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“芯”聞摘要MRTesmc

華虹半導體上市MRTesmc

又一批半導體項目上馬MRTesmc

321層NAND樣品發(fā)布MRTesmc

HBM供給位元量預估MRTesmc

全球或添兩座晶圓廠？MRTesmc

鎧俠公布最新財報MRTesmc

五大龍頭成立芯片公司MRTesmc

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華虹半導體上市MRTesmc

歷時逾9個月，華虹半導體最終于8月7日正式上市。MRTesmc

據(jù)該公司招股說明書顯示，發(fā)行人本次發(fā)行擬募集資金180億元，不過公司出現(xiàn)超募，總募資額212億元，計劃投入華虹制造（無錫）項目、8英寸廠優(yōu)化升級項目、特色工藝技術(shù)創(chuàng)新研發(fā)項目以及補充流動資金，其中，華虹制造（無錫）項目是華虹公司此次募投的重點。MRTesmc

華虹公司董事長、執(zhí)行董事張素心在路演致辭中表示，本次A股科創(chuàng)板公開發(fā)行股票并上市，是華虹發(fā)展歷程中的重要里程碑之一。未來公司將繼續(xù)堅定執(zhí)行先進特色IC（集成電路）加功率器件，以及8寸加12寸的發(fā)展戰(zhàn)略...詳情請點擊《“巨無霸”來襲，華虹公司登頂A股年內(nèi)最大IPO》MRTesmc

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321層NAND樣品發(fā)布MRTesmc

8月9日，SK海力士宣布，通過321層4D NAND樣品的發(fā)布，正式成為業(yè)界首家正在開發(fā)300層以上NAND閃存的公司。MRTesmc

SK海力士表示，將進一步完善321層NAND閃存，并計劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。MRTesmc

據(jù)悉，321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數(shù)據(jù)存儲的單元可以以更多的單片數(shù)量堆棧至更高，在相同芯片上實現(xiàn)更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產(chǎn)出數(shù)量...詳情請點擊《重磅！SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品》MRTesmc

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又一批半導體項目上馬MRTesmc

近日，業(yè)界新一批半導體項目迎來最新進展，包括天科合達江蘇徐州碳化硅晶片二期項目、杭州芯微影半導體項目、中山臺光電子高性能半導體基材項目、浙江大和半導體產(chǎn)業(yè)園三期建設項目等。MRTesmc

8月9日，蘇州賽芯電子科技股份有限公司總部大樓正式開工奠基。項目預計總投資2億元，未來將建設成集實驗室、研發(fā)中心、營銷中心、綜合管理等功能于一體的賽芯電子企業(yè)總部。MRTesmc

8月8日，天科合達全資子公司江蘇天科合達碳化硅晶片二期擴產(chǎn)項目開工活動在徐州市經(jīng)濟開發(fā)區(qū)成功舉辦。MRTesmc

8月2日，杭州芯微影國產(chǎn)光刻機生產(chǎn)基地項目簽約儀式在鄂州臨空經(jīng)濟區(qū)產(chǎn)業(yè)展示中心舉行，臨空經(jīng)濟區(qū)管委會與杭州芯微影半導體有限公司簽訂《項目投資合同書》...詳情請點擊《最新一批半導體相關(guān)項目上馬在即！》MRTesmc

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鎧俠公布財報MRTesmc

8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季（2023年4-6月）財報，由于智能手機等產(chǎn)品需求低迷，NAND Flash市況持續(xù)惡化，價格下跌，受此影響，該季鎧俠營收2511億日元（約17.5億美元），同比減少32%。MRTesmc

鎧俠指出，因市況復蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動向進行減產(chǎn)以及管控營銷費用，且為了維持競爭力、將持續(xù)進行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。MRTesmc

另據(jù)共同社報道，為應對需求惡化，鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計劃在2023年內(nèi)投產(chǎn)，鎧俠公關(guān)負責人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內(nèi)結(jié)束，同時也表示：“投產(chǎn)時間未定。將在對需求動向進行詳細調(diào)查后再做判斷。”...詳情請點擊《NAND Flash市況復蘇緩慢，又一家大廠要減產(chǎn)？》MRTesmc

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全球再添兩座晶圓廠？MRTesmc

8月8日，臺積電與博世、英飛凌、恩智浦宣布，計劃共同投資位于德國德累斯頓的歐洲半導體制造公司（ESMC），以提供先進半導體制造服務。MRTesmc

該晶圓廠預計采用臺積電的28/22納米平面互補金屬氧化物半導體（CMOS），以及16 /12納米鰭式場效晶體管制程，月產(chǎn)能約40000片300mm（12英寸）晶圓。ESMC目標于2024年下半年開始興建晶圓廠，并于2027年底開始生產(chǎn)…詳情請點擊《臺積電官宣：攜手博世、英飛凌、恩智浦在德國興建12英寸廠》MRTesmc

另據(jù)媒體報道，臺積電同意投資世界先進積體電路股份有限公司計劃在新加坡設立的一家12英寸晶圓廠。該廠投資可能超過1000億元臺幣（約32億美元）。報道稱，這家新加坡工廠將生產(chǎn)28納米芯片，最早可能在2026年完工。MRTesmc

業(yè)界認為，盡管行業(yè)正在下行，但已有不少積極信號在釋放，周期下行或許將逐漸臨近尾聲，行業(yè)靜待新一輪上行周期來臨…詳情請點擊《全球晶圓廠或?qū)⒃僭鰞勺?？?span style="display:none">MRTesmc

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HBM供給位元預估MRTesmc

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報告指出，存儲器原廠在面臨英偉達（NVIDIA）以及其他云端服務業(yè)者（CSP）自研芯片的加單下，試圖通過加大TSV產(chǎn)線來擴增HBM產(chǎn)能。MRTesmc

從目前各原廠規(guī)劃來看，預估2024年HBM供給位元量將年增105%。不過，考慮到TSV擴產(chǎn)加上機臺交期與測試所需的時間合計可能長達9~12個月，因此TrendForce集邦咨詢預估多數(shù)HBM產(chǎn)能要等到明年第二季才有望陸續(xù)開出。MRTesmc

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TrendForce集邦咨詢分析，由于2023~2024年屬于AI建設爆發(fā)期，大量需求集中在AI Training芯片，并推升HBM使用量，后續(xù)建設轉(zhuǎn)為Inference以后，對AI Training芯片以及HBM需求的年成長率則將略為收斂。MRTesmc

因此，原廠此刻在HBM擴產(chǎn)的評估正面臨抉擇，必須在擴大市占率以滿足客戶需求，以及過度擴產(chǎn)恐導致供過于求之間取得平衡。值得注意的是，目前買方在預期HBM可能缺貨的情況下，其需求數(shù)量恐隱含超額下單（Overbooking）的風險...詳情請點擊《研報 | 原廠積極擴產(chǎn)，預估2024年HBM位元供給年成長率105%》MRTesmc

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五大龍頭成立芯片公司MRTesmc

本周，高通、恩智浦、博世、英飛凌及Nordic五大產(chǎn)業(yè)龍頭公司宣布攜手共同投資組建一家芯片公司，專攻RISC-V架構(gòu)，旨在通過支持下一代硬件而推動RISC-V應用普及。MRTesmc

新公司成立于德國，將加速基于開源 RISC-V 架構(gòu)的未來產(chǎn)品的商業(yè)化，起初RISC-V架構(gòu)產(chǎn)品將率先在汽車領(lǐng)域應用，隨后慢慢普及至移動和互聯(lián)網(wǎng)。MRTesmc

據(jù)悉，RISC-V與x86和Arm體系的不同之處在于其開放性，不受某一家企業(yè)主導。因此使用這一架構(gòu)的設計企業(yè)擁有更獨立的主導權(quán)，不會被競爭對手牽制。而且，半導體行業(yè)需要開源的指令集架構(gòu)商業(yè)模式，企業(yè)們會逐漸轉(zhuǎn)移到RISC-V這種高質(zhì)量的開源架構(gòu)...詳情請點擊《高通、恩智浦、博世等五大龍頭攜手成立芯片公司，強勢入局RISC-V》MRTesmc

*更多半導體產(chǎn)業(yè)深入報告，點擊了解TrendForce集邦咨詢《DRAMeXchange會員服務介紹》。MRTesmc

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TrendForce集邦咨詢是一家橫跨存儲、集成電路與半導體、晶圓代工、光電顯示、LED、新能源、智能終端、5G與通訊網(wǎng)絡、汽車電子和人工智能等領(lǐng)域的全球高科技產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)。公司在行業(yè)研究、政府產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、項目評估與可行性分析、企業(yè)咨詢與戰(zhàn)略規(guī)劃、品牌營銷等方面積累了多年的豐富經(jīng)驗，是政企客戶在高科技領(lǐng)域進行產(chǎn)業(yè)分析、規(guī)劃評估、顧問咨詢、品牌宣傳的優(yōu)質(zhì)合作伙伴。MRTesmc

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