Ncmesmc
利用氣體供應(yīng)原料，在基板上制造晶體，可以減少設(shè)備的維護(hù)頻率，也可以降低運(yùn)營成本。Ncmesmc
日本酸素正在將制作設(shè)備商用化，以便隨時(shí)向客戶供貨。Ncmesmc
這種作方法屬于“有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HVPE）法”相比，可以制作更高頻率器件。Ncmesmc
據(jù)悉，氧化鎵的耐壓性超過SiC和GaN這兩種材料，其可以在降低電力轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗。氧化鎵有望用于純電動(dòng)汽車（EV）、白色家電及光伏發(fā)電等領(lǐng)域。Ncmesmc
氧化鎵晶體除了可以用于制造功率元件，還可以制作“高電子遷移率晶體管（HEMT）”，供通訊設(shè)備使用。并且，其彌補(bǔ)了傳統(tǒng)的氫化物氣相外延法，難以與高電子遷移率晶體管所需的鋁進(jìn)行混晶的缺點(diǎn)。Ncmesmc
與原先的方法相比，東京農(nóng)工大等團(tuán)隊(duì)通過MOCVD方法，將氧化鎵晶體的生長速度提高至每小時(shí)約16微米，速度提升了16倍。東京農(nóng)工大學(xué)教授熊谷義直表示：“MOCVD方法與HVPE方法屬于并列關(guān)系”。Ncmesmc
目前，已經(jīng)有幾家企業(yè)實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化，根據(jù)富士經(jīng)濟(jì)提供的數(shù)據(jù)顯示，到2023年氧化鎵市場可達(dá)到470億日元（折合人民幣約23億元）。Ncmesmc
文章來源：化合物半導(dǎo)體市場Ncmesmc
Ncmesmc
Ncmesmc
Ncmesmc
? 關(guān)于我們Ncmesmc
Ncmesmc
TrendForce集邦咨詢是一家橫跨存儲(chǔ)、集成電路與半導(dǎo)體、晶圓代工、光電顯示、LED、新能源、智能終端、5G與通訊網(wǎng)絡(luò)、汽車電子和人工智能等領(lǐng)域的全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)。公司在行業(yè)研究、政府產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、項(xiàng)目評(píng)估與可行性分析、企業(yè)咨詢與戰(zhàn)略規(guī)劃、品牌營銷等方面積累了多年的豐富經(jīng)驗(yàn)，是政企客戶在高科技領(lǐng)域進(jìn)行產(chǎn)業(yè)分析、規(guī)劃評(píng)估、顧問咨詢、品牌宣傳的優(yōu)質(zhì)合作伙伴。Ncmesmc
上下滑動(dòng)查看Ncmesmc
Ncmesmc
分享Ncmesmc
Ncmesmc
收藏Ncmesmc
Ncmesmc
點(diǎn)贊Ncmesmc
Ncmesmc
在看Ncmesmc
Ncmesmc
責(zé)編：Elaine
