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專利指出，目前在半導體器件的制造工藝中，經(jīng)常會在具有疊層結(jié)構(gòu)的半導體器件表面上形成凸凹不平的結(jié)構(gòu)，通常使用化學機械研磨(CMP)工藝平整凸凹不平的表面?；瘜W機械研磨亦稱為化學機械拋光，是目前機械加工中唯一可以實現(xiàn)表面全局平坦化的技術(shù)?；瘜W機械研磨工藝中，一般是把芯片放在旋轉(zhuǎn)的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力，使用含有拋光顆粒(例如SiO2顆粒)的研磨液(slurry)，在化學腐蝕與磨削移除的交互作用下進行平坦化。在化學機械研磨工藝之后，研磨液中的顆粒成為缺陷微粒存在于晶圓表面，因此必須從晶圓表面完全除去才能保持半導體器件的可靠性和生產(chǎn)線的清潔度。鑒于此，實有必要提出一種晶圓的清洗方法，以提升清洗效果，從而提高產(chǎn)品的良率。13tesmc
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專利摘要顯示，一種晶圓的清洗方法，包括以下步驟：提供晶圓；清洗所述晶圓表面，清洗后的所述晶圓表面呈正電性，晶圓表面殘留物具有負電性；調(diào)節(jié)所述晶圓表面電性或所述殘留物的電性，使所述晶圓表面和所述殘留物的呈相同電性；對所述晶圓表面進行干燥，去除所述殘留物。根據(jù)同性相斥的原理，經(jīng)過調(diào)節(jié)后所述殘留物與所述晶圓表面電性相同，因此所述殘留物不會粘附在所述晶圓的表面，而是懸浮在晶圓表面的液膜內(nèi)。在后續(xù)的干燥過程中，懸浮在液膜內(nèi)的殘留物會隨著液膜一起被去除，提高了產(chǎn)品良率。13tesmc
責編：Elaine
