南通偉騰半導(dǎo)體專用材料項(xiàng)目開工Ieaesmc

9月16日，南通偉騰半導(dǎo)體專用材料項(xiàng)目開工儀式舉行。本次開工的半導(dǎo)體專用材料項(xiàng)目，計(jì)劃總投資2.4億元，新建廠房及附屬用房3.4萬(wàn)平方米。項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年全面達(dá)產(chǎn)，年產(chǎn)出晶圓級(jí)劃片刀120萬(wàn)片，實(shí)現(xiàn)約2.5億元的銷售額。Ieaesmc

據(jù)悉，南通偉騰專注于為各類IC晶圓、光學(xué)器件、各類傳感器等精密切割工序提供配套產(chǎn)品和服務(wù)，公司研發(fā)生產(chǎn)的DZY型劃片刀可做到15微米以內(nèi)的超薄厚度。Ieaesmc

武漢多個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目開工Ieaesmc

據(jù)中國(guó)光谷消息，9月14日，2023年三季度武漢市重大項(xiàng)目集中開工活動(dòng)舉行，多個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目涉及在內(nèi)。Ieaesmc

其中，長(zhǎng)飛光學(xué)與半導(dǎo)體石英元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目主要建設(shè)高端光學(xué)與集成電路制造用石英材料研發(fā)基地，實(shí)現(xiàn)光學(xué)與半導(dǎo)體石英材料國(guó)產(chǎn)化替代。Ieaesmc

高德微機(jī)電與傳感工業(yè)技術(shù)研究院西區(qū)(一期）項(xiàng)目將建設(shè)微機(jī)電系統(tǒng)設(shè)計(jì)、工藝、集成的開放性研發(fā)平臺(tái)。Ieaesmc

聯(lián)特科技光電集成中心項(xiàng)目建設(shè)光電集成設(shè)備制造和科技平臺(tái)、先進(jìn)光電集成實(shí)驗(yàn)室及相關(guān)配套設(shè)施。Ieaesmc

鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)位于江夏經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，總投資10億元，預(yù)計(jì)2024年12月竣工。廠區(qū)建筑面積12000平方米，主要建設(shè)一條基于2英寸半導(dǎo)體化合物（GaN）技術(shù)的大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)線，年產(chǎn)大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器3600萬(wàn)套。Ieaesmc

安瑞森超大規(guī)模高純電子化學(xué)品、電子氣體及工業(yè)氣體島項(xiàng)目簽約Ieaesmc

據(jù)淮安工業(yè)園區(qū)消息，9月14日，由江蘇安瑞森電子材料有限公司（以下簡(jiǎn)稱“安瑞森”）投資的超大規(guī)模高純電子化學(xué)品、電子氣體及工業(yè)氣體島項(xiàng)目在園區(qū)簽約。Ieaesmc

消息顯示，該項(xiàng)目將在園區(qū)建設(shè)12種國(guó)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先的電子化學(xué)品、電子工業(yè)氣體和電子特氣生產(chǎn)線，一期項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能約 55 萬(wàn)噸/年，年產(chǎn)值達(dá)15億元。項(xiàng)目建成后將成為全球最高等級(jí)的電子化學(xué)品和電子特氣綜合類工廠，可為華東地區(qū)的半導(dǎo)體、面板、光伏、智能制造提供一攬子整體產(chǎn)品解決方案。Ieaesmc

安瑞森成立于2010年，是一家高純電子化學(xué)品和電子氣體產(chǎn)品供應(yīng)商，在國(guó)內(nèi)外擁有9個(gè)生產(chǎn)基地。公司專注于為集成電路、平板顯示器、光伏、LED、化工、鋼鐵等行業(yè)，提供高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的高純電子化學(xué)品、高純電子特氣、現(xiàn)場(chǎng)制氣、氣液系統(tǒng)工程及TGM全面氣體和化學(xué)品供應(yīng)的集成一體化管理解決方案。Ieaesmc

華實(shí)半導(dǎo)體新材料研發(fā)及測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目預(yù)計(jì)10月封頂Ieaesmc

據(jù)長(zhǎng)沙發(fā)改9月12日消息，華實(shí)半導(dǎo)體新材料研發(fā)及測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目一期于2023年4月啟動(dòng)建設(shè)，目前已全面進(jìn)入主體施工階段，部分設(shè)備已訂購(gòu)，預(yù)計(jì)10月完成主體封頂并啟動(dòng)設(shè)備進(jìn)場(chǎng)安裝。Ieaesmc

該項(xiàng)目位于瀏陽(yáng)經(jīng)開區(qū)，總用地面積約155畝，總建筑面積約16萬(wàn)平方米。項(xiàng)目一期投資15億，用地76.6畝，建筑面積約8萬(wàn)平米，新建2棟生產(chǎn)廠房、1棟測(cè)試樓、1棟食堂，建設(shè)半導(dǎo)體新材料研發(fā)及測(cè)試生產(chǎn)線。項(xiàng)目二期建設(shè)8 棟生產(chǎn)廠房、1棟食堂及倒班宿舍。項(xiàng)目總投資25億元，預(yù)計(jì)于2024年竣工。Ieaesmc

據(jù)公開資料顯示，華實(shí)半導(dǎo)體于2020年5月成立，經(jīng)營(yíng)范圍包括半導(dǎo)體器件專用設(shè)備、半導(dǎo)體分立器件、耐火陶瓷制品及其他耐火材料的制造；半導(dǎo)體光電器件制造；智能裝備制造；單晶材料、單晶拋光片及相關(guān)半導(dǎo)體材料和超純?cè)氐纳a(chǎn)；碳化硅襯底相關(guān)半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)等。Ieaesmc

國(guó)博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目開工Ieaesmc

據(jù)南京市江寧區(qū)人民政府消息，9月10日，國(guó)博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化（二期）項(xiàng)目在南京江寧開發(fā)區(qū)開工建設(shè)。Ieaesmc

國(guó)博電子射頻集成產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目占地面積約203畝，新建廠房及附屬設(shè)施，新增設(shè)備五百余臺(tái)套。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，其中一期用地面積約103畝，建筑面積約15.1萬(wàn)平方米，目前已建成投產(chǎn)；二期用地面積約100畝，建筑面積約7.6萬(wàn)平方米（本次開工建設(shè)）。Ieaesmc

射頻集成產(chǎn)業(yè)化（二期）項(xiàng)目主要包括廠房、食堂和倒班宿舍等，重點(diǎn)補(bǔ)充射頻集成電路封測(cè)制造能力，同時(shí)加強(qiáng)園區(qū)后勤配套保障能力，建成后與一期形成射頻集成電路規(guī)?；O(shè)計(jì)、制造能力，努力打造成為寬禁帶半導(dǎo)體器件及模塊國(guó)內(nèi)最大供應(yīng)商、5G通信技術(shù)國(guó)內(nèi)發(fā)展主要引領(lǐng)者。Ieaesmc

成都萬(wàn)應(yīng)先進(jìn)封測(cè)中試平臺(tái)及生產(chǎn)線項(xiàng)目竣工通線Ieaesmc

據(jù)成都高新區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)局消息，9月8日，成都萬(wàn)應(yīng)先進(jìn)封測(cè)中試平臺(tái)及生產(chǎn)線項(xiàng)目竣工通線。Ieaesmc

該項(xiàng)目以高端解決方案和先進(jìn)封裝工藝為核心，建設(shè)高可靠性塑封、高可靠性陶瓷封裝和系統(tǒng)級(jí)封裝三條產(chǎn)線，建設(shè)可靠性與失效分析實(shí)驗(yàn)室，形成封裝方案設(shè)計(jì)、仿真、打樣、量產(chǎn)和可靠性與失效分析全產(chǎn)業(yè)鏈服務(wù)模式，具備高可靠塑封、高端陶瓷封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝和TSV、RDL等先進(jìn)封裝技術(shù)，能夠完成以線焊、倒裝焊為基礎(chǔ)的先進(jìn)封裝。Ieaesmc

資料指出，成都萬(wàn)應(yīng)微電子有限公司成立于2021年，是成都高新區(qū)“岷山行動(dòng)”首批重點(diǎn)引進(jìn)的微電子先進(jìn)封測(cè)企業(yè)，并在政府支持下，成立“岷山微電子先進(jìn)封測(cè)技術(shù)研究院”。公司重點(diǎn)聚焦射頻SiP、散熱器、高可靠塑封等先進(jìn)封裝領(lǐng)域，為高端集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)、高校和科研院所等提供封裝服務(wù)。Ieaesmc

兩大半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約落戶南通Ieaesmc

南通市北高新消息，9月8日，半導(dǎo)體晶圓載具制造項(xiàng)目簽約儀式、菲萊半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造項(xiàng)目簽約儀式在南通市北高新區(qū)舉行。Ieaesmc

半導(dǎo)體晶圓載具制造項(xiàng)目總投資6.5億元，用地約42畝，總建筑面積超5萬(wàn)平方米，將從事晶圓載具、IC托盤、IC載帶的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。Ieaesmc

菲萊半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備制造項(xiàng)目總投資2億元，擬租用中南車創(chuàng)1萬(wàn)平方米廠房，將從事碳化硅晶圓老化和測(cè)試設(shè)備等產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。Ieaesmc

甬矽電子集成電路IC芯片封測(cè)項(xiàng)目二期落成Ieaesmc

據(jù)甬矽電子官微消息，9月7日，甬矽電子（寧波）股份有限公司集成電路IC芯片封測(cè)項(xiàng)目二期落成大典在寧波余姚隆重舉行。Ieaesmc

據(jù)悉，甬矽二期項(xiàng)目總占地500畝，一階段完成建設(shè)300畝，總投資111億，滿產(chǎn)將達(dá)到年產(chǎn)130億顆芯片。二期產(chǎn)品線會(huì)和一期相輔相成，既有成熟封裝QFN產(chǎn)品線，廣泛用于汽車電子與工規(guī)產(chǎn)品的QFP產(chǎn)品線，應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器、CPU處理器、AI智能產(chǎn)品上的大顆FCBGA產(chǎn)品線，還有代表先進(jìn)封裝發(fā)展方向的Bumping、WLCSP、Fan-In/Out產(chǎn)品線等。Ieaesmc

高端光刻膠及超凈半導(dǎo)體功能化學(xué)品產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目簽約Ieaesmc

據(jù)自貢發(fā)布消息，9月7日，國(guó)內(nèi)一科技公司與自貢市沿灘區(qū)簽訂項(xiàng)目合作協(xié)議，擬投資年產(chǎn)10萬(wàn)噸高端光刻膠及超凈半導(dǎo)體功能化學(xué)品產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。Ieaesmc

該項(xiàng)目擬投資10億元，占地約140畝，計(jì)劃建設(shè)光刻膠、電子級(jí)雙氧水、電子級(jí)硝酸、電子級(jí)氫氟酸、刻蝕液、顯影液、剝離液、清洗液、高純電子級(jí)硫酸以及溶劑回收等生產(chǎn)線。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年銷售收入超17億元。Ieaesmc

國(guó)家三代半技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)Ieaesmc

9月6日，由南京市人民政府、中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司指導(dǎo)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主辦的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)在江寧開發(fā)區(qū)舉行。Ieaesmc

會(huì)上，多個(gè)超百億元產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）集中發(fā)布重大科技攻關(guān)成果，同時(shí)宣布一期項(xiàng)目竣工投產(chǎn)。Ieaesmc

當(dāng)前，國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）一期項(xiàng)目已經(jīng)竣工投產(chǎn)，隨著一期項(xiàng)目投運(yùn)，二期項(xiàng)目的建設(shè)也排上日程，媒體報(bào)道二期項(xiàng)目將于2024年開建，規(guī)劃年產(chǎn)20萬(wàn)片8英寸圓片。Ieaesmc

廈門芯陽(yáng)微電子研發(fā)及智能制造項(xiàng)目開工Ieaesmc

9月6日，第二十三屆投洽會(huì)廈門市重大項(xiàng)目廈門集中開竣工活動(dòng)同安分會(huì)場(chǎng)暨芯陽(yáng)微電子研發(fā)及智能制造項(xiàng)目開工活動(dòng)舉行。此次開工儀式的成功舉行，標(biāo)志著芯陽(yáng)微電子研發(fā)及智能制造項(xiàng)目正式進(jìn)入施工建設(shè)階段Ieaesmc

據(jù)介紹，依托廈門同翔高新城的門戶樞紐優(yōu)勢(shì)及高端定位，本項(xiàng)目總用地面積3.7萬(wàn)平方米，總建筑面積11萬(wàn)平方米。擬建設(shè)2棟綜合廠房、1棟辦公樓、1棟宿舍樓及12條半自動(dòng)化生產(chǎn)線，同時(shí)引進(jìn)先進(jìn)的AOI、SMT貼片機(jī)、插件機(jī)、波峰焊等自動(dòng)化設(shè)備。項(xiàng)目整體投入使用并達(dá)到穩(wěn)定運(yùn)營(yíng)后，預(yù)計(jì)新增生產(chǎn)能力5.7億套微電子控制器。建成達(dá)產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)值約12億元。Ieaesmc

芯陽(yáng)微電子的集成電路產(chǎn)品涵蓋小家電專用控制芯片、電池充電控制芯片、電源管理類芯片、LED驅(qū)動(dòng)芯片、消防產(chǎn)品專用控制芯片等。Ieaesmc

中科艾爾二期項(xiàng)目開工Ieaesmc

據(jù)“中科艾爾科技有限公司AR”消息，9月4日，滄州市舉行2023年第三季度重點(diǎn)項(xiàng)目推進(jìn)會(huì)，渤海新區(qū)、黃驊市分會(huì)場(chǎng)設(shè)在港城產(chǎn)業(yè)園區(qū)中科艾爾（滄州）精密制造有限公司項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)。Ieaesmc

目前，中科艾爾二期項(xiàng)目開工建設(shè)，新項(xiàng)目占地13.3萬(wàn)平米,建筑面積約12萬(wàn)平米，建設(shè)內(nèi)容為年產(chǎn)500萬(wàn)件的超潔凈氣路系統(tǒng)關(guān)鍵零部件生產(chǎn)線、年產(chǎn)1000萬(wàn)米的超潔凈管件生產(chǎn)線、年產(chǎn)7萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體級(jí)源瓶以及16萬(wàn)個(gè)半導(dǎo)體級(jí)瓶閥的超潔凈存儲(chǔ)集成生產(chǎn)線。Ieaesmc

消息稱，該項(xiàng)目建成后，將成為國(guó)內(nèi)唯一的產(chǎn)研一體、鏈條閉環(huán)的集成電路氣路系統(tǒng)核心零部件研發(fā)生產(chǎn)基地，強(qiáng)力支撐國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)的自主可控、國(guó)產(chǎn)替代戰(zhàn)略。Ieaesmc

國(guó)家三代半技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）總部開工Ieaesmc

據(jù)蘇州納米城消息，9月2日，蘇州工業(yè)園區(qū)在桑田科學(xué)島舉辦國(guó)家生物藥技術(shù)創(chuàng)新中心、國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）總部大樓開工儀式。Ieaesmc

國(guó)家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）（以下簡(jiǎn)稱“國(guó)創(chuàng)中心”）作為兩中心之一，總部位于整個(gè)桑田科學(xué)島的核心區(qū)域，將致力于打造核心產(chǎn)業(yè)展示區(qū)，未來(lái)創(chuàng)新中心示范標(biāo)桿。Ieaesmc

據(jù)了解，國(guó)創(chuàng)中心于2021年3月由科技部批復(fù)建設(shè)，由蘇州第三代半導(dǎo)體技術(shù)國(guó)創(chuàng)中心（事業(yè)單位）抓總統(tǒng)籌，江蘇第三代半導(dǎo)體研究院主體承建，蘇州納米科技發(fā)展有限公司保障載體建設(shè)開發(fā)。截至目前，該中心已承擔(dān)上級(jí)研發(fā)項(xiàng)目10項(xiàng)，完成4款電路芯片設(shè)計(jì)，在氮化鎵單晶、氮化鎵外延片等方面取得重要突破，部分指標(biāo)國(guó)際領(lǐng)先，累計(jì)申請(qǐng)專利260多件。Ieaesmc

路芯半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地簽約Ieaesmc

據(jù)“蘇州發(fā)布”消息，9月2日，蘇州市委市政府召開推進(jìn)大會(huì)。會(huì)上，路芯半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地簽約落地蘇州工業(yè)園區(qū)。Ieaesmc

據(jù)了解，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資人民幣20億元，項(xiàng)目公司將依托路維光電在掩膜版領(lǐng)域的技術(shù)基礎(chǔ)，深耕半導(dǎo)體掩膜版領(lǐng)域，建設(shè)130nm-28nm制程節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體掩膜版產(chǎn)線。Ieaesmc

公開資料顯示，江蘇路芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司是一家半導(dǎo)體掩膜版研發(fā)生產(chǎn)商，主要從事半導(dǎo)體掩膜版等相關(guān)半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)業(yè)務(wù)。建設(shè)有130nm-28nm制程節(jié)點(diǎn)的半導(dǎo)體掩膜版產(chǎn)線。Ieaesmc

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工Ieaesmc

據(jù)中國(guó)光谷消息顯示，9月1日，長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體武漢基地開工。Ieaesmc

長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目位于光谷科學(xué)島，項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元。其中，項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。一期項(xiàng)目預(yù)計(jì)2025年建設(shè)完成，屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)最大的SiC功率半導(dǎo)體制造基地，產(chǎn)能規(guī)模將居行業(yè)領(lǐng)先地位。Ieaesmc

根據(jù)資料，安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司專注于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造，具備從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全流程生產(chǎn)能力和技術(shù)研發(fā)能力。Ieaesmc