據(jù)悉，美光HBM3E目前正在進(jìn)行英偉達(dá)認(rèn)證，首批HBM3E采用8-Hi設(shè)計(jì)，提供24GB容量和超過1.2TB/s頻寬。公司計(jì)劃于2024年推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆疊。此前美光曾透露，預(yù)計(jì)2024年新的HBM將帶來「數(shù)億」美元的收入。sVFesmc
無獨(dú)有偶，另一家存儲(chǔ)大廠三星近期也公布了HBM新進(jìn)展。據(jù)三星電子副社長、DRAM產(chǎn)品與技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人黃尚俊透露，三星電子已開發(fā)出9.8Gbps的HBM3E，計(jì)劃開始向客戶提供樣品。同時(shí)，三星正在開發(fā)HBM4，目標(biāo)2025年供貨。據(jù)悉，三星電子正開發(fā)針對(duì)高溫?zé)崽匦詢?yōu)化的非導(dǎo)電粘合膜（NCF）組裝技與混合鍵合（HCB）等技術(shù)，以應(yīng)用于HBM4產(chǎn)品。sVFesmc
AI熱潮之下，HBM成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)“新寵”，三大原廠正積極布局。sVFesmc
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢表示，兩大韓廠SK海力士、三星先從HBM3開發(fā)，代表產(chǎn)品為NVIDIA H100/H800以及AMD的MI300系列，兩大韓廠預(yù)計(jì)于2024年第一季送樣HBM3e；美系原廠美光則選擇跳過HBM3，直接開發(fā)HBM3e。sVFesmc
HBM3e將由24Gb mono die堆棧，在8層（8Hi）的基礎(chǔ)下，單顆HBM3e容量將一口氣提升至24GB，此將導(dǎo)入在2025年NVIDIA推出的GB100上，故三大原廠預(yù)計(jì)要在2024年第一季推出HBM3e樣品，以期在明年下半年進(jìn)入量產(chǎn)。sVFesmc
責(zé)編：Elaine
