這一背景下，半導(dǎo)體領(lǐng)域晶圓代工先進(jìn)制程重要性愈發(fā)凸顯，臺(tái)積電、三星兩大晶圓代工龍頭最新產(chǎn)能規(guī)劃與未來(lái)先進(jìn)制程規(guī)劃逐漸清晰。ueresmc
三星公布AI時(shí)代晶圓代工發(fā)展愿景，2025年量產(chǎn)2nm！ueresmc
6月28日，三星電子在2023年第7屆三星晶圓代工論壇（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技術(shù)創(chuàng)新和業(yè)務(wù)戰(zhàn)略。ueresmc
人工智能時(shí)代，三星晶圓代工計(jì)劃基于GAA的先進(jìn)制程技術(shù)，為客戶(hù)在人工智能應(yīng)用方面的需求提供強(qiáng)大支持。為此，三星公布了2nm工藝量產(chǎn)的詳細(xì)計(jì)劃以及性能水平，計(jì)劃2025年實(shí)現(xiàn)應(yīng)用在移動(dòng)領(lǐng)域2nm工藝的量產(chǎn)，于2026和2027分別擴(kuò)展到HPC及汽車(chē)電子。ueresmc
三星表示，2nm工藝（SF2）較3nm工藝（SF3）性能提高了12%，功效提高25%，面積減少5%。ueresmc
三星還將擴(kuò)大全球晶圓代工產(chǎn)能，該公司計(jì)劃到2027年，產(chǎn)能較2021年擴(kuò)大7.3倍。ueresmc
全球產(chǎn)能提升方面，三星計(jì)劃于韓國(guó)量產(chǎn)應(yīng)用于移動(dòng)領(lǐng)域的晶圓代工產(chǎn)品，并更多集中在平澤P3工廠(chǎng)。位于美國(guó)泰勒的新晶圓廠(chǎng)，也正按計(jì)劃推進(jìn)，預(yù)計(jì)于今年底前竣工，2024年下半年內(nèi)投產(chǎn)。同時(shí)，三星計(jì)劃在2030年后將韓國(guó)的生產(chǎn)基地?cái)U(kuò)展到龍仁，助力三星的下一代晶圓代工服務(wù)。ueresmc
除此之外，三星亦表示，為應(yīng)對(duì)移動(dòng)和HPC應(yīng)用小芯片市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，三星本月與其SAFETM合作伙伴以及多家存儲(chǔ)、封裝基板和測(cè)試廠(chǎng)商合作，成立“MDI（Multi-Die Integration, 多芯片集成）聯(lián)盟”。未來(lái)，三星還將與SAFETM合作伙伴一同持續(xù)努力，擴(kuò)大晶圓代工生態(tài)系統(tǒng)。ueresmc
臺(tái)積電半導(dǎo)體制造工藝路線(xiàn)圖曝光，未來(lái)將穩(wěn)定提升產(chǎn)能ueresmc
今年以來(lái)，臺(tái)積電先后在美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市、中國(guó)臺(tái)灣等地介紹了其最新的先進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝路線(xiàn)圖，涵蓋3nm和2nm制程節(jié)點(diǎn)的各種工藝。ueresmc
臺(tái)積電目前規(guī)劃的3nm"家族"分別是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE，其中N3是基礎(chǔ)版；N3E是改進(jìn)版，成本進(jìn)一步優(yōu)化；N3P性能將進(jìn)一步提升，計(jì)劃2024年下半年投產(chǎn)；N3X聚焦高性能計(jì)算設(shè)備，計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段；N3 AE專(zhuān)為汽車(chē)領(lǐng)域設(shè)計(jì)，具備有更強(qiáng)的可靠性，將有助客戶(hù)縮短產(chǎn)品上市時(shí)間2~3年。ueresmc
2nm方面，臺(tái)積電預(yù)計(jì)N2工藝將會(huì)在2025年進(jìn)入量產(chǎn)。臺(tái)積電介紹，在相同功率下，N2速度相比N3E提高15%，或者降低30%的功耗，密度為原來(lái)的1.15倍。ueresmc
產(chǎn)能方面，臺(tái)積電5月透露，為滿(mǎn)足客戶(hù)需求，臺(tái)積電迅速穩(wěn)定提升7nm、5nm及3nm先進(jìn)制程產(chǎn)能，估計(jì)2019年至2023年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)40%。其中，臺(tái)積電在2017年~2019年每年平均興建2座新廠(chǎng)，2020年建6座新廠(chǎng)、2021年建7座、2022年建3座，2023年將再建2座新廠(chǎng)。ueresmc
責(zé)編：Elaine
