目前在庫存壓力下，存儲價格還在下跌，但情勢或?qū)⒂泻棉D(zhuǎn)。TrendForce集邦咨詢認(rèn)為，預(yù)計第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升，第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。XsYesmc

市場低迷底色不改，三星、美光財報帶來回溫跡象？

近期，三星電子公布2023年第二季度財報的初步數(shù)據(jù)，期內(nèi)銷售額為60萬億韓元，同比下降22.3%；營業(yè)利潤從上一年的14.1萬億韓元降至6000億韓元，同比下降95.7%。行業(yè)人士認(rèn)為，雖然三星電子財報仍在持續(xù)下跌，但其利潤降幅小于行業(yè)人士預(yù)期。XsYesmc

美光科技財報顯示，三季度營收為37.5億美元，高于市場預(yù)期的36.9億美元，去年同期為86.4億美元，同比下降57%；利潤率下滑16.1%，利潤下滑幅度低于市場預(yù)測。XsYesmc

結(jié)合上述兩家大廠財報數(shù)據(jù)后，業(yè)界認(rèn)為，存儲芯片價格在持續(xù)下跌一年多以后，庫存過?，F(xiàn)象有所緩解，市場出現(xiàn)了一些復(fù)蘇的跡象。美光方面表示，存儲芯片行業(yè)已度過低谷。XsYesmc

從市場現(xiàn)狀看，市場仍然處于焦慮期。雖然有生成式AI(人工智能)、新能源汽車等若干新的拉動力，但并不能創(chuàng)造出像智能手機那樣的半導(dǎo)體需求，個人電腦和智能手機市場仍然低迷，因此只能在一定程度上緩解市場下行趨勢。XsYesmc

存儲主控大廠看到市場回溫，但庫存壓力仍在

閃存控制芯片商群聯(lián)執(zhí)行長潘健成近日透露，NAND原廠自第二季開始陸續(xù)釋出逐漸漲價的訊號，包括7月份啟動新訂單調(diào)漲價格、或既有訂單重新議價，這代表NAND原廠不堪虧損的壓力持續(xù)擴大；然而是否能因此帶動市況反轉(zhuǎn)，則仍須看整體需求和市場接受度。XsYesmc

群聯(lián)2023年6月合并營收為34.38億元新臺幣，月增逾7%；上半年合并營收達200.85億元新臺幣，年減39%。潘健成表示，由于進入第三季傳統(tǒng)旺季，且NAND價格處于相對低檔，近期有看到NAND儲存模組需求緩慢增加，包括客戶逐漸導(dǎo)入大容量儲存模組產(chǎn)品。XsYesmc

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，原廠減產(chǎn)幅度持續(xù)擴大，實際需求未明，第三季NAND Flash市場仍處于供給過剩。即便下半年有季節(jié)性旺季需求支撐，但目前買方仍持保守的備貨態(tài)度，壓抑NAND Flash價格止跌回穩(wěn)。第三季NAND Flash Wafer均價預(yù)估將率先上漲；SSD、eMMC、UFS等模組產(chǎn)品，則因下游客戶拉貨遲緩，價格續(xù)跌，估第三季整體NAND Flash均價持續(xù)下跌約3~8%，第四季有望止跌回升。XsYesmc

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NAND Flash Wafer方面，預(yù)期原廠庫存壓力將在第三季趨緩，報價態(tài)度強勢，第三季合約價有相當(dāng)高的機率落底反彈，此將刺激買方采購意愿，加上年底旺季前的預(yù)先備貨，預(yù)期對NAND Flash Wafer的需求會漸增，有望加速供需平衡，讓價格漲勢延續(xù)。第三季在原廠報價的強勢態(tài)度下，預(yù)估NAND Flash Wafer均價有望環(huán)比增長0~5%。XsYesmc

預(yù)期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%

據(jù)MoneyDJ報道，由于DRAM價格幾近落底，面對關(guān)鍵的第三季傳統(tǒng)旺季，有業(yè)內(nèi)人士表示，目前三大原廠都想要拉合約價，目標(biāo)漲幅7%-8%。XsYesmc

業(yè)界人士認(rèn)為，受到庫存仍然還未完成去化影響，原廠能否穩(wěn)住價格還未可定。XsYesmc

TrendForce集邦咨詢最新研究指出，受惠于DRAM供應(yīng)商陸續(xù)啟動減產(chǎn)，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應(yīng)商庫存壓力，預(yù)期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。XsYesmc

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不過，目前供應(yīng)商全年庫存應(yīng)仍處高水位，今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大，盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂，然實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。XsYesmc

存儲三巨頭搶灘HBM市場

在存儲市場不見起色的時間里，HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內(nèi)存）的發(fā)展成為各大原廠挽回頹勢的利劍。XsYesmc

公開資料顯示，HBM是一種面向需要極高吞吐量的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的DRAM，HBM的作用類似于數(shù)據(jù)的“中轉(zhuǎn)站”，就是將使用的每一幀，每一幅圖像等圖像數(shù)據(jù)保存到幀緩存區(qū)中，等待GPU調(diào)用。簡單而言，HBM與其他DRAM最大的差別就是擁有超高的帶寬。最新的HBM3的帶寬最高可以達到819 GB/s，而最新的GDDR6的帶寬最高只有96GB/s，CPU和硬件處理單元的常用外掛存儲設(shè)備DDR4的帶寬更是只有HBM的1/10。XsYesmc

超高的帶寬讓HBM成為了高性能GPU的核心組件。2021年ChatGPT的走紅使得HBM一躍成為AI服務(wù)器的“標(biāo)配”。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM已成主流，預(yù)估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB，2024年將再成長三成。XsYesmc

目前，三星、SK海力士和美光紛紛在搶灘HBM市場。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SKhynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。XsYesmc