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三星官宣DRAM迎新突破,存儲(chǔ)器未來市況如何?

作為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器最大細(xì)分領(lǐng)域,DRAM的發(fā)展迭代一直是市場(chǎng)焦點(diǎn)。

在存儲(chǔ)器逆風(fēng)之下,原廠仍然在持續(xù)發(fā)力技術(shù)研發(fā),近期三星傳來佳音。與此同時(shí),由于需求持續(xù)低迷,存儲(chǔ)器供給與需求仍是市場(chǎng)關(guān)注焦點(diǎn),近期業(yè)界機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢也對(duì)2023年以及2024年存儲(chǔ)器市場(chǎng)給出了預(yù)測(cè)。uujesmc

三星開發(fā)出12nm級(jí)32Gb DDR5 DRAMuujesmc

2023年9月1日,三星電子宣布該公司已采用12納米(nm)級(jí)工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,并計(jì)劃于今年年底開始量產(chǎn)。uujesmc

據(jù)三星介紹,通過使用最新開發(fā)的32Gb內(nèi)存顆粒,即使不使用硅通孔(TSV)工藝也能夠生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組,該產(chǎn)品與使用16Gb內(nèi)存封裝的128GB內(nèi)存模組相比,功耗降低了約10%。這一技術(shù)突破使該產(chǎn)品成為數(shù)據(jù)中心等關(guān)注能效的企業(yè)的優(yōu)選解決方案。uujesmc

1983年,三星開發(fā)出首款64 Kb DRAM,在過去40年里,該公司已成功將其DRAM容量提高了50萬倍。三星表示,公司計(jì)劃以12納米級(jí)32Gb DDR5 DRAM為基礎(chǔ),繼續(xù)擴(kuò)充大容量DRAM產(chǎn)品陣容,以滿足高性能計(jì)算和IT行業(yè)持續(xù)增長的需求。uujesmc

三星強(qiáng)調(diào),通過向數(shù)據(jù)中心以及需要人工智能和下一代計(jì)算等應(yīng)用的客戶提供12納米級(jí)32Gb DRAM,公司希望鞏固其在下一代內(nèi)存市場(chǎng)的前沿地位。未來,該產(chǎn)品還將在公司與其他主要行業(yè)參與者的長期合作中發(fā)揮重要作用。uujesmc

三星電子存儲(chǔ)器事業(yè)部內(nèi)存開發(fā)組執(zhí)行副總裁SangJoon Hwang表示:在三星最新推出的12納米級(jí)32Gb內(nèi)存的基礎(chǔ)上,三星可以研發(fā)出實(shí)現(xiàn)1TB內(nèi)存模組的解決方案,這有助于滿足人工智能和大數(shù)據(jù)時(shí)代對(duì)于大容量DRAM內(nèi)存日益增長的需求。uujesmc

2024存儲(chǔ)器供給與需求觀察uujesmc

2023年已過去一大半,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的復(fù)蘇問題仍是市場(chǎng)關(guān)注的焦點(diǎn)。據(jù)TrendForce集邦咨詢8月30日研究指出,預(yù)期2024年存儲(chǔ)器原廠對(duì)于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù),尤其以虧損嚴(yán)重的NAND Flash更為明確。TrendForce集邦咨詢預(yù)估,在2024上半年消費(fèi)性電子市場(chǎng)需求能見度仍不明朗,通用型服務(wù)器的資本支出仍受到AI服務(wù)器排擠而顯得相對(duì)需求疲弱,有鑒于2023年基期已低,加上部分存儲(chǔ)器產(chǎn)品價(jià)格已來到相對(duì)低點(diǎn),預(yù)估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。uujesmc

TrendForce集邦咨詢表示,不過,盡管需求位元有回升,明年若要有效去化庫存,并回到供需平衡狀態(tài),重點(diǎn)還是仰賴供應(yīng)商對(duì)于產(chǎn)能有所節(jié)制,若供應(yīng)商產(chǎn)能控制得宜,存儲(chǔ)器均價(jià)則有機(jī)會(huì)反彈。uujesmc

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今年DRAM領(lǐng)域中HBM的逆勢(shì)增長給予了產(chǎn)業(yè)發(fā)展信心。隨著人工智能推動(dòng)高性能GPU需求暴漲,提高HBM產(chǎn)品的滲透力,未來HBM的產(chǎn)能供給如何?uujesmc

據(jù)TrendForce集邦咨詢8月9日最新報(bào)告指出,存儲(chǔ)器原廠在面臨英偉達(dá)以及其他云端服務(wù)業(yè)者(CSP)自研芯片的加單下,試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴(kuò)增HBM產(chǎn)能。從目前各原廠規(guī)劃來看,預(yù)估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過,考慮到TSV擴(kuò)產(chǎn)加上機(jī)臺(tái)交期與測(cè)試所需的時(shí)間合計(jì)可能長達(dá)9~12個(gè)月,因此TrendForce集邦咨詢預(yù)估多數(shù)HBM產(chǎn)能要等到明年第二季才有望陸續(xù)開出。uujesmc

集邦咨詢表示,觀察HBM供需變化,2022年HBM供給無虞,2023年受到AI需求突爆式增長導(dǎo)致客戶的預(yù)先加單,即便原廠擴(kuò)大產(chǎn)能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年,TrendForce集邦咨詢認(rèn)為,基于各原廠積極擴(kuò)產(chǎn)的策略,HBM供需比(Sufficiency Ratio)有望獲改善,預(yù)估將從2023年的-2.4%,轉(zhuǎn)為0.6%。uujesmc

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責(zé)編:Elaine
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