消息人士稱(chēng)，光掩膜制造商增加的產(chǎn)能不足，難以滿足需求，2024年商品價(jià)格上漲將不可避免。HLEesmc
光掩膜需求上升，廠商積極布局HLEesmc
資料顯示，半導(dǎo)體制造環(huán)節(jié)中所需的材料多達(dá)數(shù)百種，按照類(lèi)別劃分主要包括硅片、光掩膜、光刻膠及配套試劑、電子氣體、工藝化學(xué)品、濺射靶材、拋光材料等，光掩膜雖然在其中占比雖然沒(méi)有硅片高，但其重要性同樣不容忽視。HLEesmc
光掩膜的作用主要體現(xiàn)在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝的光刻環(huán)節(jié)，掩膜上印有集成電路的圖形、工藝等信息，光刻機(jī)將這些圖形曝光在涂有光刻膠的晶圓上，然后經(jīng)過(guò)顯影、清洗等步驟，就能把圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。HLEesmc
由于芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜，一層掩膜難以包含全部電路信息，所以往往需要多層掩膜協(xié)助生產(chǎn)，隨著芯片制程日益先進(jìn)，電路圖案也更加精細(xì)，所需的掩膜層數(shù)也就越來(lái)越高。例如，成熟制程可能需要30層光掩膜，而在最新的先進(jìn)制程中則可能需要多達(dá)70到80個(gè)光掩膜來(lái)處理。HLEesmc
因此，隨著晶圓代工廠商不斷發(fā)力先進(jìn)制程工藝，光掩膜需求將隨之增加。HLEesmc
目前全球光掩膜市場(chǎng)格局以海外廠商占主導(dǎo)地位，同時(shí)國(guó)內(nèi)廠商也在積極布局。HLEesmc
海外廠商中，包括凸版印刷（Toppan）、Photronics和DaiNippon Printing的工廠當(dāng)前的產(chǎn)能利用率都維持在100%。凸版印刷公司在其最新單季財(cái)報(bào)（7月至9月）中表示，預(yù)計(jì)2023年對(duì)光掩膜的強(qiáng)勁需求將持續(xù)，該公司計(jì)劃通過(guò)其全球生產(chǎn)設(shè)施擴(kuò)大其光掩膜產(chǎn)能。DaiNippon Printing也在4月至9月期間的半年財(cái)報(bào)中看好未來(lái)市況。HLEesmc
國(guó)內(nèi)廠商方面，今年11月，冠石科技對(duì)外表示，公司投資建設(shè)的光掩膜版項(xiàng)目目前處于建設(shè)階段，首批設(shè)備交付后預(yù)計(jì)2025年公司即可實(shí)現(xiàn)45nm光掩膜版的量產(chǎn)，待全部設(shè)備交付后預(yù)計(jì)2028年可實(shí)現(xiàn)28nm光掩膜版的量產(chǎn)。待項(xiàng)目全部建成以后，將具備年產(chǎn)12,450片半導(dǎo)體光掩膜版的生產(chǎn)能力，產(chǎn)品制程覆蓋350-28nm（其中以45-28nm成熟制程為主）。HLEesmc
此前10月，清溢光電對(duì)外透露，半導(dǎo)體芯片掩膜版技術(shù)方面，公司已實(shí)現(xiàn)180nm工藝節(jié)點(diǎn)半導(dǎo)體芯片掩膜版的客戶測(cè)試認(rèn)證及量產(chǎn)，同步開(kāi)展130nm-65nm半導(dǎo)體芯片掩膜版的工藝研發(fā)和28nm半導(dǎo)體芯片所需的掩膜版工藝開(kāi)發(fā)規(guī)劃。HLEesmc
責(zé)編：Elaine
