索尼的Exmor T工藝——其光電二極管是其自有專用工藝層，深度為 4.2 um，可增加響應(yīng)，并提供全背面深溝槽隔離，從而減少光學(xué)和光載流子串?dāng)_。mpPesmc
TechInsights 在今年早些時候拆解索尼 Xperia 智能手機時首次記錄了這一技術(shù)創(chuàng)新。它也被用于后置廣角攝像頭模塊。mpPesmc
該工藝技術(shù)結(jié)合了光電二極管層的基礎(chǔ)技術(shù)，但有關(guān)鍵區(qū)別：對于iPhone 15來說，每個像素都是一個光電二極管，通過一個deep contact讀出，而對于Xperia來說，在一個單色濾光片下有多個半間距（half-pitch）光電二極管（通過一個轉(zhuǎn)移柵極）；對于iPhone 15來說，有一個完全的隔離，背面的深溝槽端在淺溝槽隔離上，而對于Xperia來說，在前面有一個間隙，提供光載波的共享。mpPesmc
光電二極管和像素器件堆疊層的技術(shù)面臨的一個挑戰(zhàn)是如何在無序的界面上傳輸電荷。索尼通過回到堆疊技術(shù)早期使用的技術(shù)來實現(xiàn)這一點：在器件制造完成并將兩層粘合在一起之后，在金屬層沉積之前，創(chuàng)建雙觸點，一個是與光電二極管層中底層浮動擴散節(jié)點的深觸點，另一個是與源跟隨器和器件二極管的正常淺觸點。這解決了問題，但可能會損害轉(zhuǎn)換增益，并占用限制像素尺寸縮小的面積。mpPesmc
責(zé)編：Momoz
