公司2023財(cái)年第三季度結(jié)合并收入為9.0662萬(wàn)億韓元，營(yíng)業(yè)虧損為1.7920萬(wàn)億韓元，凈虧損為2.1847萬(wàn)億韓元。2023財(cái)年第三季度營(yíng)業(yè)虧損率為20%，凈虧損率為24%。1jCesmc
■ 2023財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)表1jCesmc
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* 本報(bào)告根據(jù)K-IFRS（韓國(guó)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則）編制1jCesmc
* 本報(bào)告內(nèi)容尚未通過(guò)外部審計(jì)人的會(huì)計(jì)審查，在會(huì)計(jì)審查過(guò)程中可能會(huì)發(fā)生變化1jCesmc
SK海力士解釋道：1jCesmc
因高性能半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)品為中心的市場(chǎng)需求增加，公司業(yè)績(jī)?cè)诘谝患径鹊忘c(diǎn)過(guò)后持續(xù)改善，特別是面向AI的代表性存儲(chǔ)器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動(dòng)DRAM等主力產(chǎn)品的銷(xiāo)售勢(shì)頭良好，與上季度相比營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)24%，營(yíng)業(yè)損失減少38%。1jCesmc
公司還強(qiáng)調(diào)：“今年第一季度由盈轉(zhuǎn)虧的DRAM僅在兩個(gè)季度后扭虧為盈，其具有重要意義。”1jCesmc
針對(duì)營(yíng)業(yè)收入的增加趨勢(shì)，SK海力士分析道：1jCesmc
“DRAM和NAND閃存的整體銷(xiāo)量增長(zhǎng)的同時(shí)，DRAM的平均售價(jià)（ASP，Average Selling Price）的上升也產(chǎn)生了較大影響。”1jCesmc
從產(chǎn)品來(lái)看，DRAM得益于AI等高性能面向服務(wù)器的產(chǎn)品銷(xiāo)售好轉(zhuǎn)，與第二季度相比出貨量增長(zhǎng)了約20%，與此同時(shí)ASP也上升了約10%。NAND閃存在高容量移動(dòng)端產(chǎn)品和固態(tài)硬盤(pán)（SSD，Solid State Drive）的出貨量有所增加。1jCesmc
公司預(yù)測(cè)：1jCesmc
扭虧為盈的DRAM得以生成型AI熱潮影響，市況有望持續(xù)好轉(zhuǎn)。連續(xù)虧損的NAND也隨著市況好轉(zhuǎn)跡象的逐漸呈現(xiàn)，公司將竭盡全力保持整體業(yè)績(jī)的改善趨勢(shì)。1jCesmc
今年下半年，在各存儲(chǔ)器供應(yīng)商的減產(chǎn)效果可視化的情況下，庫(kù)存減少的客戶正在創(chuàng)造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器采購(gòu)需求，產(chǎn)品價(jià)格也進(jìn)入了穩(wěn)定趨勢(shì)。1jCesmc
順應(yīng)這一趨勢(shì)，SK海力士決定加大對(duì)HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力產(chǎn)品的投資。公司將進(jìn)行以第四代10納米級(jí)(1a)和第五代10納米級(jí)(1b)DRAM為中心的生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換，同時(shí)擴(kuò)大對(duì)HBM TSV*技術(shù)的投資。1jCesmc
SK海力士財(cái)務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(zhǎng)（CFO）金祐賢表示：“公司引領(lǐng)著高性能存儲(chǔ)器市場(chǎng)，定位成為未來(lái)AI基礎(chǔ)設(shè)施的核心公司。今后將通過(guò)HBM、DDR5 DRAM等公司占據(jù)全球領(lǐng)先地位的產(chǎn)品，創(chuàng)造出與以往不同的新市場(chǎng)，持續(xù)加強(qiáng)高性能、高端半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第一大供應(yīng)商的地位。”1jCesmc
*TSV(Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)）：在DRAM芯片打上數(shù)千個(gè)細(xì)微的孔，并通過(guò)垂直貫通的電極連接上下芯片的先進(jìn)封裝（Advanced Packaging）技術(shù)。1jCesmc
責(zé)編：Elaine
