近期，閃存大廠鎧俠在最新財(cái)報(bào)中表示，將配合需求動(dòng)向進(jìn)行減產(chǎn)。deNesmc
減產(chǎn)、推遲投產(chǎn)？鎧俠也出手了
8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季（2023年4-6月）財(cái)報(bào)，由于智能手機(jī)等產(chǎn)品需求低迷，NAND Flash市況持續(xù)惡化，價(jià)格下跌，受此影響，該季鎧俠營收2511億日元（約17.5億美元），同比減少32%。deNesmc
鎧俠指出，因市況復(fù)蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動(dòng)向進(jìn)行減產(chǎn)以及管控營銷費(fèi)用，且為了維持競爭力、將持續(xù)進(jìn)行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。deNesmc
另據(jù)共同社報(bào)道，為應(yīng)對需求惡化，鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計(jì)劃在2023年內(nèi)投產(chǎn)，鎧俠公關(guān)負(fù)責(zé)人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內(nèi)結(jié)束，同時(shí)也表示：“投產(chǎn)時(shí)間未定。將在對需求動(dòng)向進(jìn)行詳細(xì)調(diào)查后再做判斷。”deNesmc
稍早之前，SK海力士與三星也做出了減產(chǎn)NAND Flash的決定。SK海力士認(rèn)為，與DRAM庫存去化速度相比，NAND閃存的去庫存速度相較緩慢，因此決定擴(kuò)大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。deNesmc
三星電子存儲事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財(cái)報(bào)電話會議上提到，三星將延長減產(chǎn)行動(dòng)，并對包括NAND閃存芯片在內(nèi)的某些產(chǎn)品進(jìn)行額外的產(chǎn)量調(diào)整。deNesmc
豪賭未來，存儲大廠先進(jìn)技術(shù)蓄勢待發(fā)
關(guān)于市場動(dòng)向及今后展望，鎧俠指出，各家NAND Flash廠商擴(kuò)大生產(chǎn)調(diào)整（減產(chǎn)）范圍、供需平衡逐步改善，在客戶去化庫存以及PC、智能手機(jī)的存儲搭載量增加背景下，預(yù)估NAND Flash需求將逐步復(fù)蘇，價(jià)格下跌情況也將隨著供需平衡改善而放緩。deNesmc
鎧俠表示，當(dāng)前嚴(yán)峻情況雖持續(xù)，不過NAND Flash市場中長期呈現(xiàn)成長趨勢的市場觀點(diǎn)目前未發(fā)生太大變化。deNesmc
盡管當(dāng)前NAND Flash市況相對艱難，但大廠依舊看好NAND Flash市場前景，并持續(xù)布局閃存堆疊技術(shù)，以圖未來。deNesmc
目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān)，存儲廠商正持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品，效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計(jì)劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。deNesmc
除此之外，美光計(jì)劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。deNesmc
責(zé)編：Momoz
