《指導(dǎo)意見》提出了主要目標(biāo)，到2025年，建設(shè)10個未來產(chǎn)業(yè)（技術(shù)）研究院、未來技術(shù)學(xué)院、未來產(chǎn)業(yè)科技園等平臺載體，引育50個未來產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍人才（團(tuán)隊(duì)），涌現(xiàn)一批具有核心競爭力的關(guān)鍵技術(shù)、應(yīng)用場景和重點(diǎn)企業(yè)，南京、蘇州率先建設(shè)未來產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)區(qū)，重點(diǎn)領(lǐng)域、關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)從小到大、從無到有。euHesmc
目標(biāo)中還提到，要加快培育第三代半導(dǎo)體、未來網(wǎng)絡(luò)、氫能、新型儲能、細(xì)胞和基因技術(shù)、合成生物、通用智能、虛擬現(xiàn)實(shí)、前沿新材料、零碳負(fù)碳（碳捕集利用及封存）等10個成長型未來產(chǎn)業(yè)，謀劃布局量子科技、深海深地空天、類人機(jī)器人、先進(jìn)核能等一批前沿性未來產(chǎn)業(yè)，初步形成“10＋X”未來產(chǎn)業(yè)體系。euHesmc
同時，《指導(dǎo)意見》明確了兩大重點(diǎn)方向，包括優(yōu)先發(fā)展10個成長型未來產(chǎn)業(yè)、超前布局一批前沿性未來產(chǎn)業(yè)。euHesmc
其中，第三代半導(dǎo)體方面：高標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，加快推動碳化硅、氮化鎵單晶襯底及外延材料制備技術(shù)升級和應(yīng)用延伸，大力發(fā)展電力電子器件、微波射頻器件、光電子器件等產(chǎn)品，超前布局發(fā)展氧化鎵、金剛石等超寬禁帶半導(dǎo)體材料，打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。euHesmc
通用智能：積極創(chuàng)建國家新一代人工智能開放創(chuàng)新平臺、國家新一代人工智能公共算力開放創(chuàng)新平臺，加快通用人工智能技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，前瞻布局類腦智能技術(shù)，積極開展AI大模型技術(shù)研究，加快發(fā)展人工智能服務(wù)業(yè)、智能制造業(yè)。euHesmc
責(zé)編：Elaine
