EUVL和DRAMUHNesmc

隨著DRAM繼續(xù)微縮至接近10nm，極紫外光刻(EUVL)技術對提高圖案精度變得越來越重要。三星通過應用五個EUVL層，將EUVL技術擴展到D1a DRAM工藝集成。UHNesmc

EUVL減少了多圖案化過程中的重復步驟，提高了圖案的準確性，從而增強了性能，提高了產量，縮短了開發(fā)時間。EUVL技術對于更小、更快、更高效的DRAM設備來說必不可少。UHNesmc

EUVL最早用于三星D1x技術節(jié)點的test vehicle產品的DRAM應用。UHNesmc

三星電子于2020年3月在D1z DDR5 DRAM上采用了1個EUVL掩模，SK海力士也在D1a上采用了EUVL掩模。如今，三星是第一個在DRAM D1a上應用五個EUVL掩模的公司，并在DRAM生產中采用EUV光刻技術的第三代DRAM器件，也是第一個在DRAM上完全采用EUVL的技術節(jié)點的企業(yè)。  UHNesmc

三星D1a LPDDR5X DRAM – 初步觀察UHNesmc

Techhinsights首次在三星Galaxy S23 Ultra智能手機(12GB內存)和三星Galaxy S23 Plus智能手機(16GB內存)上發(fā)現了三星D1a LPDDR5X DRAM器件。UHNesmc

據三星稱，LPDDR5X DRAM的速度是業(yè)界最快的，達到每秒8.5千兆位(Gbps)，能效提高了20%。UHNesmc

LPDDR5X與LPDDR5的比較UHNesmc

在之前的D1z DRAM產品中，為了提高生產效率，三星只采用了一個EUVL掩模，例如在核心外圍上使用SNLP/位線墊(BLP)?，F在，三星已經將D1a DRAM產品的EUVL層擴展到五層，不僅包括SNLP/BLP，還包括有源微調、DC(單元陣列上的位線接觸)和存儲節(jié)點pillar圖案化電容。UHNesmc

以前的EUVL替代方案，即自對準雙重成像技術(SADP)或光刻-蝕刻-光刻-蝕刻(LELE)，具有不均勻的圖案或需要兩步曝光。值得注意的是，使用SADP很難產生具有各向異性圖案間距的接觸陣列。在D1a中，三星將EUVL應用于所有關鍵工藝步驟。UHNesmc

通過在D1a DRAM上應用五個EUVL層，三星實現了最高的比特密度：0.341 Gb/ mm2  (16Gb LPDDR5X K4L6E165YC)。[美光（0.307 Gb/mm2, D1α 16Gb LPDDR5X Y42M）；SK海力士 (0.316 Gb/mm2, D1a 16Gb LPDDR5X MDHD5821005)]。UHNesmc

金屬1/SNLP層D1a芯片DRAM陣列的掃描電子顯微鏡(SEM)平面視圖。讀出放大器的金屬1線和DRAM陣列的字線驅動（wordline drive）區(qū)以及圓形SNLP的輪廓清晰地表明EUVL用于對BLP和SNLP進行圖案化。UHNesmc

還有誰在研究DRAM的EUVL?UHNesmc

對于DRAM上的EUVL，每個主要的DRAM市場玩家都有自己的策略、基礎設施和行動計劃。三星與他們的系統(tǒng)邏輯制程廠一起，一直在穩(wěn)步投資擴大DRAM上的EUVL應用。SK海力士最近在D1a DRAM上采用了EUVL技術，并計劃在下一代DRAM上繼續(xù)使用EUVL技術。美光可能推遲采用EUVL用于D1γ。UHNesmc

我們將在哪里看到這項技術的應用?UHNesmc

EUVL DRAM的主要市場包括Graphics DRAM、DDR、LPDRAM(移動DRAM)、高帶寬存儲器(HBM)等。UHNesmc

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