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力積電日本首座晶圓廠敲定,臺(tái)積電、聯(lián)電和力積電齊聚日本

10月31日,力積電宣布公司與SBIHoldings,Inc.、日本宮城縣及JSMC公司簽訂合作備忘錄,確認(rèn)JSMC首座晶圓廠,將選定日本宮城縣黑川區(qū)大衡村的第二北仙臺(tái)中央工業(yè)園區(qū)為預(yù)定廠址。

至此,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電和力積電均在日本建立晶圓產(chǎn)線。業(yè)界人士表示,這對(duì)于日本振興其國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大有裨益。84Mesmc

力積電日本廠目標(biāo)2026年開始運(yùn)營(yíng)84Mesmc

據(jù)悉,該廠將生產(chǎn)車用、工業(yè)用等28nm、40nm、55nm芯片,計(jì)劃月產(chǎn)4萬(wàn)片的12英寸晶圓。力積電表示,待日本政府公告對(duì)此晶圓廠投資案的補(bǔ)貼金額后,相關(guān)各方將再確認(rèn)這項(xiàng)合作備忘錄生效,并依計(jì)劃展開建廠作業(yè)。84Mesmc

今年8月,力積電與SBI合資成立了JSMC株式會(huì)社,正式確定赴日建廠并開展相關(guān)籌備事項(xiàng)。此前報(bào)道指出,力積電計(jì)劃建造數(shù)間工廠,第一階段建設(shè)最快于2024年動(dòng)工,投資約4000億日元(26億美元),日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)?。∕ETI)將為該項(xiàng)目提供最多補(bǔ)貼1400億日元,目標(biāo)2026年開始運(yùn)營(yíng);第二階段時(shí)間和計(jì)劃后續(xù)確定,總投資金額約8000億日元。84Mesmc

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,力積電在全球前十大晶圓代工業(yè)者中排名第八。84Mesmc

日本:希望找回昔日榮光84Mesmc

自2021年起,日本為振興國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)做出了各種對(duì)策。一方面加強(qiáng)國(guó)內(nèi)制造能力,另外一方面加強(qiáng)國(guó)際合作促進(jìn)先機(jī)技術(shù)研發(fā)。84Mesmc

20世紀(jì)50年代到80年代是日本半導(dǎo)體的崛起與巔峰時(shí)期,但受到存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)整并、中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展影響,日本存儲(chǔ)廠目前僅剩鎧俠一枝獨(dú)秀,至于邏輯晶圓廠也僅剩下三菱半導(dǎo)體、瑞薩半導(dǎo)體及Sony半導(dǎo)體等企業(yè)。84Mesmc

不過(guò),日本并沒(méi)有因此淡出半導(dǎo)體市場(chǎng),其在設(shè)備、化學(xué)、氣體及光學(xué)等半導(dǎo)體設(shè)備原材料市場(chǎng)仍是龍頭霸主。84Mesmc

日本積極鼓勵(lì)本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展,在加強(qiáng)先進(jìn)技術(shù)研發(fā)方面,由豐田、索尼、軟銀、鎧俠、日本電裝、日本電氣、日本電信電話、三菱UFJ銀行8家日本企業(yè)攜手成立Rapidus已與美國(guó)IBM簽署協(xié)議,開發(fā)基于IBM的2nm制程技術(shù),目標(biāo)是在2027年實(shí)現(xiàn)2nm產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)化。據(jù)日本媒體消息,Rapidus已多次獲得日本政府資金補(bǔ)助。84Mesmc

在加強(qiáng)國(guó)內(nèi)制造能力方面,日本也高度重視發(fā)展本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈,加大資金補(bǔ)助拉攏技術(shù)龍頭企業(yè)設(shè)廠,據(jù)悉包括臺(tái)積電、力積電、聯(lián)電、美光等在內(nèi)的廠商均獲得了補(bǔ)助。84Mesmc

其中尤其注意的是,中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)三大晶圓代工廠臺(tái)積電、聯(lián)電和力積電均在日本建立晶圓產(chǎn)線,其中,臺(tái)積電日本熊本芯片廠主要建設(shè)22、28nm以及12、16nm制程芯片,月產(chǎn)能設(shè)定為5.5萬(wàn)片。84Mesmc

此外,據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞10月12日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電或計(jì)劃在日本熊本縣建設(shè)第二座晶圓廠,將于2027年生產(chǎn)6nm制程的先進(jìn)半導(dǎo)體;聯(lián)電則在2022年4月宣布與電裝合作,雙方將共同在聯(lián)電日本USJC廠內(nèi)建置第一條以12英寸晶圓制造IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的生產(chǎn)線;力積電則是上述與日本SBI共投的芯片廠。84Mesmc

責(zé)編:Elaine
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