特種氣體、超純化學(xué)品等半導(dǎo)體材料/設(shè)備、碳化硅、氮化鎵、傳感器、汽車(chē)芯片、IGBT功率器件等是去年廠(chǎng)商們重點(diǎn)布局的領(lǐng)域。IlYesmc

近年來(lái),汽車(chē)電動(dòng)化漸成大趨勢(shì),得益于新能汽車(chē)、工業(yè)等應(yīng)用需求的增長(zhǎng),市場(chǎng)對(duì)高效電力系統(tǒng)的需求正在不斷增加,為了應(yīng)對(duì)這一趨勢(shì),相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在向以碳化硅(SiC)和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料過(guò)渡。因此,碳化硅、氮化鎵等功率器件大受市場(chǎng)歡迎。IlYesmc

從應(yīng)用領(lǐng)域上講,氮化鎵除了消費(fèi)端外,正在擴(kuò)展電動(dòng)汽車(chē)、計(jì)算(數(shù)據(jù)中心、人工智能、基礎(chǔ)設(shè)施)、可再生能源、工業(yè)電源以及快速充電器/適配器等快速增長(zhǎng)市場(chǎng)的應(yīng)用。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún),全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。而碳化硅方面,TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)期,至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)??赏_(dá)53.3億美元,其主流應(yīng)用仍倚重電動(dòng)汽車(chē)及可再生能源。IlYesmc

碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目包括長(zhǎng)光華芯先進(jìn)化合物半導(dǎo)體光電子平臺(tái)新建項(xiàng)目、芯粵能碳化硅項(xiàng)目、天域半導(dǎo)體總部及生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目、泰科天潤(rùn)碳化硅總部項(xiàng)目、基本半導(dǎo)體車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線(xiàn)、乾晶半導(dǎo)體碳化硅襯底項(xiàng)目中試線(xiàn)、晶盛機(jī)電碳化硅襯底片項(xiàng)目、吉盛微武漢碳化硅制造基地、中科重儀自研功率型硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)、博康(嘉興)半導(dǎo)體氮化鎵射頻功率芯片先導(dǎo)線(xiàn)項(xiàng)目等。IlYesmc

與此同時(shí),國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)此前表示,2023年及2024分別有11座及42座晶圓廠(chǎng)投產(chǎn),涵蓋了4英寸到12英寸晶圓的生產(chǎn)線(xiàn)。另?yè)?jù)全球半導(dǎo)體觀(guān)察不完全統(tǒng)計(jì),中國(guó)大陸晶圓代工廠(chǎng)規(guī)模達(dá)到44家、未來(lái)將增至32家,制程方面則將專(zhuān)注于成熟工藝。業(yè)界認(rèn)為未來(lái)預(yù)計(jì)會(huì)有更多的晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能釋放,將帶動(dòng)上游半導(dǎo)體材料和設(shè)備的需求。IlYesmc

去年涉及的材料/設(shè)備項(xiàng)目,包括江豐臨港基地電子專(zhuān)用材料產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、上海新昇半導(dǎo)體集成電路硅材料工程研發(fā)配套項(xiàng)目、山東有研刻蝕設(shè)備用硅材料及硅片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、滬碳年產(chǎn)3萬(wàn)噸半導(dǎo)體用高端等靜壓石墨材料生產(chǎn)項(xiàng)目、中環(huán)領(lǐng)先高端硅基材料項(xiàng)目、晶升股份總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項(xiàng)目等。IlYesmc

此外,上述表中不乏有存儲(chǔ)器項(xiàng)目,包括致真存儲(chǔ)芯片制造項(xiàng)目、佰維存儲(chǔ)晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)制造項(xiàng)目、華迅科技高可靠性存儲(chǔ)器生產(chǎn)項(xiàng)目、萬(wàn)潤(rùn)存儲(chǔ)器項(xiàng)目、至訊創(chuàng)新(二期)項(xiàng)目、同有科技存儲(chǔ)系統(tǒng)及SSD研發(fā)智能制造基地項(xiàng)目等。值得一提的是,去年下半年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)反轉(zhuǎn),存儲(chǔ)芯片開(kāi)始上漲,存儲(chǔ)廠(chǎng)商終于等來(lái)暖春。據(jù)TrendForce集邦咨詢(xún)研究,預(yù)估2024年第一季NAND Flash合約價(jià)平均季漲幅15~20%;DRAM合約價(jià)季漲幅約13~18%,其中Mobile DRAM持續(xù)領(lǐng)漲。IlYesmc

結(jié)語(yǔ)

從上述大批量半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目動(dòng)態(tài)上看,由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的供需關(guān)系變化多端,產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)布局重點(diǎn)有所變動(dòng),項(xiàng)目聚焦在第三代半導(dǎo)體、IGBT、半導(dǎo)體材料、傳感器等細(xì)分領(lǐng)域??傮w而言,雖然去年整體行業(yè)迷霧環(huán)繞,但廠(chǎng)商們有條不紊地展開(kāi)部署,只為蓄能以待機(jī)遇降臨。IlYesmc

此外隨著AI、5G、HPC、新能源等應(yīng)用市場(chǎng)拉升芯片需求,加上近期消費(fèi)終端暖風(fēng)傳來(lái),存儲(chǔ)器、CIS、模擬IC、功率半導(dǎo)體等上游芯片價(jià)格上揚(yáng),業(yè)界揚(yáng)言,看好未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度。這也意味著,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已然渡過(guò)了最辛苦的低谷期,產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)“齒輪”開(kāi)始轉(zhuǎn)動(dòng)。另?yè)?jù)國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示,展望未來(lái),全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在2024年實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)。IlYesmc

2023年全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目IlYesmc

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責(zé)編:Momoz
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