三星于2022年11月7日宣布了236層TLC量產(chǎn)里程碑。iVjesmc
SK海力士在2023年6月8日宣布了238層TLC量產(chǎn)里程碑。iVjesmc
Solidigm 192層QLC部署在D5-P5430數(shù)據(jù)中心SSD中。192-L 1.33 Tb QLC芯片的位密度為18.9Gb/mm2。在ISSCC 2023中提到，192-L 1.33 Tb QLC芯片比特密度為18.6Gb/mm2，基于73.3mm2的芯片尺寸。iVjesmc
鎧俠/西數(shù)硬盤(WD) 218層TLC /QLC(BiCS8)于2023年3月30日發(fā)布。混合鍵合，稱為“CMOS直接鍵合到陣列”(CBA)將被使用。在VLSI 2023 C2-1中，對于21x-Layer 1 Tb TLC芯片，比特密度超過17Gb/mm2。在VLSI 2023 T7-1中，金屬誘導橫向結晶(MILC)用于實現(xiàn)超過14µm (320 WL)的完全單晶通道。BG6 (162-L, BiCS6) 1TB和2TB固態(tài)硬盤已于2023年5月23日發(fā)布。iVjesmc
美光陸續(xù)推出更多具有232層TLC的產(chǎn)品。UFS 4.0目前正在認證中。232層TLC AME目前已完成。觀察結果包括采用四個子塊而不是兩個子塊，去除細胞膜的橫向ONO，并確認垂直通道(VC)著陸塞。iVjesmc
長江存儲128層QLC MFR已完成。12Gb/mm2的比特密度高于三星、SK海力士、美光等176層TLC產(chǎn)品的比特密度(10~11gb/mm2)。長江存儲232層TLC比特密度為15Gb/mm2。iVjesmc
TEL在VLSI 2023 T3-2中展示了新的存儲孔刻蝕化學冷凍工藝(刻蝕速率為504nm/min)，可在32.8分鐘內刻蝕10µm的模具SiO/SiN。iVjesmc
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圖1#：比特密度與AWL（active word line）的關系。繪制的數(shù)據(jù)來自TechInsights平臺iVjesmc
#SOLIDIGM應被解釋為英特爾-美光閃存聯(lián)盟，適用于96-L TLC/QLC。英特爾NAND & SSD業(yè)務現(xiàn)在被稱為Solidigm(SK海力士在美國的獨立子公司)。iVjesmc
責編：Momoz
