據(jù)鎧俠首席技術(shù)官M(fèi)asaki Momodomi介紹,公司與西數(shù)成功推出了目前具有業(yè)界最高位密度的第八代BiCS閃存,現(xiàn)已開(kāi)始為部分客戶提供樣品。JZwesmc
此次西部數(shù)據(jù)聯(lián)合鎧俠推出的218層3D NAND閃存產(chǎn)品利用具有四個(gè)平面的1Tb三級(jí)單元 (TLC) 和四級(jí)單元 (QLC),采用橫向收縮技術(shù),可將位密度提高約50%。同時(shí),其NAND I/O速度超過(guò)3.2Gb/s,比上一代產(chǎn)品提高了約60%,此外,其寫(xiě)入性能和讀取延遲則改善了20%。JZwesmc
鎧俠和西數(shù)表示,該產(chǎn)品采用先進(jìn)的縮放和晶圓鍵合技術(shù),可以滿足廣泛市場(chǎng)領(lǐng)域呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)需求,包括智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心等。JZwesmc
責(zé)編:Elaine