而HBM3e進(jìn)度依據(jù)時(shí)間軸排列如下表所示，美光（Micron）已于今年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA樣品、SK海力士（SK hynix）已于今年8月中提供8hi（24GB）樣品、三星則于今年10月初提供8hi（24GB）樣品。SY3esmc
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由于HBM驗(yàn)證過(guò)程繁瑣，預(yù)計(jì)耗時(shí)兩個(gè)季度，因此，TrendForce集邦咨詢預(yù)期，最快在2023年底可望取得部分廠商的HBM3e驗(yàn)證結(jié)果，而三大原廠均預(yù)計(jì)于2024年第一季完成驗(yàn)證。值得注意的是，各原廠的HBM3e驗(yàn)證結(jié)果，也將決定最終NVIDIA 2024年在HBM供應(yīng)商的采購(gòu)權(quán)重分配，然目前驗(yàn)證皆尚未完成，因此2024年HBM整體采購(gòu)量仍有待觀察。SY3esmc
NVIDIA持續(xù)擴(kuò)展AI芯片產(chǎn)品，在高端芯片市場(chǎng)擁最大優(yōu)勢(shì)SY3esmc
展望2024年，觀察目前各AI芯片供應(yīng)商的項(xiàng)目進(jìn)度，NVIDIA 2023年的高端AI芯片（采用HBM）的既有產(chǎn)品為A100/A800以及H100/H800；2024年則將把產(chǎn)品組合（Product Portfolio）更細(xì)致化的分類(lèi)。除了原上述型號(hào)外，還將再推出使用6顆HBM3e的H200以及8顆HBM3e的B100，并同步整合NVIDIA自家基于Arm架構(gòu)的 CPU與GPU，推出GH200以及GB200。SY3esmc
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相比同時(shí)期的AMD與Intel產(chǎn)品規(guī)劃，AMD 2024年出貨主流為MI300系列，采用HBM3，下一代MI350將采用HBM3e，預(yù)計(jì)2024下半年開(kāi)始進(jìn)行HBM驗(yàn)證，實(shí)際看到較明顯的產(chǎn)品放量（Ramp Up）時(shí)間預(yù)估應(yīng)為2025年第一季。SY3esmc
以Intel Habana來(lái)看，2022下半年推出的Gaudi 2采用6顆HBM2e，2024年中預(yù)期在新型號(hào)Gaudi 3持續(xù)采取HBM2e，但將用量升級(jí)至8顆。因此，TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，NVIDIA在HBM規(guī)格、產(chǎn)品準(zhǔn)備度（Readiness）及時(shí)間軸上，可望持續(xù)以領(lǐng)先的GPU規(guī)格，在AI芯片競(jìng)局取得領(lǐng)先。SY3esmc
HBM4或?qū)⑥D(zhuǎn)向客制化，擺脫Commodity DRAM產(chǎn)品框架SY3esmc
除了HBM3與HBM3e外，據(jù)TrendForce集邦咨詢了解， HBM4預(yù)計(jì)規(guī)劃于2026年推出，目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端業(yè)者）在未來(lái)的產(chǎn)品應(yīng)用上，規(guī)格和效能將更優(yōu)化。受到規(guī)格更往高速發(fā)展帶動(dòng)，將首次看到HBM最底層的Logic die（又名Base die）采用12nm制程wafer，該部分將由晶圓代工廠提供，使得單顆HBM產(chǎn)品需要結(jié)合晶圓代工廠與存儲(chǔ)器廠的合作。SY3esmc
再者，隨著客戶對(duì)運(yùn)算效能要求的提升，HBM4在堆棧的層數(shù)上，除了現(xiàn)有的12hi (12層)外，也將再往16hi (16層)發(fā)展，更高層數(shù)也預(yù)估帶動(dòng)新堆棧方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi產(chǎn)品將于2026年推出；而16hi產(chǎn)品則預(yù)計(jì)于2027年問(wèn)世。SY3esmc
最后，TrendForce集邦咨詢也觀察到，針對(duì)HBM4，各買(mǎi)方也開(kāi)始啟動(dòng)客制化要求，除了HBM可能不再僅是排列在SoC主芯片旁邊，亦有部分討論轉(zhuǎn)向堆棧在SoC主芯片之上。雖然目前所有選項(xiàng)仍在討論可行性中，并尚未定案，但TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，未來(lái)HBM產(chǎn)業(yè)將轉(zhuǎn)為更客制化的角度發(fā)展，相比其他DRAM產(chǎn)品，在定價(jià)及設(shè)計(jì)上，更加擺脫Commodity DRAM的框架，呈現(xiàn)特定化的生產(chǎn)。SY3esmc
責(zé)編：Elaine
