與上一代產(chǎn)品相較，三星新的12納米等級(jí)DDR5 DRAM的速率達(dá)到了7.2Gbps，功耗降低了23%，同時(shí)將晶圓的生產(chǎn)效率提高了20%。 v4iesmc
此外，出色的電源效率也使其成為那些希望減少服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心的能耗及碳足跡的全球IT公司的理想解決方案，以支持包括數(shù)據(jù)中心、人工智能和下一代運(yùn)算解決方案在內(nèi)越來(lái)越多的應(yīng)用。v4iesmc
三星12納米級(jí)工藝技術(shù)的開發(fā)基于一種新型高κ材料，有助于提高電池電容。高電容使數(shù)據(jù)信號(hào)出現(xiàn)明顯的電位差，從而更易于準(zhǔn)確地區(qū)分。同時(shí)，三星在降低工作電壓和噪聲方面的成果，也讓此解決方案更加適用于客戶公司的需求。v4iesmc
據(jù)悉，2022年12月，三星成功開發(fā)出基于12nm級(jí)制程工藝的16Gb DDR5 DRAM，并與今年5月與AMD完成了兼容性測(cè)試。三星表示，這款產(chǎn)品是業(yè)界最先進(jìn)的高性能且低能耗的DDR5 DRAM。v4iesmc
資料顯示，DDR5 DRAM是聯(lián)合電子設(shè)備工程委員會(huì)（JEDEC）于2020年推出的最新DRAM規(guī)范，其性能比DDR4 DRAM高了一倍。v4iesmc
當(dāng)前，盡管DDR4占據(jù)DRAM領(lǐng)域大部分市場(chǎng)份額，但DDR5作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的新產(chǎn)品，正逐漸成為各大廠商競(jìng)逐的焦點(diǎn)。業(yè)界認(rèn)為，近兩年將會(huì)是DDR5高速發(fā)展期，尤其是從今年開始，DDR5滲透率將大幅提升。v4iesmc
TrendForce集邦咨詢分析師吳雅婷表示，隨著時(shí)間的推移，預(yù)計(jì)自2023年起，服務(wù)器端將逐步導(dǎo)入DDR5，在server新平臺(tái)的帶動(dòng)下，將會(huì)拉高DDR5比重。而隨著DDR5的快速普及，未來(lái)將有望取代DDR4。集邦咨詢認(rèn)為，DDR5與DDR4成為主流應(yīng)用的交會(huì)點(diǎn)應(yīng)該在2024年底前或2025年初。v4iesmc
責(zé)編：Elaine
